Grzegorz Kurczyk pisze:
> Użytkownik Górski Adam napisał:
>> Witam,
>>
>> Jak rozponac przyczyne uszkodzenia MOSFET-a na podstawie uszkodzonego
>> egzemplarza?
>> Czy efekt przekroczenia np Ugs max bedzie inny od przekroczenia Uds
>> max lub Id max ?
>
> Przekroczenie Ugs najczęściej kończy się przebiciem izolacji bramki i
> zwarciem (upływnością) bramka-źródło. Analogicznie przekroczenie Uds
> kończy się często przebiciem źródło-dren. Przekroczenie Id zazwyczaj
> doprowadza do cieplnego przeciążenia kanału i "upaleniu" półprzewodnika
> lub połaczeń między strukturą a ażurem obudowy. Inna sprawa, że np.
> początkowa przyczyna w postaci przekroczenia Uds spowoduje przebicie
> (zwarcie) tranzystora i jeśli w obwodzie nie ma czegoś co ograniczy prąd
> zwarciowy, to w konsekwencji nastąpi "upalenie" kanału.


Tak , dokładnie tak. Chciałem się upewnić.

Adam