W dniu 2019-08-23 o 12:20, Piotr Wyderski pisze:
>
>> Nie... to jeden 7805 i jeden IRFZ44N obciążony 3.5 A, czyli z ogromnym
>> zapasem
>
> Jakim zapasem, skoro Twój tranzystor w ogóle nie ma specyfikacji DC? :->
> Datasheet => rysunek 8., maksymalna określona przez producenta długość
> impulsu = 10 milisekund.

Nie śledziłem wątku, ale ostatnie wypowiedzi skłoniły mnie do zajrzenia
do jego historii.

Nie pracuję z prądami powyżej 0,5A, ale wydaje mi się, że jednak ten
tranzystor ma jakieś specyfikacje DC. Ja bym przyjmował, że mogę przez
niego przepuścić DC 35A pod warunkiem, że:
- zagwarantuję temperaturę obudowy do 100 st.C
- napięcie bramki na stałe 10V.

Pozostaje kwestia włączania się w ten stan. Wyglądało by mi na to, że
jeśli zapewnię wejście/wyjście z tego stanu w czasie max 1ms (przy
napięciu zasilania 10V) to wszystko jest OK.
Przy prądzie 10A i zasilaniu 15V wystarczy zmieścić się w 10ms.
To jest z zapasem, bo jak obciążenie rezystancyjne bierze 10A z 15V to
przy napięciu DS 15V nie ma 10A tylko 0.
Dokładniej to trzeba by w wykres SOA wmalować prostą obciążenia (skala
log więc nie będzie ona prosta).


> Wg inżynierii konserwatywnej jedziesz po bandzie, używając elementu poza
> zakresem dopuszczonym przez producenta. Tak, ja wiem, że nie wybuchnie,
> ale formalnie Ci nie wolno. :-)

Przyjąłem (nie było to powiedziane), że ten IRFZ44N kluczuje te 3.5A, a
nie jest liniowym regulatorem prądu.
Dlatego uważam, że element nie jest użyty poza zakresem.
P.G.

do góry

Piotr Wyderski <p...@n...mil> wrote:

> Ja pracuję w tym zakresie napięć, więc możliwości przyrządu odpowiadają
> potrzebom. :-)

Co ty robisz z takimi napięciami? :)

> Jak zawsze. W tym przypadku granicą jest wytrzymałość krzemu na
> przebicie. Wysokie napięcie pracy oznacza konieczność stworzenia
> grubszego kanału, a to wprost przenosi się na jego rezystancję.
> Żeby zmniejszyć rezystancję dren-źródło trzeba połączyć równolegle
> wiele elementarnych komórek -- ale wtedy pojemność bramki też rośnie.
> Co sobie zaoszczędzisz na R_DS_ON, stracisz na ładunku bramki i stratach
> przełączania. Nie ma idealnego kompromisu, stąd mnogość MOSFETów na
> rynku. :-)

No tak :) Czyli w tym 900V jest po prostu większa pojemność bramki?

>> Ok, czyli jeśli zapewni się pracę kluczowaną i właściwe chłodzenie, to
>> można liczyć na prąd zbliżony do continuous drain current?
>
> Tak, ale napisałem Ci już, co to znaczy właściwe chłodzenie. :-)
> Albo chłodzenie ewaporacyjne, albo radiator chłodzony wodą albo
> rurka ciepła. Popatrz na specyfikację mocy strat dużych tranzystorów:
> 400-900W, w obudowie TO247 albo TO3P. Całe 3.2cm^2 powierzchni
> chłodzącej. Na pewno poradzisz sobie ze strumieniem mocy 200W/cm^2?

No tak...

A jeśli ten "continuous current" zainterpretować jako maksymalny prąd
nieimpulsowy, ale niekoniecznie ciągły? Np. 2 sekundy tego prądu i 18
sekund na odpoczynek. 40W mocy średniej już się odprowadzi. Byle tylko
radiator przyjął te 400W przez 1/10 czasu i zakumulował :)

> Żelazko ma 2kW i powierzchnię stopy ze 100x większą. W ramach wprawki
> proponuję schłodzić żelazko, a dopiero potem próbować z tranzystorami. :-)

Przepływowy podgrzewacz wody ma ok. 4kW, jest chłodzony wodą ;)

> Opisałem Ci to już innymi słowami. To, co nazywasz MOSFETem to tak
> naprawdę układ scalony złożony z kilkuset tysięcy elementarnych
> tranzystorów połączonych równolegle.

Mega. Ta technologia tworzenia tranzystorów z pojedynczych "komórek" na
wspólnym podłożu jakoś się nazywa? Kiedy to wymyślili?

> Granicą jest wytrzymałość materiału, w pewnym momencie komórka się
> przetapia i zwiera dren ze źródłem. RIP. To jest właśnie hot spot --
> niewielki obszar o temperaturze znacznie odbiegającej od średniej, który
> zabił Ci tranzystor przy prądzie znacznie poniżej wartości maksymalnej.

Hmm. A to zwarcie drenu ze źródłem nie jest na bardzo małym obszarze? Nie
powinno się momentalnie przepalić i pozwolić reszcie tranzystora pracować?

> To tak w dramatycznym uroszczeniu -- w praktyce równania cieplne są
> bardzo nieliniowe, hot spot nie ma większego związku z podziałem
> tranzystora na komórki, lecz jest wynikiem niejednorodności
> domieszkowania w większych obszarach itp.

Czyli nawet w tranzystorze niepodzielonym na komórki mogą być hotspoty,
które wynikają z niedoskonałości krzemu?

> Ale intuicja powinna być jasna.

Tak, już jest jasne.

Swoją drogą, moge spytać skąd masz taką wiedzę na temat półprzewodników?
Gdzie tego uczą? :)

>> Gdybym zmniejszył rezystory (powiedzmy do 1k pull-up i 50R pull-down
>> przez BC817) i użył IRF540, to czas pracy w triodowym zakresie przy
>> włączaniu tranzystora będzie na tyle krótki, że będzie OK?
>
> Nie zgaduj, policz, to jest proste. Z definicji prądu wynika, że
> do przeładowania jednego nanokulomba w nanosekundę potrzeba prądu
> jednego ampera. Jeżeli tranzystor ma Qg=406nC (tyle ma mój o R_DS_ON
> 750 mikroomów, z którym obecnie pracuję), to mając driver o wydolności
> 4A przez obszar triodowy przejdziesz w 100ns. Prąd potężny, a szału nie
> ma...
>
> Z pojemności nie licz, bo bramka nie jest kondensatorem.
> Charakterystyka ładowania jest wybitnie nieliniowa, o kształcie
> rozciągniętej litery Z.

No to liczymy. Jest IRFZ44N, Qg=63nC przy Id=25A (swoją drogą ma podane
też Qgs=14nC przy Vds=44V; czemu to jest dużo mniejsze, skoro ładujemy
bramkę względem źródła?), driver ma wydolność I=12V/1k=0.012A, czyli
przejście zajmie 5.25us. Zauważalnie dłużej, niż liczone z pojemności :)

Patrzę teraz na "Maximum safe operating area" i wychodzi, że powinno być
OK. Nawet dla 100us przy Vds=12V wychodzi maksymalny dopuszczalny Id=100A
(czyli kosmiczny, ale zauważalnie większy niż moje 3.5A)...

>> Z pojemności bramki (1700pF), rezystora 1k i zasilania 12V wychodzi mi, że
>> bramka osiągnie 5V (odczytane z wykresu dla 3.5A + pewien margines) po
>> 900ns. Chyba będzie OK? Dla IRFZ44N jest nawet lepiej (1470pF, 4.5V,
>> 700ns).
>
> Qg=63nC, prąd ładowania 12mA (wariant optymistyczny) => przeładujesz w
> bramkę w 5.25us.

