W dniu 2018-02-24 o 11:18, Piotr Wyderski pisze:

>> Zależy to od MOSFET-a, a w szczególności od jego pojemności
>> bramka-źródło. Niektóre tranzystory potrafią mieć kilka nF.
>
> Rzekłbym, że bywają takie, które potrafią *nie mieć* na bramce kilku
> nanofaradów. Głównie z azotku galu i węglika krzemu oraz drobnica
> z kategorii 2N7002. ;-)

Przypomnę początek pytania:
"Wyobraźcie sobie że sterujecie tranzystorem MOSFET
małej mocy"

> Przy czym to nie jest sprawa pojemnościowego charakteru obciążania, tylko
> prądu w impulsie i jego czasu trwania. Jak wystarczy do rozgrzania
> tranzystorów sterownika powyżej temperatury dopuszczalnej lub nawet
> do stopienia metalizacji, to po zawodach.

Dalej było o sterowaniu z mikroprocesora a więc nie ze specjalnego
sterownika. Wyjścia mikroprocesorów rzadko mają jakieś niesamowite
wydajności i często są odporne na zwarcie do masy.

> Jest potrzebny przy każdej częstotliwości przełączania. Tylko czasami
> nie musi być zrealizowany fizycznie, bo pasożytnicza rezystancja bramki
> może być w zupełności wystarczająca.

Rezystancja bramki jest chyba typowo mniejsza od rezystancji wyjścia
mikroprocesora i to raczej to ograniczy.
P.G.