-
Data: 2014-03-19 10:27:13
Temat: Creepage w mosfecie 4,5kV
Od: f...@i...pl szukaj wiadomości tego autora
[ pokaż wszystkie nagłówki ]Czesc,
w tranzystorze IXTT1N450HV odleglosc po powierzchni obudowy miedzy drenem a zrodlem
wynosi 5,6mm. Czy to aby nie za malo dla deklarowanego dopuszczalnego napiecia
UDSmax=4,5kV? Dla porownania STFW4N150: 5,4mm przy 1,5kV. Gdzie jest haczyk?
Pozdrawiam,
Maciek
Następne wpisy z tego wątku
- 19.03.14 10:47 RoMan Mandziejewicz
- 19.03.14 11:03 Stasiek_T
- 19.03.14 11:21 f...@i...pl
Najnowsze wątki z tej grupy
- pradnica krokowa
- Nieustający podziw...
- Coś dusi.
- akumulator napięcie 12.0v
- Podłączenie DMA 8257 do 8085
- pozew za naprawę sprzętu na youtube
- gasik
- Zbieranie danych przez www
- reverse engineering i dodawanie elementów do istniejących zamkniętych produktów- legalne?
- Problem z odczytem karty CF
- 74F vs 74HCT
- Newag ciąg dalszy
- Digikey, SN74CBT3253CD, FST3253, ktoś ma?
- Szukam: czujnik ruchu z możliwością zaączenia na stałe
- kabelek - kynar ?
Najnowsze wątki
- 2025-01-17 Warszawa => Inżynier oprogramowania .Net <=
- 2025-01-17 Natalia z Andrychowa
- 2025-01-17 Gliwice => Business Development Manager - Dział Sieci i Bezpieczeńst
- 2025-01-17 Warszawa => System Architect (Java background) <=
- 2025-01-17 Warszawa => Full Stack .Net Engineer <=
- 2025-01-17 Gliwice => IT Expert (Network Systems area) <=
- 2025-01-17 Lublin => Programista Delphi <=
- 2025-01-17 Warszawa => Developer .NET (mid) <=
- 2025-01-17 Ostrów Wielkopolski => Konsultant Wdrożeniowy Comarch XL/Optima (Ksi
- 2025-01-17 Katowice => Senior Field Sales (system ERP) <=
- 2025-01-17 Wróblewo => Analityk finansowy <=
- 2025-01-17 Żerniki => Specjalista ds. Employer Brandingu <=
- 2025-01-17 pradnica krokowa
- 2025-01-17 Warszawa => International Freight Forwarder <=
- 2025-01-17 Warszawa => Helpdesk Specialist <=