O właśnie :) Tak to jest jak się odpisuje przed przeczytaniem, policzyłeś
to samo :)

> Szału nie ma, ale do pracy kluczowanej z prądem 1/10 maksymalnego raz na
> kilka sekund wystarczy. Ale w zasilaczu impulsowym by Ci ten tranzystor
> odparował. :-)

W sumie -- czemu by odparował skoro mieści się w safe operating area?
Jakbym go nie kluczował raz na sekunde tylko raz na milisekundę? Wtedy
safe operating area się nie liczy, bo jest podane tylko dla "single pulse"
(i to "raz na sekundę" jeszcze się zalicza do pojedynczego impulsu)?

> Ostatecznie wszystko sprowadza się do ładunku, więc najlepiej z niego
> liczyć. Dodatkowo obliczenia są wyjątkowo proste, "na paluszkach", a nie
> przez całkowanie mocno pogiętych krzywych.

Tak... widzę właśnie, jedno dzielenie.

> W wariancie ultra high-rel daje się cztery MOSFETy. Dwie równoległe
> gałęzie po dwa szeregowe tranzystory. Każda gałąź sterowana z własnego
> drivera. Układ jest odporny na dowolną awarię pojedynczego MOSFETa.

Chyba że się więcej niż jeden usmaży? :)

Jak myślałem kiedyś, jak coś takiego zabezpieczyć (choć nie konkretnie ten
układ) to wymyśliłem, żeby wrzucić na wejście bezpiecznik i w momencie
wykrycia awarii tranzystora procesor zwierał zasilanie tyrystorem (bez
ograniczenia prądowego albo z takim, które przekroczy prąd bezpiecznika) i
niech ten bezpiecznik sobie ładnie odparuje. Nie wiem na ile ma to sens.
Tak czy inaczej tu czegoś takiego nie chcę ;)

> Sztuczka znana od co najmniej lat 60., tylko w wariancie z tyrystorami.
> Ale te węże chyba aż tak cenne nie są? :-)

Wiesz, to jednorazowa "produkcja", więc cena nie gra aż takiej roli. I tak
to ja płacę (obiecałem zrobić inkubator w zamian za pierwszego wyklutego
węża, zamiast liczyć się co do złotówki za części i wszystko inne) :) Po
prostu jak już się podejmuję to chcę, żeby działało. Bardzo źle bym się
czuł, gdyby na skutek mojego błędu coś się stało z tymi wężami.

> Projektować można, papier wszystko przyjmie, tylko potem fizyka nie chce
> założeń uszanować. W rzeczywistości proces wygląda dokładnie odwrotnie:
> określa się zgrubne założenia, konstrukcji produkuje miliard sztuk, po
> czym każdą z osobna się mierzy i odkrywa, co się udało wyprodukować.

Aaa, takie buty :) Jak z procesorami. Jedne będą i5, drugie będą i7, a
jeszcze inne oznaczy się i3, nic się nie marnuje :)

W sumie ma to sens.

Swoją drogą, w Polsce w ogóle ktokolwiek jeszcze zajmuje się produkcją
półprzewodników? Kiedyś było CEMI, ale już dawno nie ma... wiem że jest
Wilk Elektronik (ci od marki Goodram) ale nie wiem, czy nie zlecają
produkcji (zdziwiłbym się, gdyby opłacało im się robić kości samemu,
ale może?).

> Te kosteczki o dużej becie i małych szumach nazwiemy BC549C, o dużym
> napięciu przebicia BC547A, a średnio udane dostaną literkę B. Niektórych
> parametrów nie opłaca się mierzyć dokładniej niż jakiś próg akceptacji,
> więc się w datasheet wpisuje ten próg. I nie ma znaczenia, że
> rzeczywisty element jest 1000x lepszy, i to powtarzalnie. Chcesz mieć
> lepszą specyfikację (nie lepsze struktury!), to zapłać za koszt
> testowania i ogólne zawracania fabryce tyłka.

Teraz jasne. Dzięki!

