Zaczalem sie zastanawiac ... jak to jest ze w mosfecie dopuszczalne
Ugs jest na przyklad 20V, a Ugd 500V ?
Ksiazkowa konstrukcja jest dosc symetryczna - to skad roznice ?

J.

do góry

Hello J.F,

Thursday, January 26, 2012, 10:02:43 AM, you wrote:


> Zaczalem sie zastanawiac ... jak to jest ze w mosfecie dopuszczalne
> Ugs jest na przyklad 20V, a Ugd 500V ?
> Ksiazkowa konstrukcja jest dosc symetryczna - to skad roznice ?

Być może rzeczywista konstrukcja ma się jednak trochę inaczej do
książkowej...


--
Best regards,
RoMan mailto:r...@p...pl
Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)

do góry

Użytkownik "RoMan Mandziejewicz" napisał w
Hello J.F,
>> Zaczalem sie zastanawiac ... jak to jest ze w mosfecie dopuszczalne
>> Ugs jest na przyklad 20V, a Ugd 500V ?
>> Ksiazkowa konstrukcja jest dosc symetryczna - to skad roznice ?

>Być może rzeczywista konstrukcja ma się jednak trochę inaczej do
>książkowej...

Niewatpliwie, tym niemniej jeszcze VMOS sa w ksiazkach opisane i
problem nadal widze, a w sumie - jakie by nie byly, to bramka musi byc
blisko kanalu, a w kanale pelny zakres napiec.

J.

do góry

Użytkownik "J.F" <j...@p...onet.pl> napisał w wiadomości
news:jfr9im$1rm$1@inews.gazeta.pl...
> blisko kanalu, a w kanale pelny zakres napiec.

Tutaj jest trochę lepszy rysunek
http://en.wikipedia.org/wiki/Power_MOSFET
W książkach reprodukują bardzo mylące układy gdzie z lewej jest dren z
prawej źródło czy na odwrót a bramka na tym wszystkim leży.
Na rysunku z w.w. linku widać, że pod bramką jest nisko domieszkowany
obszar N połączony z drenem - rokład ładunku w tym obszarze przyjmuje na
siebie Uds i pod samą bramką nie występuje pełne napięcie drenu.
Przy otwieraniu tranzystora pod bramką zaczyna się tworzyć obszar
przewodzący prąd ale bliżej mu do żródła (poprzez jakieś Rdson) i napięcie
pod powierzchnią bramki też nie rośnie.

--
Pozdrawiam,
Łukasz

do góry