eGospodarka.pl
eGospodarka.pl poleca

eGospodarka.plGrupypl.misc.elektronikaOpornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
Ilość wypowiedzi w tym wątku: 36

  • 1. Data: 2018-02-24 02:18:15
    Temat: Opornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
    Od: "Pszemol" <P...@P...com>

    Wyobraźcie sobie że sterujecie tranzystorem MOSFET
    małej mocy w celu włączenia/wyłączenia termistora
    do układu pomiarowego, czyli taki rodzaj multipleksera...

    Wyjście układu sterującego, najczęściej mikroprocesora,
    podłączacie do bramki tranzystora przez rezystor czy
    bezpośrednio? Jakie plusy/minusy obu rozwiązań?


  • 2. Data: 2018-02-24 09:40:27
    Temat: Re: Opornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
    Od: jacek <j...@w...pl>

    W dniu 2018-02-24 o 02:18, Pszemol pisze:
    > Wyobraźcie sobie że sterujecie tranzystorem MOSFET
    > małej mocy w celu włączenia/wyłączenia termistora
    > do układu pomiarowego, czyli taki rodzaj multipleksera...
    >
    > Wyjście układu sterującego, najczęściej mikroprocesora,
    > podłączacie do bramki tranzystora przez rezystor czy
    > bezpośrednio? Jakie plusy/minusy obu rozwiązań?
    W/g mnie nie ma żadnego znaczenia jeśli ścieżka jest
    krótka i nie obawiasz się zakłóceń przenoszonych przez G-D.

    --
    pzdr, j.r.


  • 3. Data: 2018-02-24 10:04:10
    Temat: Re: Opornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
    Od: Grzegorz Kurczyk <g...@c...usun.slupsk.pl>

    W dniu 24.02.2018 o 09:40, jacek pisze:
    > W dniu 2018-02-24 o 02:18, Pszemol pisze:
    >> Wyobraźcie sobie że sterujecie tranzystorem MOSFET
    >> małej mocy w celu włączenia/wyłączenia termistora
    >> do układu pomiarowego, czyli taki rodzaj multipleksera...
    >>
    >> Wyjście układu sterującego, najczęściej mikroprocesora,
    >> podłączacie do bramki tranzystora przez rezystor czy
    >> bezpośrednio? Jakie plusy/minusy obu rozwiązań?
    > W/g mnie nie ma żadnego znaczenia jeśli ścieżka jest
    > krótka i nie obawiasz się zakłóceń przenoszonych przez G-D.
    >

    Zależy to od MOSFET-a, a w szczególności od jego pojemności
    bramka-źródło. Niektóre tranzystory potrafią mieć kilka nF. Wyjście uC
    raczej nie lubi takich pojemnościowych obciążeń.
    Przy małych częstotliwościach przełączania rezystor jest teoretycznie
    niepotrzebny, ale jeśli jest odpowiednio małej mocy to całkiem fajnie
    pełni rolę bezpiecznika dla uC w przypadku sfajczenia MOSFET-a :-)


    --
    Pozdrawiam
    Grzegorz


  • 4. Data: 2018-02-24 10:55:04
    Temat: Re: Opornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
    Od: Mario <M...@...pl>

    W dniu 24.02.2018 o 02:18, Pszemol pisze:
    > Wyobraźcie sobie że sterujecie tranzystorem MOSFET
    > małej mocy w celu włączenia/wyłączenia termistora
    > do układu pomiarowego, czyli taki rodzaj multipleksera...
    >
    > Wyjście układu sterującego, najczęściej mikroprocesora,
    > podłączacie do bramki tranzystora przez rezystor czy
    > bezpośrednio? Jakie plusy/minusy obu rozwiązań?

    Zaprojektuj podłączenie przez rezystor a w przypadku słabego nachylenia
    zbocza dasz taki z zerową wartością :)

    --
    pozdrawiam
    MD


  • 5. Data: 2018-02-24 11:00:57
    Temat: Re: Opornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
    Od: Piotr Wyderski <p...@n...mil>

    Pszemol wrote:

    > Wyjście układu sterującego, najczęściej mikroprocesora,
    > podłączacie do bramki tranzystora przez rezystor czy
    > bezpośrednio? Jakie plusy/minusy obu rozwiązań?

