Technologia produkcji skomplikowana? Czy po prostu wciąż nowość
i muszą zarobić?

L.

do góry

W dniu 2020-12-11 o 11:20, Lisciasty pisze:
> Technologia produkcji skomplikowana? Czy po prostu wciąż nowość
> i muszą zarobić?
>
> L.
>

Może dlatego, że struktury wykonane z węglika krzemu są osadzone na
szafirze?
* Szafir - bardzo twardy minerał z gromady tlenków - niebieska odmiana
korundu. Jest minerałem rzadkim.

do góry

Użytkownik "t-1" napisał w wiadomości grup
dyskusyjnych:rqvhk8$1bhj$...@g...aioe.org...
W dniu 2020-12-11 o 11:20, Lisciasty pisze:
>> Technologia produkcji skomplikowana? Czy po prostu wciąż nowość
>> i muszą zarobić?
>
>Może dlatego, że struktury wykonane z węglika krzemu są osadzone na
>szafirze?
>* Szafir - bardzo twardy minerał z gromady tlenków - niebieska
>odmiana korundu. Jest minerałem rzadkim.

Jest robiony syntetycznie, a nie tam "rzadki"

J.

do góry

Lisciasty pisze:
> Technologia produkcji skomplikowana? Czy po prostu wciąż nowość
> i muszą zarobić?

Wiesz, klasyczne - budżetowe konstrukcje ich nie potrzebują. A
wyczynówka kosztuje tyle, że taki drobiazg nie stanowi problemu :)

Miłego.
Irek.N.

do góry

Lisciasty wrote:

> Technologia produkcji skomplikowana? Czy po prostu wciąż nowość
> i muszą zarobić?

Bo mogą. A podchodząc do pytania bardziej rzeczowo: drogie w porównaniu
z czym? Klasyczne MOSFETy krzemowe mają bardzo słabe parametry, a
krzemowe tranzystory w techologii superjunction są znacznie lepsze, ale
też są drogie. No i co to znaczy drogie? Tranzystor na 1700V i
rezystancji 0.75 oma kosztuje 17 złotych netto. Zaproponujesz tańszą
alternatywę opartą na krzemie?

Pozdrawiam, Piotr

do góry

Lisciasty wrote:

> Technologia produkcji skomplikowana? Czy po prostu wciąż nowość
> i muszą zarobić?

Jeszcze jedna uwaga: piszesz o półprzewodnikach, a nie tranzystorach,
więc trzeba jeszcze wspomnieć diody Schottky'ego z SiC. Dla nich nie ma
alternatywy dla napięć przebicia większych niż, powiedzmy, 200V, więc
tym bardziej kosztują, bo mogą.

Pozdrawiam, Piotr

do góry

niedziela, 13 grudnia 2020 o 23:57:50 UTC+1 Piotr Wyderski napisał(a):

> Bo mogą. A podchodząc do pytania bardziej rzeczowo: drogie w porównaniu
> z czym?

To było luźne pytanie, akurat oglądałem mostki prostownicze trójfazowe,
taki klasyczny kosztuje dajmy na to 200-300 zł, a taki na SiC 1000 dolców ;)
Stąd padło pytanie bo nie wiedziałem że takie coś w ogóle zrobili, ale doczytałem
i jest mniejsze i o wyższej sprawności, więc pewnie stąd się cenią.

L.

do góry

Lisciasty wrote:

> To było luźne pytanie, akurat oglądałem mostki prostownicze trójfazowe,
> taki klasyczny kosztuje dajmy na to 200-300 zł, a taki na SiC 1000 dolców ;)
> Stąd padło pytanie bo nie wiedziałem że takie coś w ogóle zrobili, ale doczytałem
> i jest mniejsze i o wyższej sprawności, więc pewnie stąd się cenią.

Węglik krzemu ma ok. dwunastokrotnie wyższą wartość natężenia pola
krytycznego (przebicia) niż krzem. Dzięki temu dla danego napięcia
przebicia płytka półprzewodnika może być proporcjonalnie cieńsza.
A skoro jest cienka, to odległość drenu od źródła jest mała, więc i
rezystancja kanału jest (absurdalnie) mała w porównaniu do tranzystora o
jednakowej powierzchni, jak krzemowy. Nie trzeba łączyć równolegle aż
tak wielkiej liczby komórek, by zmniejszyć rezystancję kanału do
rozsądnej wartości. Czyli dla założonej rezystancji powierzchnia jest
znacznie mniejsza. A jak tranzystor jest mały, to i pojemności
pasożytnicze ma małe i może znacznie szybciej przełączać. Mobilność
elektronów jest dwukrotnie większa niż w Si, więc tranzystor jest
jeszcze szybszy, niż wynika z samej geometrii.

Spadają straty przewodzenia, a dla ustalonej częstotliwości również
straty przełączania, bo tranzystor krócej spędza w obszarze liniowym.
Możesz więc mieć większą sprawność, większą częstotliwość przełączania
(miniaturyzacja) lub ich dowolną kombinację liniową. Ładunek Q_OSS jest
znacznie niższy niż w tranzystorach krzemowych, więc możesz stosować
topologie, których z krzemu się nie da zrobić, np. PFC w układzie totem
pole.

Jak pisze Irek: dla wyczynówki dopłata za SiC nie jest problemem, a
przemysł wpakował obłędną kasę w R&D i musi się odkuć. Badania kosztują,
podkłady nie są nawet w przybliżeniu tak duże, jak monokryształy
krzemowe, potrzeba też innych maszyn. To wybierasz, czy płacisz, czy
kombinujesz z technologiami tradycyjnymi... Ale odwrotu nie ma, a
badania zaczynają przynosić owoce. Udało się ostatnio np. zwiększyć
V_TH, więc potrzeba stosowania ujemnego napięcia bramkowego jest
rzadsza, albo znika zupełnie. To upraszcza drivery -- koszt systemu
spada, niezawodność rośnie, więc popyt na SiC rośnie, co obniża cenę i
tak w kółko...

A elementy WBG potrafią być szybkie. Kilka tygodni temu pokazywałem, jak
się azotkiem galu przełącza kilka amperów w nanosekundę.

Pozdrawiam, Piotr

do góry