> Tu masz to znacznie lepiej opisane, niż ja bym umiał. I z
> obrazkami/zdjęciami.
>
> http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-1155.p
df

Wytłumaczyłeś dobrze -- na tyle, że zrozumiałem :)

Otworzyłem AN, przerzuciłem na czytnik. Jadę na urlop, to będzie co
czytać, jak się jezioro znudzi :)

Bardzo podoba mi się zdanie: "This type of visual pattern is more
attractive when observed on the surface of the moon, instead of on the
surface of parts that are trying to land there."

--
https://www.youtube.com/watch?v=9lSzL1DqQn0

do góry

Queequeg wrote:

> Co ty robisz z takimi napięciami? :)

Energia zgromadzona w kondensatorze zależy liniowo od jego pojemności,
a kwadratowo od napięcia. Dlatego 50uF przy 900V zawiera w sobie tyle
energii, co 450uF przy 300V. Dzięki znacznie mniejszej pojemności nie
musi to być kondensator elektrolityczny, więc go eliminuję i zyskuję
na trwałości urządzenia. Do tego trzeba mieć odpowiednie tranzystory,
ale w ostatnich latach nastąpił wysyp elementów z węglika krzemu na
1200V i więcej, więc tu problemu nie ma. Ponadto, przy tej samej mocy
w układzie zasilanym większym napięciem płyną proporcjonalnie mniejsze
prądy, a straty rezystancyjne zależą od kwadratu prądu. Układ zasilany
z 900V będzie się grzał 9x mniej, niż układ zasilany z 300V. Mniej
ciepła to większa sprawność, ale przede wszystkim brak podgrzewania
wszystkiego w okolicy => znów podnosi się trwałość urządzenia.

> No tak :) Czyli w tym 900V jest po prostu większa pojemność bramki?

Większa w porównaniu z czym?

> Mega. Ta technologia tworzenia tranzystorów z pojedynczych "komórek" na
> wspólnym podłożu jakoś się nazywa? Kiedy to wymyślili?

Czy i jak się ta technika nazywa to nie wiem, ale HEXFETy wprowadzono
na rynek w 1979, więc stosuje się ją co najmniej od tego czasu. Pewnie
jest znacznie starsza.

> Hmm. A to zwarcie drenu ze źródłem nie jest na bardzo małym obszarze?
> Nie powinno się momentalnie przepalić i pozwolić reszcie tranzystora pracować?

Domieszki i metalizacja się rozpuszczą w krzemie i się tworzy dobrze
przewodzący stop. On nawet nie musi być dosłownie ciekły, wystarczy,
że dyfuzja zajdzie dostatecznie szybko.

> Czyli nawet w tranzystorze niepodzielonym na komórki mogą być hotspoty,
> które wynikają z niedoskonałości krzemu?

Hotspoty mogą się pojawić nawet w diodzie i są olbrzymim problemem
przy produkcji elementów dla energoelektroniki. Zrobić dostatecznie
jednolitą strukturę np. tyrystorową o powierzchni kilku cm^2, która nie
odparuje przy grubych kiloamperach to jest mistrzostwo galaktyki.

> Swoją drogą, moge spytać skąd masz taką wiedzę na temat półprzewodników?
> Gdzie tego uczą? :)

Nie przesadzajmy, sporo tego jest choćby w Sztuce Elektroniki Horowitza
i Hilla.

> No to liczymy. Jest IRFZ44N, Qg=63nC przy Id=25A (swoją drogą ma podane
> też Qgs=14nC przy Vds=44V; czemu to jest dużo mniejsze, skoro ładujemy
> bramkę względem źródła?)