    Plusem braku rezystora jest brak rezystora. Nie trzeba go kupować,
    montować, nie zajmuje miejsca na płytce i nie może się popsuć. Minusy
    są dwa: pierwszy jest taki, że ładunek zgromadzony na bramce (lub jego
    brak przy włączaniu tranzystora, ale to na jedno wychodzi) może być na
    tyle istotny, że uszkodzi driver pinu. Przełączenie tranzystora to
    wydatek pewnej energii w pewnym czasie, moc w impulsie może wyjść
    niefajna. Drugi minus to mała rezystancja w obwodzie bramki, a
    wyłączenie (z pominięciem rezonansowych układów sterowania) polega
    na tym, że energia zgromadzona w bramce musi się gdzieś rozproszyć.
    Idealnym drutem idealnego kondensatora nie rozładujesz, a zarówno
    MOSFETy jak i ich sterowniki są całkiem blisko tego ideału. No
    więc wyłączanie zaczynasz od naładowanego kondensatora po prawej
    i jego zwarcia indukcyjnością po lewej, czyli od rezonatora
    ćwierćfalowego... Zanim się energia wytraci, to sobie będzie
    oscylować w obie strony, zwiększając EMI, RFI, a w skrajnych przypadkach
    spowoduje wielokrotne włączenie i wyłączenie tranzystora, jeśli
    oscylacje będą silne akurat w okolicach V_Th. Ale do tego potrzeba
    silnego drivera, pin mikrokontrolera sam w sobie jest niezłym rezystorem.

    Trzeci plus: jak Ci przebije MOSFET, to prąd drenu nie popłynie
    sobie wesoło przez bramkę wprost do struktury sterownika, tylko
    zostanie ograniczony do wartości wynikającej z prawa Ohma i jest szansa,
    że się zniszczenia na tym skończą. Dla tego ja rezystory daję.

    Pozdrawiam, Piotr


  • 6. Data: 2018-02-24 11:14:30
    Temat: Re: Opornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
    Od: Bombardier Dąs vel Karbonylek <b...@g...com>

    użytkownik Pszemol napisał:
    > Wyobraźcie sobie że sterujecie tranzystorem MOSFET
    > małej mocy

    Bezpośrednio. Sam tranzystor wyjściowy w uC konkretnie atmega
    ma ok. 18-22 om w czasie załączenia.


  • 7. Data: 2018-02-24 11:18:29
    Temat: Re: Opornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
    Od: Piotr Wyderski <p...@n...mil>

    Grzegorz Kurczyk wrote:

    > Zależy to od MOSFET-a, a w szczególności od jego pojemności
    > bramka-źródło. Niektóre tranzystory potrafią mieć kilka nF.

    Rzekłbym, że bywają takie, które potrafią *nie mieć* na bramce kilku
    nanofaradów. Głównie z azotku galu i węglika krzemu oraz drobnica
    z kategorii 2N7002. ;-)

    > Wyjście uC raczej nie lubi takich pojemnościowych obciążeń.

    Przy czym to nie jest sprawa pojemnościowego charakteru obciążania, tylko
    prądu w impulsie i jego czasu trwania. Jak wystarczy do rozgrzania
    tranzystorów sterownika powyżej temperatury dopuszczalnej lub nawet
    do stopienia metalizacji, to po zawodach.

    > Przy małych częstotliwościach przełączania rezystor jest teoretycznie
    > niepotrzebny

    Jest potrzebny przy każdej częstotliwości przełączania. Tylko czasami
    nie musi być zrealizowany fizycznie, bo pasożytnicza rezystancja bramki
    może być w zupełności wystarczająca.

    Pozdrawiam, Piotr


  • 8. Data: 2018-02-24 13:20:46
    Temat: Re: Opornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
    Od: Piotr Gałka <p...@c...pl>

    W dniu 2018-02-24 o 11:18, Piotr Wyderski pisze:

    >> Zależy to od MOSFET-a, a w szczególności od jego pojemności
    >> bramka-źródło. Niektóre tranzystory potrafią mieć kilka nF.
    >
    > Rzekłbym, że bywają takie, które potrafią *nie mieć* na bramce kilku
    > nanofaradów. Głównie z azotku galu i węglika krzemu oraz drobnica
    > z kategorii 2N7002. ;-)

    Przypomnę początek pytania:
    "Wyobraźcie sobie że sterujecie tranzystorem MOSFET
    małej mocy"

    > Przy czym to nie jest sprawa pojemnościowego charakteru obciążania, tylko
    > prądu w impulsie i jego czasu trwania. Jak wystarczy do rozgrzania
    > tranzystorów sterownika powyżej temperatury dopuszczalnej lub nawet
    > do stopienia metalizacji, to po zawodach.

    Dalej było o sterowaniu z mikroprocesora a więc nie ze specjalnego
    sterownika. Wyjścia mikroprocesorów rzadko mają jakieś niesamowite
    wydajności i często są odporne na zwarcie do masy.

    > Jest potrzebny przy każdej częstotliwości przełączania. Tylko czasami
    > nie musi być zrealizowany fizycznie, bo pasożytnicza rezystancja bramki
    > może być w zupełności wystarczająca.

    Rezystancja bramki jest chyba typowo mniejsza od rezystancji wyjścia
    mikroprocesora i to raczej to ograniczy.
    P.G.


  • 9. Data: 2018-02-24 15:25:59
    Temat: Re: Opornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
    Od: Piotr Wyderski <p...@n...mil>

    Piotr Gałka wrote:

    > Przypomnę początek pytania:
    > "Wyobraźcie sobie że sterujecie tranzystorem MOSFET
    > małej mocy"

    Nie zauważyłem. To nie powinno być większego problemu.

    > Dalej było o sterowaniu z mikroprocesora a więc nie ze specjalnego
    > sterownika. Wyjścia mikroprocesorów rzadko mają jakieś niesamowite
    > wydajności i często są odporne na zwarcie do masy.

    Nie spotkałem takich o gwarantowanej odporności zwarciowej.

    Pozdrawiam, Piotr


  • 10. Data: 2018-02-24 15:50:50
    Temat: Re: Opornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
    Od: Piotr Gałka <p...@c...pl>

    W dniu 2018-02-24 o 15:25, Piotr Wyderski pisze:
    >> i często są odporne na zwarcie do masy.
    >
    > Nie spotkałem takich o gwarantowanej odporności zwarciowej.

    Miałem na myśli praktycznie, a nie gwarantowane.
    Wydajność "source" jest (chyba zawsze) słabsza od wydajności "sink"

    Spojrzałem do typowych ch-k ATXmega A4U bo te używamy.
    Przy zasilaniu 3V3 przy zwarciu pina do GND popłynie około 32mA, a przy
    zasilaniu 3V popłynie trochę ponad 26mA.
    To przy temperaturze 25st. Jak się zacznie tym nagrzewać to prąd spada.
    W absolute maximum ratings jest podany prąd max pinu 25mA.

    Czyli jesteśmy na granicy - według mnie wytrzyma wieczyste zwarcie
    jednego pinu do GND, a już na pewno przeładowanie kilku nF pojemności
    bramki tranzystora.
    3V3 x 32mA to jest 105mW - nie jest to jakieś potężne uderzenie mocy.
    Tyle bez problemu w sposób ciągły wytrzymuje obudowa SOT-23.

    Podobnie chyba jest jak się obejrzy ch-ki wyjściowe scalaków serii HC.

    Wcale nie postuluję aby nie wstawiać opornika, chodziło mi tylko o to,
    że w zasadzie nie ma konieczności.
    P.G.





strony : [ 1 ] . 2 ... 4


Szukaj w grupach

Szukaj w grupach

Eksperci egospodarka.pl

1 1 1

Wpisz nazwę miasta, dla którego chcesz znaleźć jednostkę ZUS.

Wzory dokumentów

Bezpłatne wzory dokumentów i formularzy.
Wyszukaj i pobierz za darmo: