Witam,

Jak rozponac przyczyne uszkodzenia MOSFET-a na podstawie uszkodzonego
egzemplarza?
Czy efekt przekroczenia np Ugs max bedzie inny od przekroczenia Uds max
lub Id max ?
Na podstawie schematu nie da sie ustalic co moze byc przyczyna.
Mosfet pracuje jako klucz DC z praktycznie zerowa f.

Adam

do góry

Użytkownik Górski Adam napisał:
> Witam,
>
> Jak rozponac przyczyne uszkodzenia MOSFET-a na podstawie uszkodzonego
> egzemplarza?
> Czy efekt przekroczenia np Ugs max bedzie inny od przekroczenia Uds max
> lub Id max ?

Przekroczenie Ugs najczęściej kończy się przebiciem izolacji bramki i
zwarciem (upływnością) bramka-źródło. Analogicznie przekroczenie Uds
kończy się często przebiciem źródło-dren. Przekroczenie Id zazwyczaj
doprowadza do cieplnego przeciążenia kanału i "upaleniu" półprzewodnika
lub połaczeń między strukturą a ażurem obudowy. Inna sprawa, że np.
początkowa przyczyna w postaci przekroczenia Uds spowoduje przebicie
(zwarcie) tranzystora i jeśli w obwodzie nie ma czegoś co ograniczy prąd
zwarciowy, to w konsekwencji nastąpi "upalenie" kanału.

Pozdrawiam
Grzegorz

do góry

Grzegorz Kurczyk pisze:
> Użytkownik Górski Adam napisał:
>> Witam,
>>
>> Jak rozponac przyczyne uszkodzenia MOSFET-a na podstawie uszkodzonego
>> egzemplarza?
>> Czy efekt przekroczenia np Ugs max bedzie inny od przekroczenia Uds
>> max lub Id max ?
>
> Przekroczenie Ugs najczęściej kończy się przebiciem izolacji bramki i
> zwarciem (upływnością) bramka-źródło. Analogicznie przekroczenie Uds
> kończy się często przebiciem źródło-dren. Przekroczenie Id zazwyczaj
> doprowadza do cieplnego przeciążenia kanału i "upaleniu" półprzewodnika
> lub połaczeń między strukturą a ażurem obudowy. Inna sprawa, że np.
> początkowa przyczyna w postaci przekroczenia Uds spowoduje przebicie
> (zwarcie) tranzystora i jeśli w obwodzie nie ma czegoś co ograniczy prąd
> zwarciowy, to w konsekwencji nastąpi "upalenie" kanału.


Tak , dokładnie tak. Chciałem się upewnić.

Adam

do góry

Użytkownik "Grzegorz Kurczyk" <g...@a...control.slupsk.pl> napisał
w wiadomości news:go34ie$qvd$1@nemesis.news.neostrada.pl...

> Przekroczenie Id zazwyczaj
> doprowadza do cieplnego przeciążenia kanału i "upaleniu" półprzewodnika
> lub połaczeń między strukturą a ażurem obudowy. Inna sprawa, że np.
> początkowa przyczyna w postaci przekroczenia Uds spowoduje przebicie
> (zwarcie) tranzystora i jeśli w obwodzie nie ma czegoś co ograniczy prąd
> zwarciowy, to w konsekwencji nastąpi "upalenie" kanału.

Zwykle jednak coś ogranicza prąd zwarciowy i efektem jest miejscowe
stopienie struktury bez upalenia doprowadzeń. Tranzystor ma zwarte wszystko
ze wszystkim a przyczyn może być naprawdę wiele. Może być przekroczenie Uds,
za duży prąd obciążenia ale może być też wejście w pracę liniową przez
nieprawidłowe sterowanie (np. za małe Ugs), co również doprowadza do
uszkodzenia przez przegrzanie.

e.

do góry