eGospodarka.pl
eGospodarka.pl poleca

eGospodarka.plGrupypl.misc.elektronikaCreepage w mosfecie 4,5kVCreepage w mosfecie 4,5kV
  • Data: 2014-03-19 10:27:13
    Temat: Creepage w mosfecie 4,5kV
    Od: f...@i...pl szukaj wiadomości tego autora
    [ pokaż wszystkie nagłówki ]

    Czesc,

    w tranzystorze IXTT1N450HV odleglosc po powierzchni obudowy miedzy drenem a zrodlem
    wynosi 5,6mm. Czy to aby nie za malo dla deklarowanego dopuszczalnego napiecia
    UDSmax=4,5kV? Dla porownania STFW4N150: 5,4mm przy 1,5kV. Gdzie jest haczyk?

    Pozdrawiam,
    Maciek

Podziel się

Poleć ten post znajomemu poleć

Wydrukuj ten post drukuj


Następne wpisy z tego wątku

Najnowsze wątki z tej grupy


Najnowsze wątki

Szukaj w grupach

Eksperci egospodarka.pl

1 1 1

Wpisz nazwę miasta, dla którego chcesz znaleźć jednostkę ZUS.

Wzory dokumentów

Bezpłatne wzory dokumentów i formularzy.
Wyszukaj i pobierz za darmo: