-
11. Data: 2018-02-24 15:53:54
Temat: Re: Opornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
Od: Bombardier Dąs vel Karbonylek <b...@g...com>
użytkownik Piotr Wyderski napisał:
> Nie spotkałem takich o gwarantowanej odporności zwarciowej.
Mniejsza o odporność, weź na logikę. Mosfety małej mocy mają kilka/naście
pF na bramce. Kondensator przy rezonatorze ma 2x większą pojemność i
jest popędzany kHz-MHz. Z ciekawości kiedyś obciążyłem wyjście generatora
w uC, zatrzymał się gdzieś przy 70-90pF przy f=20MHZ.
-
12. Data: 2018-02-24 18:17:06
Temat: Re: Opornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
Od: Zbych <a...@o...pl>
W dniu 24.02.2018 o 02:18, Pszemol pisze:
> Wyobraźcie sobie że sterujecie tranzystorem MOSFET
> małej mocy w celu włączenia/wyłączenia termistora
> do układu pomiarowego, czyli taki rodzaj multipleksera...
>
> Wyjście układu sterującego, najczęściej mikroprocesora,
> podłączacie do bramki tranzystora przez rezystor czy
> bezpośrednio? Jakie plusy/minusy obu rozwiązań?
>
To zależy. Jak sygnały mierzone są małe a na szynie zasilającej uC
siedzą inne układy szarpiące impulsowo zasilanie, to taki rezystor +
kondensator do masy może ci pozwolić na stłumienie śmieci przenikających
z części cyfrowej do analogowej. Dodatkowo jeśli przewody od termistora
wychodzą na zewnątrz urządzenia to musisz się liczyć z ESD, a taki
rezystor pozwoli ci ograniczyć prąd maksymalny i szybkość narastania
impulsu.
-
13. Data: 2018-02-24 18:22:57
Temat: Re: Opornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
Od: Zbych <a...@o...pl>
W dniu 24.02.2018 o 15:50, Piotr Gałka pisze:
> W dniu 2018-02-24 o 15:25, Piotr Wyderski pisze:
>>> i często są odporne na zwarcie do masy.
>>
>> Nie spotkałem takich o gwarantowanej odporności zwarciowej.
>
> Miałem na myśli praktycznie, a nie gwarantowane.
> Wydajność "source" jest (chyba zawsze) słabsza od wydajności "sink"
>
> Spojrzałem do typowych ch-k ATXmega A4U bo te używamy.
> Przy zasilaniu 3V3 przy zwarciu pina do GND popłynie około 32mA, a przy
> zasilaniu 3V popłynie trochę ponad 26mA.
> To przy temperaturze 25st. Jak się zacznie tym nagrzewać to prąd spada.
> W absolute maximum ratings jest podany prąd max pinu 25mA.
>
> Czyli jesteśmy na granicy - według mnie wytrzyma wieczyste zwarcie
> jednego pinu do GND, a już na pewno przeładowanie kilku nF pojemności
> bramki tranzystora.
> 3V3 x 32mA to jest 105mW - nie jest to jakieś potężne uderzenie mocy.
> Tyle bez problemu w sposób ciągły wytrzymuje obudowa SOT-23.
>
> Podobnie chyba jest jak się obejrzy ch-ki wyjściowe scalaków serii HC.
>
> Wcale nie postuluję aby nie wstawiać opornika, chodziło mi tylko o to,
> że w zasadzie nie ma konieczności.
Kumpel kiedyś chciał wygładzić trochę przebieg z pinu ATMegi128 a że nie
chciało mu się ciąć ścieżki żeby wlutować szeregowy rezystor to
przylutował tylko kondensator 100nF między pin a masę. Pin po kilku
dniach ciągłej pracy zaniemógł. Było to naście lat temu, więc pewnie uC
był wykonany w innym procesie technologicznym niż obecnie produkowane.
-
14. Data: 2018-02-24 20:03:54
Temat: Re: Opornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
Od: Jakub Rakus <s...@o...pl>
W dniu 24.02.2018 o 11:00, Piotr Wyderski pisze:
> Trzeci plus: jak Ci przebije MOSFET, to prąd drenu nie popłynie
> sobie __wesoło__ przez bramkę wprost do struktury sterownika
Właśnie sobie wyobraziłem stado elektronów każdy z szyderczym uśmiechem
pędzących w stronę mikrokontrolera.
--
Pozdrawiam
Jakub Rakus
-
15. Data: 2018-02-24 23:23:23
Temat: Re: Opornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
Od: Jarosław Sokołowski <j...@l...waw.pl>
Pan Jakub Rakus napisał:
>> Trzeci plus: jak Ci przebije MOSFET, to prąd drenu nie popłynie
>> sobie __wesoło__ przez bramkę wprost do struktury sterownika
>
> Właśnie sobie wyobraziłem stado elektronów każdy z szyderczym
> uśmiechem pędzących w stronę mikrokontrolera.
Właściwie jeszcze mam i to
Że wiem dokładnie co jest co
Materię czuję tak jak pies
Bez szkiełka widzę co w niej jest
Bez mikroskopu widzę atomy
Nawet elektron co mknie jak szalony
Widzę prąd, co po drucie gdzieś płynie
Widzę co robią wirusy, tfu, świnie.
