a...@m...uni.wroc.pl wrote:

> OK, ja patrzylem na datasheet z IR i z Vishay. A propo: zauwazyles
> ze to dwa rozne tranzystory, inny proces, inne parametry.

Hmm, symbol ten sam -- nie powinno być tak, żeby tranzystory o tym samym
symbolu były jednak zamienne?

Tzn. powinno jak powinno, ale czy jest?

> Nawet z driwerem dysktretnym powinno byc OK. Krytyczny odcienk
> (plaski na krzywej 6) to max 23 nC ("Miller" charge).

23 nC, a nie 23 nC minus 7 nC?

> W pierwszym odcinku transytor jest wylaczony (nie plynie prad)
> wiec nie ma problemu z moca. W trzecim spadek napiecia na tranzytorze
> jest maly wiec tez nie na problemu. W tym drugim odcinku najgorszy
> moment to polowa napiecia na tranzystorze, jak masz grzejnik 12V to
> wtedy moc chwilowa w tranzystorze to 10.5W. Przelaczajac 2 razy na
> sekunde daje to srednia moc rzedu 260 uW. Nawet jakby grzejnik byl na
> wyzsze napiecie to srednia moc ciagle jest pomijalnie mala. A impulsie
> 100 us przy pelnym napieciu na tranzystorze mozesz miec 20A, czyli w
> trakcie przelaczania jestes daleko od grancy SOA.

Czyli tak naprawdę interesuje mnie czas przejścia przez środkowy,
najbardziej płaski fragment charakterystyki Vgs / Qg, a nie całkowite
przeładowanie bramki? Czyli dla IRFZ44N od ok. 9 nC do 21 nC, czyli
12 nC zamiast całkowitego 63 nC?

Zastanawiam się, czy to, że Qgs wynosi 14 nC, ma z tym związek.

Tak czy inaczej przeglądając to wszystko mam wniosek taki, że mogę
bezpiecznie ładować bramkę IRFZ44N (a nie IRF540) z rezystora 3k3
i będzie bezpiecznie... wniosek słuszny?

>> > Jak sobie popatrzysz na rysunek 3 dla IRFZ44N to widac ze
>> > przy V_gs powyzej 5.5 V prad maleje z temperatura, czyli
>> > tranzystor jest stabilny termicznie.
>>
>> Faktycznie. Nie patrzy?em na ten wykres w ten spos?b.
>>
>> Btw, IRF540 ma podobnie, tylko przy 5.25V. A dopuszcza prac? DC...
>
> Wersja IR i Vishay. Dla wesji ST nie widze takiej krzywej...

Ale chyba powinno być podobnie?

> Jak jestes pod krzywa to producent obiecuje ze nic zlego sie
> nie stanie. Uds=10V i Id=30A jest na krzywej, jak na chwile tam
> wjedziesz to sie nie nie powinno stac. Jak bedziesz przez 1 ms
> jechal po krzywej to ryzykujesz problem. Jeszcze jedno: to jest
> dla temperatury obodowy 25 C. W praktyce to oznacza ze na poczatku
> impulsu temperatura zlacza to 25 C. Dla tego tranzystora krzywe
> SOA sa bliskie krzywym stalej mocy, czyli rozsadnie jest przyjac
> ze na koncu impulsu temperatura zlacza to 175 C. Teraz, jesli
> masz np. temperature zlacza 100 C to zostaje tylko czesc od
> 100 C do 175 C, czyli z grubsza polowa dlugosci impulsu w
> porownaniu z rysunkiem. Dla ciebie dalej wystarcza, ale jak
> chcesz docisnac do granic mozliwosci to wychodzi troche mniej
> niz z naiwnego popatrzenia na rysunek.

Jasne, rozumiem. Dzięki!

--
https://www.youtube.com/watch?v=9lSzL1DqQn0

do góry

Queequeg <q...@t...no1> wrote:
> a...@m...uni.wroc.pl wrote:
>
> > OK, ja patrzylem na datasheet z IR i z Vishay. A propo: zauwazyles
> > ze to dwa rozne tranzystory, inny proces, inne parametry.
>
> Hmm, symbol ten sam -- nie powinno by? tak, ?eby tranzystory o tym samym
> symbolu by?y jednak zamienne?
>
> Tzn. powinno jak powinno, ale czy jest?

