no to trudniejsze, jak zrobić pomiar napięcia baterii?

do góry

czy zastosowanie takiego tranzystora
http://allegro.pl/tranzystor-n-fet-bf245a-philips-ce
na-5-szt-i2258496641.html
to dobry pomysł? jaki on może mieć prąd bramki? i co się będzie dzaiało gdy
D i S połączymy z masą? na G do bateri?

do góry

> http://allegro.pl/tranzystor-n-fet-bf245a-philips-ce
na-5-szt-i2258496641.html

co oznacza UDS w zakresie +/-30V? że mogę sobie zamienić D i S w polaryzacji
i też będzie mi tranzystor działał?

do góry

nie rozumiem jak pracuje tranzystor mos fet w układzie separatora...
w npn napięcie na E jest zawsze mniejsze o te 0,6 niż na bazie, a jak jest w
fetach?

do góry

W dniu 2012-04-14 20:27, identifikator: 20040501 pisze:
>> http://allegro.pl/tranzystor-n-fet-bf245a-philips-ce
na-5-szt-i2258496641.html
>>
>
> co oznacza UDS w zakresie +/-30V? że mogę sobie zamienić D i S w
> polaryzacji i też będzie mi tranzystor działał?

Tak. JFET to struktura symetryczna. Nazwy D i S są tu tylko po to, aby
ładnie wyglądało w karcie katalogowej.

Pozdrawiam,
Paweł

do góry

On 04/14/2012 10:38 PM, Paweł Pawłowicz wrote:
> Tak. JFET to struktura symetryczna. Nazwy D i S są tu tylko po to, aby
> ładnie wyglądało w karcie katalogowej.

W błąd Waść nie wprowadzaj - tylko część JFETów jest symetryczna tzn.
można całkiem bezkarnie zamieniać źródło i dren bez zmian w
charakterystyce przewodzenia tranzystora. W pozostałych przypadkach
działać po zamianie tranzystor pewnie też będzie, ale już nie koniecznie
będzie trzymać parametry katalogowe. O ile się dobrze orientuję to
asymetrię w niektórych przyrządach wprowadza się przez nierównomierne
domieszkowanie kanału w celu skompensowania nierównomiernego rozkładu
ładunku w kanale przy przyłożonym napięciu Vds.

Pozdr
Portal

do góry

Dnia Sat, 14 Apr 2012 22:38:21 +0200, Paweł Pawłowicz napisał(a):
> W dniu 2012-04-14 20:27, identifikator: 20040501 pisze:
>>> http://allegro.pl/tranzystor-n-fet-bf245a-philips-ce
na-5-szt-i2258496641.html
>> co oznacza UDS w zakresie +/-30V? że mogę sobie zamienić D i S w
>> polaryzacji i też będzie mi tranzystor działał?
>
> Tak. JFET to struktura symetryczna. Nazwy D i S są tu tylko po to, aby
> ładnie wyglądało w karcie katalogowej.

Jestes pewien ze naprawde symetryczna w rzeczywistosci, a nie tylko w
ksiazkach na obrazkach ?

J.

do góry

W dniu 2012-04-15 10:00, J.F. pisze:
> Dnia Sat, 14 Apr 2012 22:38:21 +0200, Paweł Pawłowicz napisał(a):
>> W dniu 2012-04-14 20:27, identifikator: 20040501 pisze:
>>>> http://allegro.pl/tranzystor-n-fet-bf245a-philips-ce
na-5-szt-i2258496641.html
>>> co oznacza UDS w zakresie +/-30V? że mogę sobie zamienić D i S w
>>> polaryzacji i też będzie mi tranzystor działał?
>>
>> Tak. JFET to struktura symetryczna. Nazwy D i S są tu tylko po to, aby
>> ładnie wyglądało w karcie katalogowej.
>
> Jestes pewien ze naprawde symetryczna w rzeczywistosci, a nie tylko w
> ksiazkach na obrazkach ?
>
> J.

Tak. Sprawdzałem.
Mówimy o BF245.

Pozdrawiam,
Paweł

do góry

W dniu 2012-04-15 01:07, Portal pisze:
> On 04/14/2012 10:38 PM, Paweł Pawłowicz wrote:
>> Tak. JFET to struktura symetryczna. Nazwy D i S są tu tylko po to, aby
>> ładnie wyglądało w karcie katalogowej.
>
> W błąd Waść nie wprowadzaj - tylko część JFETów jest symetryczna tzn.
> można całkiem bezkarnie zamieniać źródło i dren bez zmian w
> charakterystyce przewodzenia tranzystora. W pozostałych przypadkach
> działać po zamianie tranzystor pewnie też będzie, ale już nie koniecznie
> będzie trzymać parametry katalogowe. O ile się dobrze orientuję to
> asymetrię w niektórych przyrządach wprowadza się przez nierównomierne
> domieszkowanie kanału w celu skompensowania nierównomiernego rozkładu
> ładunku w kanale przy przyłożonym napięciu Vds.
>
> Pozdr
> Portal

Nie spotkałem się z takim tranzystorem. Mógłbyś podać przykład?

Pozdrawiam,
Paweł

do góry

>> W błąd Waść nie wprowadzaj - tylko część JFETów jest symetryczna tzn.
>> można całkiem bezkarnie zamieniać źródło i dren bez zmian w
>> charakterystyce przewodzenia tranzystora. W pozostałych przypadkach
>> działać po zamianie tranzystor pewnie też będzie, ale już nie koniecznie
>> będzie trzymać parametry katalogowe. O ile się dobrze orientuję to
>> asymetrię w niektórych przyrządach wprowadza się przez nierównomierne
>> domieszkowanie kanału w celu skompensowania nierównomiernego rozkładu
>> ładunku w kanale przy przyłożonym napięciu Vds.
>>
>> Pozdr
>> Portal
>
> Nie spotkałem się z takim tranzystorem. Mógłbyś podać przykład?


Konkretnego modelu nie podam, bo prawdę mówiąc w zamiany źródło-dren
bawiłem się tylko ze standardowym BF245, a on jest zdaje się właśnie
symetryczny. Info odnośnie tego że część JFETów jest asymetryczna
pamiętam jeszcze z wykładów z półprzewodników na PW, a obecnie można bez
trudu znaleźć w googlu wstukując "JFET symmetrical" czy coś podobnego -
dostaniesz np:

http://www.play-hookey.com/semiconductors/junction_f
et.html

"If the channel has a uniform concentration of impurities and the gate
is placed in the middle of the channel, the FET is said to by
symmetrical. In this case, the source and drain are interchangeable,
which can be useful in some applications. However, many FETs are
deliberately constructed to be unsymmetrical, to enhance certain
parameters and behaviors. In these FET types, performance will be
impaired if source and drain are interchanged."

Ogólnie producenci w datasheetach piszą albo że konkretny FET jest
symetryczny, albo nie piszą nic i wtedy nie wiadomo - w tych przypadkach
bezpieczniej jednak stosować dren i źródło zgodnie z oznaczeniem
producenta i nie zamieniać. Nawet są oddzielne symbole dla FETów
synmetrycznych i asymetrycznych patrz np.
http://www.nhn.ou.edu/~bumm/ELAB/Lect_Notes/BJT_FET_
transitors_v1_1.html
, ale niestety w stosowaniu ich panuje pełna dowolność tzn. w schematach
ludzie wrzucają zazwyczaj co się nawinie pod rękę.

Pozdr
Portal

do góry