Ale CO ładujemy względem źródła? :-)

14nC przy prądzie 12mA to 1.16us. Masz swoje 900ns, wszystko się zgadza.
To jest pierwszy obszar na wykresie V_GS(Qg), ładujesz zwykły
kondensator. Ale przy przekroczeniu V_TH pod bramką uformował Ci się
przewodzący kanał, którego tam wcześniej nie było. Są dwie elektrody
i dielektryk, utworzył się nowy kondensator. I to jeszcze taki parszywy,
że jego powierzchnia gwałtownie rośnie wraz z napięciem
bramki. A tym samym efektywna pojemność. Nieprzerwanie pompujesz w
bramkę ładunek, a napięcie na bramce stoi. To jest plateau. Potem
struktura kanału jest już w pełni uformowana i pojemność przestaje
rosnąć, więc liniowo rośnie napięcie -- trzeci odcinek charakterystyki.
Nie ma to nic wspólnego z efektem Millera, bo plateau zaobserwujesz
przy dowolnie powolnym ładowaniu bramki -- impedancja C_GD jest
wtedy bliska nieskończoności i dren nie ma żadnego sprzężenia
z obwodem ładowania bramki, CBDO. Efekt Millera to zjawisko dynamiczne.

> Zauważalnie dłużej, niż liczone z pojemności :)

Pojemność bramki bardziej wprowadza błąd niż jest użytecznym parametrem
projektowym w zastosowaniach przełączających. Jest bardzo nieliniowa, a
ładunek całkowity zawiera już w sobie wszystkie efekty wyższych rzędów.

> Patrzę teraz na "Maximum safe operating area" i wychodzi, że powinno być
> OK. Nawet dla 100us przy Vds=12V wychodzi maksymalny dopuszczalny Id=100A
> (czyli kosmiczny, ale zauważalnie większy niż moje 3.5A)...

Właśnie zacząłeś to świadomie liczyć, a nie zgadywać. Zupełnie bez
uszczypliwości powiem, że to ważny dzień. :-)
Teraz już *wiesz*, dlaczego to zadziała poprawnie.

> W sumie -- czemu by odparował skoro mieści się w safe operating area?

Nawet w typowej przetwornicy działającej na 100kHz jeden pełny okres
kluczowania to 10us. Ty go w połowie tego czasu nawet nie zdążyłeś
dobrze włączyć, a już trzeba wyłączać. Przez sporą część tego czasu
tranzystor siedzi w obszarze triodowym, zachowując się jak rezystor.
Będzie gorąco. :-)

> Jakbym go nie kluczował raz na sekunde tylko raz na milisekundę? Wtedy
> safe operating area się nie liczy, bo jest podane tylko dla "single pulse"

W tym czasie wydzieli się pewna ilość energii, która podniesie
temperaturę struktury. A w kolejce już stoi następny impuls.
Czas między impulsami jest krótki, więc moc będzie spora.

> Tak... widzę właśnie, jedno dzielenie.

Dodatkowo z czasu przełączania i ładunku łatwo policzyć moc potrzebną do
przeładowania bramki, a więc i straty.

> Chyba że się więcej niż jeden usmaży? :)

No tak, układ jest odporny na awarię co najwyżej jednego elementu.
Zwykłe połączenie jest odporne na awarię co najwyżej zera elementów.

> Jak myślałem kiedyś, jak coś takiego zabezpieczyć (choć nie konkretnie ten
> układ) to wymyśliłem, żeby wrzucić na wejście bezpiecznik i w momencie
> wykrycia awarii tranzystora procesor zwierał zasilanie tyrystorem (bez
> ograniczenia prądowego albo z takim, które przekroczy prąd bezpiecznika) i
> niech ten bezpiecznik sobie ładnie odparuje. Nie wiem na ile ma to sens.
> Tak czy inaczej tu czegoś takiego nie chcę ;)

Przeanalizuj dokładniej działanie opisanego układu. On jest odporny na
*każdy* scenariusz Single Point of Failure, a Twoje zabezpieczenie tylko
na awarię MOSFETa na zwarcie. Awarii "na przerwę" bezpiecznik nie
wykryje i węże odmrożą sobie tyłek. :-)

Pozdrawiam, Piotr

do góry

Użytkownik "Piotr Wyderski" napisał w wiadomości grup
dyskusyjnych:qk8a8j$q1m$...@g...aioe.org...
Queequeg wrote:
>> Co ty robisz z takimi napięciami? :)

>Energia zgromadzona w kondensatorze zależy liniowo od jego
>pojemności,
>a kwadratowo od napięcia. Dlatego 50uF przy 900V zawiera w sobie tyle
>energii, co 450uF przy 300V. Dzięki znacznie mniejszej pojemności nie
>musi to być kondensator elektrolityczny, więc go eliminuję i zyskuję
>na trwałości urządzenia.