ZCW sa rejestry z wymaganiami na "minimalne" parametry elementow.
Jak projktujesz uklad tak by "minimalne" parametry wystarczyly
to mozesz brac elementy od dowolnego producenta. Ale producent
moze zadeklarowac ze jego elementy sa lepsze, jak na tym
polegasz to nie mozesz zamienic na element z gorszymi parametrami.

Wyglada na to ze STM i IR w tym przypadku postawily na inne
wlasnosci: IR ma mniejsze gwarantowane Rdson, STM podaje DC
SOA.

>
> > Nawet z driwerem dysktretnym powinno byc OK. Krytyczny odcienk
> > (plaski na krzywej 6) to max 23 nC ("Miller" charge).
>
> 23 nC, a nie 23 nC minus 7 nC?

Ja bralem max z tabeli na stronie 2. Krzywa 6 wskazuje ze typowe
wartosci sa mniejsze, ale tu lepiej liczyc najgorszy przypadek.

>
> > W pierwszym odcinku transytor jest wylaczony (nie plynie prad)
> > wiec nie ma problemu z moca. W trzecim spadek napiecia na tranzytorze
> > jest maly wiec tez nie na problemu. W tym drugim odcinku najgorszy
> > moment to polowa napiecia na tranzystorze, jak masz grzejnik 12V to
> > wtedy moc chwilowa w tranzystorze to 10.5W. Przelaczajac 2 razy na
> > sekunde daje to srednia moc rzedu 260 uW. Nawet jakby grzejnik byl na
> > wyzsze napiecie to srednia moc ciagle jest pomijalnie mala. A impulsie
> > 100 us przy pelnym napieciu na tranzystorze mozesz miec 20A, czyli w
> > trakcie przelaczania jestes daleko od grancy SOA.
>
> Czyli tak naprawd? interesuje mnie czas przej?cia przez ?rodkowy,
> najbardziej p?aski fragment charakterystyki Vgs / Qg, a nie ca?kowite
> prze?adowanie bramki?

Tak.

> Czyli dla IRFZ44N od ok. 9 nC do 21 nC, czyli
> 12 nC zamiast ca?kowitego 63 nC?
>
> Zastanawiam si?, czy to, ?e Qgs wynosi 14 nC, ma z tym zwi?zek.

Ten srodkowy odcinek to inaczej "Miller charge", maksymalna wartosc
w tabeli 2 (czyli najgorzy przypadek) 23nC jest troche wieksza od typowej
wartosci z wykresu (jak liczyles rzedu 12nC).

> Tak czy inaczej przegl?daj?c to wszystko mam wniosek taki, ?e mog?
> bezpiecznie ?adowa? bramk? IRFZ44N (a nie IRF540) z rezystora 3k3
> i b?dzie bezpiecznie... wniosek s?uszny?

Tak, przy twojej (bardzo niskiej) czestosci przelaczania.

> >> > Jak sobie popatrzysz na rysunek 3 dla IRFZ44N to widac ze
> >> > przy V_gs powyzej 5.5 V prad maleje z temperatura, czyli
> >> > tranzystor jest stabilny termicznie.
> >>
> >> Faktycznie. Nie patrzy?em na ten wykres w ten spos?b.
> >>
> >> Btw, IRF540 ma podobnie, tylko przy 5.25V. A dopuszcza prac? DC...
> >
> > Wersja IR i Vishay. Dla wesji ST nie widze takiej krzywej...
>
> Ale chyba powinno by? podobnie?

Sa dwa efekty. Ze wzrostem temperatury spada napiecie progrowe
co powieksza prad. Ale tez ze wzrostem temperatury rosnie opor,
co obniza prad. Wersja ST ma wiekszy opor, wiec drugi efekt
bedzie silniejszy czyli krzywa bedzie inna. Czy zmiana bedzie
istotna? Nie wiem.

Troche teorii: jesli prad rosnie z temperatura to
jest potencjalna niestabilnosc. Co sie faktycznie dzieje
zalezy od grzania i rozchodzenia sie ciepla. Dostaje sie
dosc skomplikowane rownania, nie wiem czy w praktyce daje
sie z nich wyciagnac wynik liczbowy. Ale troche wiem o
ogolnej teorii: tendencja jest taka ze przy niskej mocy
jest niejednorody rozklad temperatury. Faktyczna niestabilnosc
pojawia sie dopiero jak moc jest dostatecznie duza.
Czyli bedzie jakis obszar bezpiecznej pracy (ale moze sie okazac
ze przy konkretnym napieciu i pradzie bezpieczna moc jest
duzo mniejsza od mocy maksymalnej). Krzywe SOA
sa po by wiedziec jak wyglada obszar bezpiecznej pracy.


