eGospodarka.pl
eGospodarka.pl poleca

eGospodarka.plGrupypl.misc.elektronikaKomórka pamięci SRAMKomórka pamięci SRAM
  • Path: news-archive.icm.edu.pl!news.icm.edu.pl!newsfeed2.atman.pl!newsfeed.atman.pl!.P
    OSTED!not-for-mail
    From: Ignacy <n...@s...ignacy>
    Newsgroups: pl.misc.elektronika
    Subject: Komórka pamięci SRAM
    Date: Sun, 10 Jan 2016 15:48:39 +0100
    Organization: ATMAN - ATM S.A.
    Lines: 7
    Message-ID: <n6tqu6$hv1$1@node1.news.atman.pl>
    NNTP-Posting-Host: 91.239.205.105
    Mime-Version: 1.0
    Content-Type: text/plain; charset=utf-8; format=flowed
    Content-Transfer-Encoding: 8bit
    X-Trace: node1.news.atman.pl 1452437254 18401 91.239.205.105 (10 Jan 2016 14:47:34
    GMT)
    X-Complaints-To: u...@a...pl
    NNTP-Posting-Date: Sun, 10 Jan 2016 14:47:34 +0000 (UTC)
    User-Agent: Mozilla/5.0 (Windows NT 10.0; WOW64; rv:38.0) Gecko/20100101
    Thunderbird/38.5.1
    X-Mozilla-News-Host: news://news.atman.pl:119
    Xref: news-archive.icm.edu.pl pl.misc.elektronika:691837
    [ ukryj nagłówki ]

    Taka komórka to dwa inwertery naprzeciw siebie. Taki inwerter ma dwa
    tranzystory, więc komórka to 4 tranzystory a jest 6. Natomiast cztery ma
    układ z rezystorami, ale rezystory jest trudno uzyskać duże rezystancje
    przy małych rozmiarach (czy mogły by być wykonywane z materiału o bardzo
    dużej rezystancji?)
    Czy te sześć tranzystorów jest na każdy bit, czy też jeśli mamy b bitów
    to potrzeba 4*n+2 tranzystorów czy też 6*n ?

Podziel się

Poleć ten post znajomemu poleć

Wydrukuj ten post drukuj


Następne wpisy z tego wątku

  • 10.01.16 21:45 J.F.

Najnowsze wątki z tej grupy


Najnowsze wątki

Szukaj w grupach

Eksperci egospodarka.pl

1 1 1

Wpisz nazwę miasta, dla którego chcesz znaleźć jednostkę ZUS.

Wzory dokumentów

Bezpłatne wzory dokumentów i formularzy.
Wyszukaj i pobierz za darmo: