Mnóstwo kasy idzie ostatnio na badania nad SiC i GaN, więc zaczęły
pojawiać się interesujące efekty. Na przykład to:

https://pl.mouser.com/Search/Refine?Ntk=P_MarCom&Ntt
=149591753

1700V, 1 om i 450 miliomów. Nowością jest to, że są przystosowane do
sterowania napięciem 0/12V, a nie -4/+20V, jak starsze modele, co bardzo
komplikowało strukturę przetwornicy, zwłaszcza prostych flybacków.
Vth też podnieśli z 1.5V do 4.5V, więc budżet na zakłócenia wygląda
rozsądnie.

Od strony bramki przypominają krzemowe MOSFETy, a od strony drenu mają
absurdalne osiągi SiC. Bardzo mi to uprości jeden projekt, więc
infomuję, że już takie cuda są, bo może się to komuś przyda.

Pozdrawiam, Piotr