Użytkownik Górski Adam napisał:
> Witam,
>
> Jak rozponac przyczyne uszkodzenia MOSFET-a na podstawie uszkodzonego
> egzemplarza?
> Czy efekt przekroczenia np Ugs max bedzie inny od przekroczenia Uds max
> lub Id max ?

Przekroczenie Ugs najczęściej kończy się przebiciem izolacji bramki i
zwarciem (upływnością) bramka-źródło. Analogicznie przekroczenie Uds
kończy się często przebiciem źródło-dren. Przekroczenie Id zazwyczaj
doprowadza do cieplnego przeciążenia kanału i "upaleniu" półprzewodnika
lub połaczeń między strukturą a ażurem obudowy. Inna sprawa, że np.
początkowa przyczyna w postaci przekroczenia Uds spowoduje przebicie
(zwarcie) tranzystora i jeśli w obwodzie nie ma czegoś co ograniczy prąd
zwarciowy, to w konsekwencji nastąpi "upalenie" kanału.

Pozdrawiam
Grzegorz