-
11. Data: 2017-05-01 14:02:17
Temat: Re: Niskonapieciowy MOSFET z malym RdsON i niska uplywnoscia przy wylaczeniu
Od: Janusz <j...@o...pl>
W dniu 2017-04-30 o 04:39, Jacek Radzikowski pisze:
> On 04/29/17 15:02, Janusz wrote:
>> W dniu 2017-04-28 o 22:14, AlexY pisze:
>>> Pszemol pisze:
>>>> Szukam tranzystora dyskretnego który pełniłby rolę idealnego klucza:
>>>
>>> Praktycznie każdy sklep ma filtrowanie paramtrów.
>>>
>>>
>> Żarty sobie stroisz, znam 2 sklepy w Europie które mają filtrowanie w
>> miarę dobre, to tme i rs, farnel ma cześciowe, a reszta to szkoda pisać.
>
> Digikey ma niezłe filtry. Znajdź tam symbol części, a zamówić możesz w
> dowolnym innym sklepie w EU.
To nie jest prawda, digikey i mouser mają większy zasób elementów niż
europejskie sklepy i wielu elementów tutaj nie znajdziesz.
--
Pozdr
Janusz
-
12. Data: 2017-05-01 14:09:45
Temat: Re: Niskonapieciowy MOSFET z malym RdsON i niska uplywnoscia przy wylaczeniu
Od: Janusz <j...@o...pl>
W dniu 2017-04-28 o 14:42, Pszemol pisze:
> Szukam tranzystora dyskretnego który pełniłby rolę idealnego klucza:
>
> 1. niskie napięcie załączenia bramki (Vgs < 2V, najlepiej w okolicy 1V),
> sterowany będzie z wyjścia Q przerzutnika DFF zasilanego z Vcc=3V)
Słabo to widzę, nmosy potrzebują wyższych napięć, pozostają ci j-fety
ale mają dość spory rozrzut parametrów.
>
> 2. niska oporność w stanie załączenia (RdsON < 4ohm) będzie
> załączać termistor o oporności nominalnej 10kohm do ok 3V-GND.
> 2a. mały wpływ temperatury i napięcia na tą oporność...
>
> 3. niska upływność w stanie wyłączenia (Ids<100nA @ Vgs=0, Vds=3V)
> będzie wybierać jeden termistor z grupy kilkunastu połączonych
> równolegle więc chcę aby wpływ pozostałych, wyłączonych termistorów
> na ten włączony był jak najmniejszy
Ja bym to zrobił na procku, robisz sznurek po spi gdzie adresujesz i
odczytujesz wartość, przy dużej liczbie termistorów gwałtownie spadnie
Ci ilość przewodów, poza tym wpływ pojemności i upływności minimalny
a z czym miałbyś problem przy przesyle analogowym. SPI można wolniej
taktować aby zmniejszyć wpływ kabla na transmisję.
--
Pozdr
Janusz
-
13. Data: 2017-05-02 17:01:23
Temat: Re: Niskonapieciowy MOSFET z malym RdsON i niska uplywnoscia przy wylaczeniu
Od: Waldemar <w...@z...fu-berlin.de>
Am 28.04.2017 um 14:42 schrieb Pszemol:
> Szukam tranzystora dyskretnego który pełniłby rolę idealnego klucza:
>
> 1. niskie napięcie załączenia bramki (Vgs < 2V, najlepiej w okolicy 1V),
> sterowany będzie z wyjścia Q przerzutnika DFF zasilanego z Vcc=3V)
>
> 2. niska oporność w stanie załączenia (RdsON < 4ohm) będzie
> załączać termistor o oporności nominalnej 10kohm do ok 3V-GND.
> 2a. mały wpływ temperatury i napięcia na tą oporność...
>
> 3. niska upływność w stanie wyłączenia (Ids<100nA @ Vgs=0, Vds=3V)
> będzie wybierać jeden termistor z grupy kilkunastu połączonych
> równolegle więc chcę aby wpływ pozostałych, wyłączonych termistorów
> na ten włączony był jak najmniejszy
> 3a. mały wpływ temperatury i napięcia na tą niską upływność...
>
> 4. obudowa montaż powierzchniowy, SOT-23 lub jeszcze lepiej SC-70.
