-
1. Data: 2019-08-22 23:57:31
Temat: TO-220 bez radiatora, ale w obudowie
Od: q...@t...no1 (Queequeg)
Hej,
Różne źródła podają, że TO-220 bez radiatora jest w stanie rozproszyć ok.
1 W -- ale w jakiej sytuacji? Przy przewiewie, bez? Czy to prawda także
dla małej, plastikowej obudowy bez wentylacji?
Mam do rozproszenia 360 mW + 200 mW na dwóch elementach w TO-220 obok
siebie, ale właśnie w takiej obudowie i zastanawiam się, czy przerabiać
projekt i dorzucić mały radiator, czy będzie OK tak jak jest...
--
https://www.youtube.com/watch?v=9lSzL1DqQn0
-
2. Data: 2019-08-23 00:06:38
Temat: Re: TO-220 bez radiatora, ale w obudowie
Od: Piotr Wyderski <p...@n...mil>
Queequeg wrote:
> Różne źródła podają, że TO-220 bez radiatora jest w stanie rozproszyć ok.
> 1 W -- ale w jakiej sytuacji? Przy przewiewie, bez? Czy to prawda także
> dla małej, plastikowej obudowy bez wentylacji?
Datasheet IRF540 podaje max. RthJA=62 stopnie C/W. Jeśli obudowa nie
jest jakoś wybitnie odizolowana termicznie, to osiągnie równowagę
termiczną przy jakiejś rozsądnej temperaturze. Załóż 60 stopni, dodaj
te 62/W i masz temperaturę złącza. 122 stopnie spokojnie mieści się w
dozwolonym zakresie do 175 stopni.
> Mam do rozproszenia 360 mW + 200 mW na dwóch elementach w TO-220 obok
> siebie, ale właśnie w takiej obudowie i zastanawiam się, czy przerabiać
> projekt i dorzucić mały radiator, czy będzie OK tak jak jest...
Czyli łącznie pół wata. Nie powinno być problemu.
Pozdrawiam, Piotr
-
3. Data: 2019-08-23 09:39:54
Temat: Re: TO-220 bez radiatora, ale w obudowie
Od: "J.F." <j...@p...onet.pl>
Użytkownik "Queequeg" napisał w wiadomości grup
dyskusyjnych:041faa21-d463-45f5-9ed9-863758dca4d1@tr
ust.no1...
>Różne źródła podają, że TO-220 bez radiatora jest w stanie rozproszyć
>ok.
>1 W -- ale w jakiej sytuacji? Przy przewiewie, bez? Czy to prawda
>także
>dla małej, plastikowej obudowy bez wentylacji?
>Mam do rozproszenia 360 mW + 200 mW na dwóch elementach w TO-220 obok
>siebie, ale właśnie w takiej obudowie i zastanawiam się, czy
>przerabiać
>projekt i dorzucić mały radiator, czy będzie OK tak jak jest...
Powinien dac rade, chyba ze za blisko beda, ale ... zawsze staram sie
dorzucic kawalek radiatora, chocby blaszki.
IMO - same TO220 plona szybko, a w trakcie eksperymentow/prototypu
latwo o chwilowe przeciazenia.
J.
-
4. Data: 2019-08-23 09:56:29
Temat: Re: TO-220 bez radiatora, ale w obudowie
Od: RoMan Mandziejewicz <r...@p...pl.invalid>
Hello Queequeg,
Thursday, August 22, 2019, 11:57:31 PM, you wrote:
> Różne źródła podają, że TO-220 bez radiatora jest w stanie rozproszyć ok.
> 1 W -- ale w jakiej sytuacji? Przy przewiewie, bez?
Bez. Rezystancja termiczna na poziomie 60-65 K/W
> Czy to prawda także dla małej, plastikowej obudowy bez wentylacji?
Rezystancja termiczna nie zależy od obudowy. Od obudowy i mocy strat zależy
temperatura w obudowie.
> Mam do rozproszenia 360 mW + 200 mW na dwóch elementach w TO-220 obok
> siebie, ale właśnie w takiej obudowie i zastanawiam się, czy przerabiać
> projekt i dorzucić mały radiator, czy będzie OK tak jak jest...
Moim zdaniem będzie OK. Ale i tam musisz to sprawdzić.