--
Waldek Hebisch

do góry

a...@m...uni.wroc.pl wrote:

> ZCW sa rejestry z wymaganiami na "minimalne" parametry elementow.
> Jak projktujesz uklad tak by "minimalne" parametry wystarczyly
> to mozesz brac elementy od dowolnego producenta. Ale producent
> moze zadeklarowac ze jego elementy sa lepsze, jak na tym
> polegasz to nie mozesz zamienic na element z gorszymi parametrami.

Jasne, ma sens.

>> Czyli dla IRFZ44N od ok. 9 nC do 21 nC, czyli
>> 12 nC zamiast ca?kowitego 63 nC?
>>
>> Zastanawiam si?, czy to, ?e Qgs wynosi 14 nC, ma z tym zwi?zek.
>
> Ten srodkowy odcinek to inaczej "Miller charge", maksymalna wartosc
> w tabeli 2 (czyli najgorzy przypadek) 23nC jest troche wieksza od typowej
> wartosci z wykresu (jak liczyles rzedu 12nC).

A, ok. Jasne. Czyli to dla niego trzeba dobrać czas przeładowania.

>> Tak czy inaczej przegl?daj?c to wszystko mam wniosek taki, ?e mog?
>> bezpiecznie ?adowa? bramk? IRFZ44N (a nie IRF540) z rezystora 3k3
>> i b?dzie bezpiecznie... wniosek s?uszny?
>
> Tak, przy twojej (bardzo niskiej) czestosci przelaczania.

Pytanie co to znaczy "bardzo niska". Cały okres PWM to pół sekundy, ale
minimalnie okres włączenia (lub wyłączenia) ma 32 ms. Czyli w najgorszym
przypadku tranzystor włącza się na 32 ms co pół sekundy (albo odwrotnie,
wyłącza na 32 ms co pół sekundy). To nadal bardzo niska częstotliwość?

> Sa dwa efekty. Ze wzrostem temperatury spada napiecie progrowe
> co powieksza prad. Ale tez ze wzrostem temperatury rosnie opor,
> co obniza prad. Wersja ST ma wiekszy opor, wiec drugi efekt
> bedzie silniejszy czyli krzywa bedzie inna. Czy zmiana bedzie
> istotna? Nie wiem.

Tak... to to o czym pisał Piotr.

--
https://www.youtube.com/watch?v=9lSzL1DqQn0

do góry

Queequeg <q...@t...no1> wrote:
> a...@m...uni.wroc.pl wrote:
>
> >> Tak czy inaczej przegl?daj?c to wszystko mam wniosek taki, ?e mog?
> >> bezpiecznie ?adowa? bramk? IRFZ44N (a nie IRF540) z rezystora 3k3
> >> i b?dzie bezpiecznie... wniosek s?uszny?
> >
> > Tak, przy twojej (bardzo niskiej) czestosci przelaczania.
>
> Pytanie co to znaczy "bardzo niska". Ca?y okres PWM to p?? sekundy, ale
> minimalnie okres w??czenia (lub wy??czenia) ma 32 ms. Czyli w najgorszym
> przypadku tranzystor w??cza si? na 32 ms co p?? sekundy (albo odwrotnie,
> wy??cza na 32 ms co p?? sekundy). To nadal bardzo niska cz?stotliwo???

Tak. Gdybys przelaczal co 32 ms to tylko 30 Hz. Przy
sterowaniu silnikami czesto sie uzywa 2-5 kHz, w przetwornicach
nieraz wiecej niz 100 kHz.

--
Waldek Hebisch

do góry

a...@m...uni.wroc.pl wrote:

> Tak. Gdybys przelaczal co 32 ms to tylko 30 Hz. Przy
> sterowaniu silnikami czesto sie uzywa 2-5 kHz, w przetwornicach
> nieraz wiecej niz 100 kHz.

Ok, wszystko jasne. Jeszcze raz dzięki :)

--
https://www.youtube.com/watch?v=9lSzL1DqQn0

do góry