-
1. Data: 2016-01-10 15:48:39
Temat: Komórka pamięci SRAM
Od: Ignacy <n...@s...ignacy>
Taka komórka to dwa inwertery naprzeciw siebie. Taki inwerter ma dwa
tranzystory, więc komórka to 4 tranzystory a jest 6. Natomiast cztery ma
układ z rezystorami, ale rezystory jest trudno uzyskać duże rezystancje
przy małych rozmiarach (czy mogły by być wykonywane z materiału o bardzo
dużej rezystancji?)
Czy te sześć tranzystorów jest na każdy bit, czy też jeśli mamy b bitów
to potrzeba 4*n+2 tranzystorów czy też 6*n ?
-
2. Data: 2016-01-10 21:45:06
Temat: Re: Komórka pamięci SRAM
Od: "J.F." <j...@p...onet.pl>
Dnia Sun, 10 Jan 2016 15:48:39 +0100, Ignacy napisał(a):
> Taka komórka to dwa inwertery naprzeciw siebie. Taki inwerter ma dwa
> tranzystory, więc komórka to 4 tranzystory a jest 6.
Jesli nie wiecej. Trzeba to przeciez zapisywac i odczytywac.
> Natomiast cztery ma
> układ z rezystorami, ale rezystory jest trudno uzyskać duże rezystancje
> przy małych rozmiarach (czy mogły by być wykonywane z materiału o bardzo
> dużej rezystancji?)
Ale nie mamy roznych materialow - mamy jeden krzem do dyspozycji.
> Czy te sześć tranzystorów jest na każdy bit, czy też jeśli mamy b bitów
> to potrzeba 4*n+2 tranzystorów czy też 6*n ?
To akurat na kazdy bit.
J.