Czy Szanowni Czytelnicy wiedza dlaczego dla diody schottky nie jest podawany
parametr trr (czas przelaczenia diody) ktory jest podawany dla diod szybkich
i ultraszybkich?
Ktora z nich (UF czy schottky) szybciej odzyskuje wlasnosci zaporowe i jakie
to są czasy (rząd) dla diody schottky'ego?
Dlaczego pojemnosc złącza dla diod schottky jest wieksza niz dla diod
szybkich i czy bedzie ona odgrywala role lub miala jakis wplyw na dlugosc
czasu odzyskiwania wlasciwosci zaporowych diody podczas szybkiego
przelaczania?
Zapraszam do dyskusji.