>
> 5. niska cena i duża dostępność :-))))
Do celów włącznikowych używam FDC3512, sterowanych z IO mikroprocesora
(Raspberry), znaczy 3.3V. Do moich celów wystarcza. Ale zobacz u
Fairchilda, oni mają też lepsze.
Waldek
-
14. Data: 2017-05-02 21:07:40
Temat: Re: Niskonapieciowy MOSFET z malym RdsON i niska uplywnoscia przy wylaczeniu
Od: Pszemol <P...@P...com>
Waldemar <w...@z...fu-berlin.de> wrote:
> Am 28.04.2017 um 14:42 schrieb Pszemol:
>> Szukam tranzystora dyskretnego który pełniłby rolę idealnego klucza:
>>
>> 1. niskie napięcie załączenia bramki (Vgs < 2V, najlepiej w okolicy 1V),
>> sterowany będzie z wyjścia Q przerzutnika DFF zasilanego z Vcc=3V)
>>
>> 2. niska oporność w stanie załączenia (RdsON < 4ohm) będzie
>> załączać termistor o oporności nominalnej 10kohm do ok 3V-GND.
>> 2a. mały wpływ temperatury i napięcia na tą oporność...
>>
>> 3. niska upływność w stanie wyłączenia (Ids<100nA @ Vgs=0, Vds=3V)
>> będzie wybierać jeden termistor z grupy kilkunastu połączonych
>> równolegle więc chcę aby wpływ pozostałych, wyłączonych termistorów
>> na ten włączony był jak najmniejszy
>> 3a. mały wpływ temperatury i napięcia na tą niską upływność...
>>
>> 4. obudowa montaż powierzchniowy, SOT-23 lub jeszcze lepiej SC-70.
>>
>> 5. niska cena i duża dostępność :-))))
>
> Do celów włącznikowych używam FDC3512, sterowanych z IO mikroprocesora
> (Raspberry), znaczy 3.3V. Do moich celów wystarcza. Ale zobacz u
> Fairchilda, oni mają też lepsze.
Dzięki, popatrzę jutro co to za stwor...
-
15. Data: 2017-05-04 20:02:41
Temat: Re: Niskonapieciowy MOSFET z malym RdsON i niska uplywnoscia przy wylaczeniu
Od: Pszemol <P...@P...com>
Waldemar <w...@z...fu-berlin.de> wrote:
> Am 28.04.2017 um 14:42 schrieb Pszemol:
>> Szukam tranzystora dyskretnego który pełniłby rolę idealnego klucza:
>>
>> 1. niskie napięcie załączenia bramki (Vgs < 2V, najlepiej w okolicy 1V),
>> sterowany będzie z wyjścia Q przerzutnika DFF zasilanego z Vcc=3V)
>>
>> 2. niska oporność w stanie załączenia (RdsON < 4ohm) będzie
>> załączać termistor o oporności nominalnej 10kohm do ok 3V-GND.
>> 2a. mały wpływ temperatury i napięcia na tą oporność...
>>
>> 3. niska upływność w stanie wyłączenia (Ids<100nA @ Vgs=0, Vds=3V)
>> będzie wybierać jeden termistor z grupy kilkunastu połączonych
>> równolegle więc chcę aby wpływ pozostałych, wyłączonych termistorów
>> na ten włączony był jak najmniejszy
>> 3a. mały wpływ temperatury i napięcia na tą niską upływność...
>>
>> 4. obudowa montaż powierzchniowy, SOT-23 lub jeszcze lepiej SC-70.
>>
>> 5. niska cena i duża dostępność :-))))
>
> Do celów włącznikowych używam FDC3512, sterowanych z IO mikroprocesora
> (Raspberry), znaczy 3.3V. Do moich celów wystarcza. Ale zobacz u
> Fairchilda, oni mają też lepsze.
Fairchild to teraz ON Semiconductors...
Zerknąłem właśnie do noty katalogowej tego tranzystora co proponujesz i
powiem Ci, że nie powinieneś tym tranzystorem sterować z procka zasilanego
3,3V
Zerknij na wymagane napięcie bramki, tabelka strona 3: Vgs typowo 2,4V, max
4V.
Co to oznacza? Ano ze przeważnie jak wyjmiesz tranzystor z paczki to mu
wystarczy te 3V jakie Ci da na wyjściu procek, ale trafić możesz na
tranzystor co będzie musiał mieć podane aż 4V aby się przełączyć, a tego Ci
już procek nie zapewni.