Queequeg <q...@t...no1> wrote:
> a...@m...uni.wroc.pl wrote:
>
> > OK, ja patrzylem na datasheet z IR i z Vishay. A propo: zauwazyles
> > ze to dwa rozne tranzystory, inny proces, inne parametry.
>
> Hmm, symbol ten sam -- nie powinno by? tak, ?eby tranzystory o tym samym
> symbolu by?y jednak zamienne?
>
> Tzn. powinno jak powinno, ale czy jest?

ZCW sa rejestry z wymaganiami na "minimalne" parametry elementow.
Jak projktujesz uklad tak by "minimalne" parametry wystarczyly
to mozesz brac elementy od dowolnego producenta. Ale producent
moze zadeklarowac ze jego elementy sa lepsze, jak na tym
polegasz to nie mozesz zamienic na element z gorszymi parametrami.

Wyglada na to ze STM i IR w tym przypadku postawily na inne
wlasnosci: IR ma mniejsze gwarantowane Rdson, STM podaje DC
SOA.

>
> > Nawet z driwerem dysktretnym powinno byc OK. Krytyczny odcienk
> > (plaski na krzywej 6) to max 23 nC ("Miller" charge).
>
> 23 nC, a nie 23 nC minus 7 nC?

Ja bralem max z tabeli na stronie 2. Krzywa 6 wskazuje ze typowe
wartosci sa mniejsze, ale tu lepiej liczyc najgorszy przypadek.

>
> > W pierwszym odcinku transytor jest wylaczony (nie plynie prad)
> > wiec nie ma problemu z moca. W trzecim spadek napiecia na tranzytorze
> > jest maly wiec tez nie na problemu. W tym drugim odcinku najgorszy
> > moment to polowa napiecia na tranzystorze, jak masz grzejnik 12V to
> > wtedy moc chwilowa w tranzystorze to 10.5W. Przelaczajac 2 razy na
> > sekunde daje to srednia moc rzedu 260 uW. Nawet jakby grzejnik byl na
> > wyzsze napiecie to srednia moc ciagle jest pomijalnie mala. A impulsie
> > 100 us przy pelnym napieciu na tranzystorze mozesz miec 20A, czyli w
> > trakcie przelaczania jestes daleko od grancy SOA.
>
> Czyli tak naprawd? interesuje mnie czas przej?cia przez ?rodkowy,
> najbardziej p?aski fragment charakterystyki Vgs / Qg, a nie ca?kowite
> prze?adowanie bramki?

Tak.

> Czyli dla IRFZ44N od ok. 9 nC do 21 nC, czyli
> 12 nC zamiast ca?kowitego 63 nC?
>
> Zastanawiam si?, czy to, ?e Qgs wynosi 14 nC, ma z tym zwi?zek.

Ten srodkowy odcinek to inaczej "Miller charge", maksymalna wartosc
w tabeli 2 (czyli najgorzy przypadek) 23nC jest troche wieksza od typowej
wartosci z wykresu (jak liczyles rzedu 12nC).

> Tak czy inaczej przegl?daj?c to wszystko mam wniosek taki, ?e mog?
> bezpiecznie ?adowa? bramk? IRFZ44N (a nie IRF540) z rezystora 3k3
> i b?dzie bezpiecznie... wniosek s?uszny?

Tak, przy twojej (bardzo niskiej) czestosci przelaczania.

> >> > Jak sobie popatrzysz na rysunek 3 dla IRFZ44N to widac ze
> >> > przy V_gs powyzej 5.5 V prad maleje z temperatura, czyli
> >> > tranzystor jest stabilny termicznie.
> >>
> >> Faktycznie. Nie patrzy?em na ten wykres w ten spos?b.
> >>
> >> Btw, IRF540 ma podobnie, tylko przy 5.25V. A dopuszcza prac? DC...
> >
> > Wersja IR i Vishay. Dla wesji ST nie widze takiej krzywej...
>
> Ale chyba powinno by? podobnie?

Sa dwa efekty. Ze wzrostem temperatury spada napiecie progrowe
co powieksza prad. Ale tez ze wzrostem temperatury rosnie opor,
co obniza prad. Wersja ST ma wiekszy opor, wiec drugi efekt
bedzie silniejszy czyli krzywa bedzie inna. Czy zmiana bedzie
istotna? Nie wiem.

Troche teorii: jesli prad rosnie z temperatura to
jest potencjalna niestabilnosc. Co sie faktycznie dzieje
zalezy od grzania i rozchodzenia sie ciepla. Dostaje sie
dosc skomplikowane rownania, nie wiem czy w praktyce daje
sie z nich wyciagnac wynik liczbowy. Ale troche wiem o
ogolnej teorii: tendencja jest taka ze przy niskej mocy
jest niejednorody rozklad temperatury. Faktyczna niestabilnosc
pojawia sie dopiero jak moc jest dostatecznie duza.
Czyli bedzie jakis obszar bezpiecznej pracy (ale moze sie okazac
ze przy konkretnym napieciu i pradzie bezpieczna moc jest
duzo mniejsza od mocy maksymalnej). Krzywe SOA
sa po by wiedziec jak wyglada obszar bezpiecznej pracy.


--
Waldek Hebisch