--
Best regards,
RoMan
Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)
-
5. Data: 2019-08-23 10:11:21
Temat: Re: TO-220 bez radiatora, ale w obudowie
Od: Piotr Wyderski <p...@n...mil>
RoMan Mandziejewicz wrote:
> Moim zdaniem będzie OK. Ale i tam musisz to sprawdzić.
Zamiast się doktoryzować z procesów cieplnych wystarczy do tej obudowy
wrzucić opornik, ustawić zasilacz regulowany na wydzielenie w nim 1W,
zostawić na godzinę i dotknąć obudowy. Jak nie będzie parzyć, to i
półwatowy tranzystor wytrzyma...
Pozdrawiam, Piotr
-
6. Data: 2019-08-23 10:20:42
Temat: Re: TO-220 bez radiatora, ale w obudowie
Od: Piotr Wyderski <p...@n...mil>
J.F. wrote:
> IMO - same TO220 plona szybko, a w trakcie eksperymentow/prototypu latwo
> o chwilowe przeciazenia.
Obawiam się, że "chwilowe przeciążenia" impulsowy tranzystor MOSFET w
TO220 zabiją podobnie szybko jak w TO247. Typowe SOA w warunkach ostrego
przeciążenia specyfikuje czas przeżycia tranzystora w okolicach 10us.
Radiator nic nie da, impedancja termiczna nie pozwoli mu się istotnie
ogrzać w tym czasie. A obawiam się, że szanse na to, że rozmawiamy o
MOSFETcie lateralnym, *albo chociaż* o takim z rozszerzonym FBSOA,
*albo chociaż* impulsowym z SOA zdefiniowanym
dla DC są minimalne.
Pozdrawiam, Piotr
-
7. Data: 2019-08-23 11:23:13
Temat: Re: TO-220 bez radiatora, ale w obudowie
Od: q...@t...no1 (Queequeg)
Piotr Wyderski <p...@n...mil> wrote:
>> IMO - same TO220 plona szybko, a w trakcie eksperymentow/prototypu latwo
>> o chwilowe przeciazenia.
>
> Obawiam się, że "chwilowe przeciążenia" impulsowy tranzystor MOSFET w
> TO220 zabiją podobnie szybko jak w TO247.
Datasheet dla IRFZ44N podaje prąd udarowy drenu 160 A i ciągły 49 A. To
już chwilowe przeciążenie? :)
Zawsze mnie dziwiło, że takie cienkie nóżki (i jeszcze cieńsze druciki
w środku) są w stanie wytrzymać takie prądy. W środku to pewnie złoto albo
pozłacane, ale końcówki to chyba zwykła, pobielona czymś miedź?
> A obawiam się, że szanse na to, że rozmawiamy o MOSFETcie lateralnym,
> *albo chociaż* o takim z rozszerzonym FBSOA, *albo chociaż* impulsowym z
> SOA zdefiniowanym dla DC są minimalne.
Nie... to jeden 7805 i jeden IRFZ44N obciążony 3.5 A, czyli z ogromnym
zapasem (wziąłem go, bo akurat mam zapas; to jednostkowe urządzenie).
Żadnych udarów tam nie będzie, 7805 zasila elektronikę a mosfet rezystory
grzewcze.
--
https://www.youtube.com/watch?v=9lSzL1DqQn0
-
8. Data: 2019-08-23 11:26:48
Temat: Re: TO-220 bez radiatora, ale w obudowie
Od: q...@t...no1 (Queequeg)
Piotr Wyderski <p...@n...mil> wrote:
> Datasheet IRF540 podaje max. RthJA=62 stopnie C/W. Jeśli obudowa nie
> jest jakoś wybitnie odizolowana termicznie, to osiągnie równowagę
> termiczną przy jakiejś rozsądnej temperaturze. Załóż 60 stopni, dodaj
> te 62/W i masz temperaturę złącza. 122 stopnie spokojnie mieści się w
> dozwolonym zakresie do 175 stopni.
Więc tak się to liczy... tak, teraz patrzę na te wartości w datasheecie
(junction-to-case, case-to-sink, junction-to-ambient) i ma to sens.
Dzięki!