Hm, ale energia to jest w dielektryku zgromadzona, i jest liniowa -
tzn po osiagnieciu granicznego natezenia pola elektrycznego, liniowo
zalezy od objetosci :-)

A 300V to IMO na tyle duzo, ze juz mozna dielektryk dobierac, a nie
"mniej sie nie da" ...

>Do tego trzeba mieć odpowiednie tranzystory,
>ale w ostatnich latach nastąpił wysyp elementów z węglika krzemu na
>1200V i więcej, więc tu problemu nie ma. Ponadto, przy tej samej mocy
>w układzie zasilanym większym napięciem płyną proporcjonalnie
>mniejsze
>prądy, a straty rezystancyjne zależą od kwadratu prądu. Układ
>zasilany
>z 900V będzie się grzał 9x mniej, niż układ zasilany z 300V. Mniej
>ciepła to większa sprawność, ale przede wszystkim brak podgrzewania
>wszystkiego w okolicy => znów podnosi się trwałość urządzenia.

Ale masz takie urzadzenia, ze 1000V akceptuja ?
Czy do przetwornicy idzie ... i 1200V to znacznie gorzej niz 300 ?

J.

do góry

J.F. wrote:

> Hm, ale energia to jest w dielektryku zgromadzona, i jest liniowa - tzn
> po osiagnieciu granicznego natezenia pola elektrycznego, liniowo zalezy
> od objetosci :-)

No tak, ale to dotyczy każdego kondensatora. A z punktu widzenia
praktycznego kondensatory foliowe kilkadziesiąt uF/1kV są i mają
porównywalne rozmiary z elektrolitami na 400V. To wolę wziąć foliowe.

> Ale masz takie urzadzenia, ze 1000V akceptuja ?
> Czy do przetwornicy idzie ... i 1200V to znacznie gorzej niz 300 ?

Akurat u mnie to to jest V_BUS, tj. tyle wychodzi z PFC i idzie
do przetwornicy z 600-900V na cokolwiek potrzebnego. Przy takich
napięciach nawet w półmostku płyną dostatecznie małe prądy, by
się nie przejmować wadami tej topologii -- półmostek na 900V ma
lżej niż pełen mostek na 400V, a sterowanie jest znacznie prostsze.

Pozdrawiam, Piotr

do góry

Użytkownik "Piotr Wyderski" napisał w wiadomości grup
dyskusyjnych:qk8cf1$147i$...@g...aioe.org...
J.F. wrote:
>> Hm, ale energia to jest w dielektryku zgromadzona, i jest liniowa -
>> tzn
>> po osiagnieciu granicznego natezenia pola elektrycznego, liniowo
>> zalezy
>> od objetosci :-)

>No tak, ale to dotyczy każdego kondensatora. A z punktu widzenia
>praktycznego kondensatory foliowe kilkadziesiąt uF/1kV są i mają
>porównywalne rozmiary z elektrolitami na 400V. To wolę wziąć foliowe.

Ale czy nie ma foliowych ma 500V, o wiekszej pojemnosci ?

P.S. Foliowe tez sie czasem uszkadzaja.

>> Ale masz takie urzadzenia, ze 1000V akceptuja ?
>> Czy do przetwornicy idzie ... i 1200V to znacznie gorzej niz 300 ?

>Akurat u mnie to to jest V_BUS, tj. tyle wychodzi z PFC i idzie
>do przetwornicy z 600-900V na cokolwiek potrzebnego. Przy takich
>napięciach nawet w półmostku płyną dostatecznie małe prądy, by
>się nie przejmować wadami tej topologii -- półmostek na 900V ma
>lżej niż pełen mostek na 400V, a sterowanie jest znacznie prostsze.

Technologia poszla do przodu :-)

A jakie napiecie wyjsciowe/docelowe ?
Moze na 400V tez wystarczylby polmostek ?

J.

do góry

J.F. wrote:

> Ale czy nie ma foliowych ma 500V, o wiekszej pojemnosci ?

Jak szukałem, to nie było, a składanie baterii 500uF/450V z elementów na
1kV jakoś mi się nie uśmiechało.

> P.S. Foliowe tez sie czasem uszkadzaja.

Tak, czasem. "Useful life time: > 100 000 h at UNDC and 70 °C"
Milion godzin przy deratingu do 2/3 UN(ominal)DC. Biorę to na klatę.

> Technologia poszla do przodu :-)

I zacznijmy z tego korzystać.

> A jakie napiecie wyjsciowe/docelowe ?

+/-15V. Problemem jest jednak napięcie wejściowe. Układ powinien
pracować poprawnie przy podłączeniu jedno-, dwu- i trójfazowym. A trzy
fazy to 560V po wyprostowaniu. Prościej było więc od razu przyjąć
V_BUS znacznie wyżej niż maksymalne napięcie wejściowe i resztę
projektu wyprowadzić stamtąd. Inne benefity to bardzo pożądany efekt
uboczny.

Pozdrawiam, Piotr

do góry

Hello Piotr,

Thursday, August 29, 2019, 1:21:05 PM, you wrote:

[...]

> Akurat u mnie to to jest V_BUS, tj. tyle wychodzi z PFC i idzie
> do przetwornicy z 600-900V na cokolwiek potrzebnego. Przy takich
> napięciach nawet w półmostku płyną dostatecznie małe prądy, by
> się nie przejmować wadami tej topologii -- półmostek na 900V ma
> lżej niż pełen mostek na 400V, a sterowanie jest znacznie prostsze.

Półmostek nie może pracować w trybie prądowym.

--
Best regards,
RoMan
Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)

do góry

RoMan Mandziejewicz wrote:

> Półmostek nie może pracować w trybie prądowym.

Dlaczego nie może? Mierzę bezpośrednio prąd uzwojenia pierwotnego.

Pozdrawiam, Piotr

do góry

Użytkownik "Piotr Wyderski" napisał w wiadomości grup
dyskusyjnych:qk8elb$1dqi$...@g...aioe.org...
J.F. wrote:
>> Ale czy nie ma foliowych ma 500V, o wiekszej pojemnosci ?

>Jak szukałem, to nie było, a składanie baterii 500uF/450V z elementów
>na 1kV jakoś mi się nie uśmiechało.

A byly jakies inne wymagania ?

>> P.S. Foliowe tez sie czasem uszkadzaja.

>Tak, czasem. "Useful life time: > 100 000 h at UNDC and 70 °C"
>Milion godzin przy deratingu do 2/3 UN(ominal)DC. Biorę to na klatę.

Ale jak sie jednak uszkodzi ... pozaru nie bedzie ?

>> Technologia poszla do przodu :-)
>I zacznijmy z tego korzystać.

Moze nich inni przetestuja ... jesli my nie musimy :-)


>> A jakie napiecie wyjsciowe/docelowe ?

>+/-15V. Problemem jest jednak napięcie wejściowe. Układ powinien
>pracować poprawnie przy podłączeniu jedno-, dwu- i trójfazowym. A
>trzy
>fazy to 560V po wyprostowaniu. Prościej było więc od razu przyjąć
>V_BUS znacznie wyżej niż maksymalne napięcie wejściowe i resztę
>projektu wyprowadzić stamtąd. Inne benefity to bardzo pożądany efekt
>uboczny.


Ale to ciagle tylko 600V, nie trzeba 1200

J.

do góry