--
Jarek
-
16. Data: 2018-02-25 00:34:59
Temat: Re: Opornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
Od: BaSk <piszcie.sobie.n@berdyczow>
W dniu 2018-02-24 o 23:23, Jarosław Sokołowski pisze:
> Właściwie jeszcze mam i to
> Że wiem dokładnie co jest co
> Materię czuję tak jak pies
> Bez szkiełka widzę co w niej jest
>
> Bez mikroskopu widzę atomy
> Nawet elektron co mknie jak szalony
> Widzę prąd, co po drucie gdzieś płynie
> Widzę co robią wirusy, tfu, świnie.
>
Aaa, a ja myślałem, że tylko ja tak mam!
--
Powiedzenie oddające ducha Ameryki:
"Cokolwiek robisz
- rób to dobrze!"
-
17. Data: 2018-02-25 20:49:03
Temat: Re: Opornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
Od: Marek <f...@f...com>
On Sat, 24 Feb 2018 23:23:23 +0100, Jarosław
Sokołowski<j...@l...waw.pl> wrote:
> Bez mikroskopu widzę atomy
Bleh,
http://www.newsweek.com/atoms-photography-prize-8064
19
--
Marek
-
18. Data: 2018-02-26 09:33:02
Temat: Re: Opornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
Od: Piotr Gałka <p...@c...pl>
W dniu 2018-02-24 o 18:22, Zbych pisze:
>
> Kumpel kiedyś chciał wygładzić trochę przebieg z pinu ATMegi128 a że nie
> chciało mu się ciąć ścieżki żeby wlutować szeregowy rezystor to
> przylutował tylko kondensator 100nF między pin a masę. Pin po kilku
> dniach ciągłej pracy zaniemógł. Było to naście lat temu, więc pewnie uC
> był wykonany w innym procesie technologicznym niż obecnie produkowane.
>
OIDP wyjścia ATMegi miały względnie dużą wydajność (szczególnie sink).
Nie chce mi się szukać, ale nie wykluczałbym, że przy wysterowaniu na 0
to przy 20mA z góry napięcie na pinie nadal było ułamkiem Volta.
P.G.
-
19. Data: 2018-02-27 09:45:55
Temat: Re: Opornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
Od: "J.F." <j...@p...onet.pl>
Dnia Sat, 24 Feb 2018 06:53:54 -0800 (PST), Bombardier Dąs vel
Karbonylek napisał(a):
> użytkownik Piotr Wyderski napisał:
>> Nie spotkałem takich o gwarantowanej odporności zwarciowej.
>
> Mniejsza o odporność, weź na logikę. Mosfety małej mocy mają kilka/naście
> pF na bramce. Kondensator przy rezonatorze ma 2x większą pojemność i
> jest popędzany kHz-MHz. Z ciekawości kiedyś obciążyłem wyjście generatora
> w uC, zatrzymał się gdzieś przy 70-90pF przy f=20MHZ.
Ale tam moze byc specjalnie maly mosfecik, w odroznieniu od wyjsc.
mosfety dawno temu pradem nie grzeszyly, co im dawalo pewna odpornosc,
ale technologia poszla do przodu.
20mA to nie wydaje sie duzo, ale zagwarantowac cos nie chca.
J.
-
20. Data: 2018-02-27 19:01:25
Temat: Re: Opornik w bazie tranzystora MOSFET: plusy i minusy
Od: "Pszemol" <P...@P...com>
"Mario" <M...@...pl> wrote in message news:p6rcpn$8i5$1@dont-email.me...
> W dniu 24.02.2018 o 02:18, Pszemol pisze:
>> Wyobraźcie sobie że sterujecie tranzystorem MOSFET
>> małej mocy w celu włączenia/wyłączenia termistora
>> do układu pomiarowego, czyli taki rodzaj multipleksera...
>>
>> Wyjście układu sterującego, najczęściej mikroprocesora,
>> podłączacie do bramki tranzystora przez rezystor czy
>> bezpośrednio? Jakie plusy/minusy obu rozwiązań?
>
> Zaprojektuj podłączenie przez rezystor a w przypadku słabego nachylenia
> zbocza dasz taki z zerową wartością :)
Takie rozwiązanie ma same wady :-)
Między innymi płacisz za dm2 płytki i za komponent którego nie potrzebujesz
:-)
Podoba mi się obserwacja, że wyjścia push-pull procesora czy
nawet wyjścia takie z układów małej skali integracji (Tiny 3v3TTL)
nie mają tak czy inaczej zerowej oporności więc pełnią de facto
rolę szeregowego opornika w bramce tranzystora...
A więc ograniczają jakoś tam impulsy prądowe przeładowywania
bramki MOSFETa, które i tak nie są takie duże przy tranzystorach
małej mocy - w moim przypadku jest to 10-15pF.
Wygląda na to, że w moim zastosowaniu można spokojnie ten
opornik szeregowy wywalić i zapomnieć o nim :-)