Czesc,

w tranzystorze IXTT1N450HV odleglosc po powierzchni obudowy miedzy drenem a zrodlem
wynosi 5,6mm. Czy to aby nie za malo dla deklarowanego dopuszczalnego napiecia
UDSmax=4,5kV? Dla porownania STFW4N150: 5,4mm przy 1,5kV. Gdzie jest haczyk?

Pozdrawiam,
Maciek

do góry

Hello Fornes,

Wednesday, March 19, 2014, 10:27:13 AM, you wrote:

> w tranzystorze IXTT1N450HV odleglosc po powierzchni obudowy miedzy
> drenem a zrodlem wynosi 5,6mm. Czy to aby nie za malo dla
> deklarowanego dopuszczalnego napiecia UDSmax=4,5kV? Dla porownania
> STFW4N150: 5,4mm przy 1,5kV. Gdzie jest haczyk?

W tym, że te 4.5kV może teoretycznie wytrzymać struktura. Ja bym nie
odważył dać się więcej niż 2.8kV (500V/mm) i to w dobrych warunkach
(brak kurzu i wilgoci).

--
Best regards,
RoMan
Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)

do góry

W dniu 2014-03-19 10:47, RoMan Mandziejewicz pisze:
> Hello Fornes,
>
> Wednesday, March 19, 2014, 10:27:13 AM, you wrote:
>
>> w tranzystorze IXTT1N450HV odleglosc po powierzchni obudowy miedzy
>> drenem a zrodlem wynosi 5,6mm. Czy to aby nie za malo dla
>> deklarowanego dopuszczalnego napiecia UDSmax=4,5kV? Dla porownania
>> STFW4N150: 5,4mm przy 1,5kV. Gdzie jest haczyk?
>
> W tym, że te 4.5kV może teoretycznie wytrzymać struktura. Ja bym nie
> odważył dać się więcej niż 2.8kV (500V/mm) i to w dobrych warunkach
> (brak kurzu i wilgoci).
>
Odporność na kurz, wilgoć itp. można poprawić przez hermetyzację
(zalanie żywicą) czy pokrycie lakierem.

do góry

W dniu środa, 19 marca 2014 10:47:08 UTC+1 użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:
> Hello Fornes,
> W tym, że te 4.5kV może teoretycznie wytrzymać struktura. Ja bym nie
>
> odważył dać się więcej niż 2.8kV (500V/mm) i to w dobrych warunkach
>
> (brak kurzu i wilgoci).

Całość będę chciał polakierować właśnie dla lepszej izolacji ślizgowej.
Napięcie do 3,5kV, ale 4,5kV traktuje jako napięcie "obliczeniowe" izolacji.
Pomyślałem też, że może wyfrezowanie w płytce otworu odsłaniającego część padu
drenowego a następnie polakierowanie go już po zmontowaniu poprawi sytuację. Co o tym
myślicie?
Ciekawostka, tutaj:
http://ixapps.ixys.com/DataSheet/4500V_MOSFETs.pdf

producent tegoż tranzystora chwali się odległością 9,6mm dla obudowy TO-268HV, ale
jest to odległość między bramką za źródłem.

Maciek

>
>
>
> --
>
> Best regards,
>
> RoMan
>
> Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)

do góry