On Mon, 14 Sep 2015 12:08:30 +0200, Piotr
Gałka<p...@c...pl> wrote:
> Skąd Ci się wzięło to 0,6V?

Katalogowe Vce(Sat) max. Z drugiej strony Rds(on) rzędu miliomów jest
osiągalne dla MOSFET-ów. Z trzeciej strony BS170 ma całe 5 omów.

do góry

Użytkownik "slawek" <f...@f...com> napisał w wiadomości
news:almarsoft.5794096525199293345@news.v.pl...
> On Mon, 14 Sep 2015 12:08:30 +0200, Piotr
> Gałka<p...@c...pl> wrote:
>> Skąd Ci się wzięło to 0,6V?
>
> Katalogowe Vce(Sat) max.

Głowy nie dam, ale wydaje mi się, że definicją pracy w nasyceniu jest
Vce<=Vbe. Vbe oczywiście jest rzędu 0,6...0,7V. Jak tranzystor jest
wysterowany jakimś prądem bazy i stopniowo zwiększamy mu prąd kolektora to
Vce stopniowo rośnie i cały czas się nazywa Vce(Sat) aż do momentu, gdy
przekroczy Vbe. Czyli maksymalną wartością Vce(Sat) jest Vbe.

Przy Ic/Ib=20 i dla Ic rzędu 10..50mA nie spodziewałbym się większego Vce
niż 0,15...0,2V. Jako klucze stosowało się kiedyś tranzystory w układzie
inwersyjnym (kolektor zamieniony z emiterem). Wtedy daje się osiągnąć spadki
napięcia rzędu pojedynczych mV, ale dotyczy to mniejszych prądów kolektora
(emiter pełni funkcję kolektora) i wysterowania bazy prądem większym od
prądu kolektora.

> Z drugiej strony Rds(on) rzędu miliomów jest osiągalne dla MOSFET-ów. Z
> trzeciej strony BS170 ma całe 5 omów.

Albo rybka, albo akwarium. Albo znikome prądy upływu, albo znikome Rds.
Prawie na pewno prądy upływu będą Cię bardziej interesowały. Nie mam pojęcia
jak to jest w praktyce. Karty katalogowe mogą podawać wartości max bardzo
asekuracyjnie. Porób sobie eksperymenty. Nie wiem, czy rozrzuty między
sztukami (np. z różnych serii) nie są duże. Jakbym miał mierzyć, domowym
sposobem, znikome prądy to pewnie bym kombinował z dużym rezystorem +
wtórnik na wzmacniaczu FET, albo z układem całkującym też na FET. Pamiętając
o tym tranzystorze co ktoś tu podał warto pomiary zrobić też po podgrzaniu
układu (nie wiadomo, czy w czasie pracy nie znajdzie się w ciepłym
środowisku (np. czarna obudowa na słońcu)).
P.G.

do góry