Re: Zasilanie modułu GSM przez MOSFET-a - dobry pomysł?

eGospodarka.pl › Grupy › pl.misc.elektronika › Zasilanie modułu GSM przez MOSFET-a - dobry pomysł? › Re: Zasilanie modułu GSM przez MOSFET-a - dobry pomysł?

Path: news-archive.icm.edu.pl!agh.edu.pl!news.agh.edu.pl!newsfeed2.atman.pl!newsfeed.
atman.pl!wsisiz.edu.pl!.POSTED!not-for-mail
From: Atlantis <m...@w...pl>
Newsgroups: pl.misc.elektronika
Subject: Re: Zasilanie modułu GSM przez MOSFET-a - dobry pomysł?
Date: Mon, 05 Aug 2013 10:49:30 +0200
Organization: http://www.wit.edu.pl
Lines: 26
Message-ID: <ktnour$hsv$1@portraits.wsisiz.edu.pl>
References: <ktmjrd$ph5$1@portraits.wsisiz.edu.pl>
<51ff4bc5$0$1263$65785112@news.neostrada.pl>
<ktnlcr$h0j$1@portraits.wsisiz.edu.pl>
<51ff5f44$0$1231$65785112@news.neostrada.pl>
NNTP-Posting-Host: amu101.neoplus.adsl.tpnet.pl
Mime-Version: 1.0
Content-Type: text/plain; charset=UTF-8
Content-Transfer-Encoding: 8bit
X-Trace: portraits.wsisiz.edu.pl 1375692571 18335 83.26.76.101 (5 Aug 2013 08:49:31
GMT)
X-Complaints-To: a...@w...edu.pl
NNTP-Posting-Date: Mon, 5 Aug 2013 08:49:31 +0000 (UTC)
User-Agent: Mozilla/5.0 (Windows NT 6.1; WOW64; rv:17.0) Gecko/20130620
Thunderbird/17.0.7
In-Reply-To: <51ff5f44$0$1231$65785112@news.neostrada.pl>
X-Enigmail-Version: 1.5.2
Xref: news-archive.icm.edu.pl pl.misc.elektronika:650659
[ ukryj nagłówki ]
W dniu 2013-08-05 10:16, Zbych pisze:

> Źródło na plusie baterii.

Tfu! Oczywiście to miałem na myśli.

> To jest chyba tranzystor przeznaczony do wyższych napięć Vgs niż 3V.

Znów masz rację - moje niedopatrzenie.
Widzę, że Si4463DY (oznaczenie bez DY na końcu wskazuje na jakiś
komórkowy wzmacniacz mocy) i TSM2311 nie tak łatwo znaleźć. Nie ma go na
Allegro an w AVT. Pewnie w lokalnych sklepach też nie ma co ich
szukać... Jakieś inne tranzystory mógłbyś polecić? ;)

>> Taki IRF7416 ma maksymalny RDS(on) na poziomie 0,035 oma, ale przy
>> Vgs=4,5V. Jak oszacować opór dla niższego napięcia na bramce? Jakiego Rw
>
> Z wykresów.

Hmm... Jaka jest dokładna procedura? Chodzi po prostu o sprawdzenie
wartości prądu drenu przy najniższym możliwym do oczytania VDS, a
następnie podstawienie ich pod R=U/I?