--
https://www.youtube.com/watch?v=9lSzL1DqQn0
-
9. Data: 2019-08-23 12:06:22
Temat: Re: TO-220 bez radiatora, ale w obudowie
Od: q...@t...no1 (Queequeg)
RoMan Mandziejewicz <r...@p...pl.invalid> wrote:
>> Czy to prawda także dla małej, plastikowej obudowy bez wentylacji?
>
> Rezystancja termiczna nie zależy od obudowy. Od obudowy i mocy strat zależy
> temperatura w obudowie.
Ale temperatura w obudowie dodaje się do temperatury wynikającej
z rezystancji termicznej i podnosi temperaturę złącza... tak?
Czyli jeśli mamy 65K/W junction-to-ambient, to złącze mając w obudowie 20C
będzie miało 85C, ale w obudowie będzie coraz cieplej i cieplej, więc
złączu też będzie cieplej... pytanie jakie jest oddawanie ciepła przez
plastikową, czarną obudowę do otoczenia i przy jakiej temperaturze się to
wyrówna.
--
https://www.youtube.com/watch?v=9lSzL1DqQn0
-
10. Data: 2019-08-23 12:20:00
Temat: Re: TO-220 bez radiatora, ale w obudowie
Od: Piotr Wyderski <p...@n...mil>
Queequeg wrote:
> Datasheet dla IRFZ44N podaje prąd udarowy drenu 160 A i ciągły 49 A. To
> już chwilowe przeciążenie? :)
To się jeszcze dokop, w jakich warunkach. :-)
A warunki są typowe: tranzystor jest utopiony w bańce z mieszaniną
związków fluoroorganicznych o temperaturze wrzenia dostrojonej do 25
stopni Celsjusza. Każda moja płytka tak ma, Twoja nie?
Jak już będziesz kopał, to wykop też przy jakim napięciu dren-źródło
jest zmierzony ten prąd. Bo w warunkach realnych może ono być
dostatecznie wysokie, by wyrwać tranzystor z obszaru nasycenia.
I wtedy się dowiesz, dlaczego MOSFET zaprojektowany do pracy liniowej
jest 5--10x droższy od przewidzianego do impulsowej. Na ten przykład
takie badziewie 100V/100A w postaci IXTN200N10L2 kosztuje drobne
150 złotych za sztukę. A przecież wystarczy dać dwa Twoje równolegle
-- "ale głupi ci Rzymianie". :-)
> Zawsze mnie dziwiło, że takie cienkie nóżki (i jeszcze cieńsze druciki
> w środku) są w stanie wytrzymać takie prądy.
Utop sobie płytkę w PFC, jak pan Cray miał w zwyczaju robić ze swoimi
superkomputerami i Cię przestanie dziwić. Albo zacznij traktować
pierwsze strony datasheeta jako koncert życzeń i sobie bez gry wstępnej
studiuj obrazki "Safe Operating Area". Możesz się wtedy zdziwić, że
stuamperowy MOSFET nie ma tam w ogóle zaznaczonego obszaru DC. :->
> W środku to pewnie złoto albo pozłacane
Jasne, w tranzystorze za dwa złote. Aluminiowe druciki, czasami cienka
blaszka.
> Nie... to jeden 7805 i jeden IRFZ44N obciążony 3.5 A, czyli z ogromnym
> zapasem
Jakim zapasem, skoro Twój tranzystor w ogóle nie ma specyfikacji DC? :->
Datasheet => rysunek 8., maksymalna określona przez producenta długość
impulsu = 10 milisekund. W 22-amperowym IRF540 produkcji ST:
https://global.oup.com/us/companion.websites/fdscont
ent/uscompanion/us/pdf/microcircuits/students/mos/IR
F540-st.pdf
na rysunku GC98090 wyczytasz, że DC SOA to zaledwie 4 ampery.
"Cuda, cuda ogłaszają!" :->
> Żadnych udarów tam nie będzie, 7805 zasila elektronikę a mosfet rezystory
> grzewcze.
Wg inżynierii konserwatywnej jedziesz po bandzie, używając elementu poza
zakresem dopuszczonym przez producenta. Tak, ja wiem, że nie wybuchnie,
ale formalnie Ci nie wolno. :-)
Pozdrawiam, Piotr