-
Path: news-archive.icm.edu.pl!news.icm.edu.pl!news.nask.pl!news.nask.org.pl!news.unit
0.net!eternal-september.org!feeder.eternal-september.org!news.eternal-september
.org!.POSTED!not-for-mail
From: Pszemol <P...@P...com>
Newsgroups: pl.misc.elektronika
Subject: Re: Niskonapieciowy MOSFET z malym RdsON i niska uplywnoscia przy wylaczeniu
Date: Thu, 4 May 2017 18:02:41 -0000 (UTC)
Organization: A noiseless patient Spider
Lines: 39
Message-ID: <oefqc0$nn$1@dont-email.me>
References: <odvd51$rfh$2@dont-email.me> <e...@m...uni-berlin.de>
Mime-Version: 1.0
Content-Type: text/plain; charset=UTF-8
Content-Transfer-Encoding: 8bit
Injection-Date: Thu, 4 May 2017 18:02:41 -0000 (UTC)
Injection-Info: mx02.eternal-september.org;
posting-host="9a74a57663d972a7553e767b10004ea0"; logging-data="759";
mail-complaints-to="a...@e...org";
posting-account="U2FsdGVkX19NQjfpQEVQ0EFJkTVQ0b2B"
User-Agent: NewsTap/5.2.6 (iPhone/iPod Touch)
Cancel-Lock: sha1:6fkJInWce2uNNgvP5VhFge0slSc= sha1:ALGhPIDPs3atfvKuUiomTbzXQuY=
Xref: news-archive.icm.edu.pl pl.misc.elektronika:717760
[ ukryj nagłówki ]Waldemar <w...@z...fu-berlin.de> wrote:
> Am 28.04.2017 um 14:42 schrieb Pszemol:
>> Szukam tranzystora dyskretnego który pełniłby rolę idealnego klucza:
>>
>> 1. niskie napięcie załączenia bramki (Vgs < 2V, najlepiej w okolicy 1V),
>> sterowany będzie z wyjścia Q przerzutnika DFF zasilanego z Vcc=3V)
>>
>> 2. niska oporność w stanie załączenia (RdsON < 4ohm) będzie
>> załączać termistor o oporności nominalnej 10kohm do ok 3V-GND.
>> 2a. mały wpływ temperatury i napięcia na tą oporność...
>>
>> 3. niska upływność w stanie wyłączenia (Ids<100nA @ Vgs=0, Vds=3V)
>> będzie wybierać jeden termistor z grupy kilkunastu połączonych
>> równolegle więc chcę aby wpływ pozostałych, wyłączonych termistorów
>> na ten włączony był jak najmniejszy
>> 3a. mały wpływ temperatury i napięcia na tą niską upływność...
>>
>> 4. obudowa montaż powierzchniowy, SOT-23 lub jeszcze lepiej SC-70.
>>
>> 5. niska cena i duża dostępność :-))))
>
> Do celów włącznikowych używam FDC3512, sterowanych z IO mikroprocesora
> (Raspberry), znaczy 3.3V. Do moich celów wystarcza. Ale zobacz u
> Fairchilda, oni mają też lepsze.
Fairchild to teraz ON Semiconductors...
Zerknąłem właśnie do noty katalogowej tego tranzystora co proponujesz i
powiem Ci, że nie powinieneś tym tranzystorem sterować z procka zasilanego
3,3V
Zerknij na wymagane napięcie bramki, tabelka strona 3: Vgs typowo 2,4V, max
4V.
Co to oznacza? Ano ze przeważnie jak wyjmiesz tranzystor z paczki to mu
wystarczy te 3V jakie Ci da na wyjściu procek, ale trafić możesz na
tranzystor co będzie musiał mieć podane aż 4V aby się przełączyć, a tego Ci
już procek nie zapewni.
Najnowsze wątki z tej grupy
- Koszyk okrągły, walec 3x AA, na duże paluszki R6
- Brak bolca ochronnego ładowarki oznacza pożar
- AMS spalony szybkim zasilaczem USB
- stalowe bezpieczniki
- Wyświtlacz ramki cyfrowej
- bateria na żądanie
- pradnica krokowa
- Nieustający podziw...
- Coś dusi.
- akumulator napięcie 12.0v
- Podłączenie DMA 8257 do 8085
- pozew za naprawę sprzętu na youtube
- gasik
- Zbieranie danych przez www
- reverse engineering i dodawanie elementów do istniejących zamkniętych produktów- legalne?
Najnowsze wątki
- 2025-01-27 OT musk
- 2025-01-27 Bydgoszcz => Specjalista ds. Sprzedaży (transport drogowy) <=
- 2025-01-27 Warszawa => Java Developer <=
- 2025-01-27 Warszawa => Data Engineer (Tech Lead) <=
- 2025-01-27 Warszawa => Programista Full Stack (.Net Core) <=
- 2025-01-27 Kto ma PRAWNĄ rację? poseł KO mec. R. Giertych v. mec. B. Lewandowski
- 2025-01-27 Gliwice => IT Expert (Network Systems area) <=
- 2025-01-27 Koszyk okrągły, walec 3x AA, na duże paluszki R6
- 2025-01-27 Warszawa => QA Engineer <=
- 2025-01-27 Warszawa => Analityk Biznesowo-Systemowy <=
- 2025-01-27 Mińsk Mazowiecki => Area Sales Manager OZE <=
- 2025-01-27 Bieruń => Team Lead / Tribe Lead FrontEnd <=
- 2025-01-27 Katowice => Regionalny Kierownik Sprzedaży (OZE) <=
- 2025-01-27 Kraków => User Experience Designer <=
- 2025-01-27 Kraków => iOS Developer (Swift experience) <=