Re: Przeci??alno?? MOSFET?w i triak?w - Grupy dyskusyjne w eGospodarka.pl

eGospodarka.pl › Grupy › pl.misc.elektronika › Przeciążalność MOSFETów i triaków › Re: Przeci??alno?? MOSFET?w i triak?w

X-Received: by 10.31.178.146 with SMTP id b140mr361658vkf.24.1507154994984; Wed, 04
Oct 2017 15:09:54 -0700 (PDT)
X-Received: by 10.31.178.146 with SMTP id b140mr361658vkf.24.1507154994984; Wed, 04
Oct 2017 15:09:54 -0700 (PDT)
Path: news-archive.icm.edu.pl!news.icm.edu.pl!news.nask.pl!news.nask.org.pl!news.unit
0.net!weretis.net!feeder6.news.weretis.net!feeder.usenetexpress.com!feeder-in1.
iad1.usenetexpress.com!border1.nntp.dca1.giganews.com!nntp.giganews.com!6no7777
19qtw.1!news-out.google.com!s12ni850qtk.1!nntp.google.com!d13no958795qta.0!post
news.google.com!glegroupsg2000goo.googlegroups.com!not-for-mail
Newsgroups: pl.misc.elektronika
Date: Wed, 4 Oct 2017 15:09:54 -0700 (PDT)
In-Reply-To: <or2rlo$io0$1@z-news.wcss.wroc.pl>
Complaints-To: g...@g...com
Injection-Info: glegroupsg2000goo.googlegroups.com; posting-host=80.238.112.56;
posting-account=kL56WQoAAACx1jhY38OjwPLQkxvjL6Jk
NNTP-Posting-Host: 80.238.112.56
References: <oqvnmi$ali$1@node1.news.atman.pl> <or2rlo$io0$1@z-news.wcss.wroc.pl>
User-Agent: G2/1.0
MIME-Version: 1.0
Message-ID: <d...@g...com>
Subject: Re: Przeci??alno?? MOSFET?w i triak?w
From: b...@g...com
Injection-Date: Wed, 04 Oct 2017 22:09:55 +0000
Content-Type: text/plain; charset="UTF-8"
Content-Transfer-Encoding: quoted-printable
Lines: 52
Xref: news-archive.icm.edu.pl pl.misc.elektronika:724466
[ ukryj nagłówki ]
W dniu środa, 4 października 2017 16:36:41 UTC+2 użytkownik a...@m...uni.wroc.pl
napisał:
> Piotr Wyderski <p...@n...mil> wrote:
> > Mo?e ma?o naukowa metoda, ale zrobienie zwarcia sieci
> > przez MOSFET w obudowie TO-220 w wi?kszo?ci przypadk?w
> > ko?czy si? jego ?mierci?, a na fizycznie podobnym triaku
> > nie robi wi?kszego wra?enia. To kawa?ek krzemu i to
> > kawa?ek krzemu, wielko?ciowo podobne, parametry obci??alno?ci
> > ci?g?ej te? podobne. To sk?d taka r??nica we wra?liwo?ci?
> > Co ciekawe, ju? w datasheetach SOAR MOSFET?w dla udar?w
> > pr?dowych jest okre?lony dla bardzo kr?tkich czas?w (mikrosekundy),
> > a w triakowych mierz? w p??cyklach sinusiody sieciowej (N*10ms).
> > Przyczyna musi byc wi?c fundamentalna.
>
> Nie trzeba duzo kombinowac: wg. datasheeta BTA16 przy 150A
> spadek napiecia na triaku jest rzedu 4.5V (zakladajac ze
> zdazyl sie podgrzac do maksymalnej temperatury). Nie ma
> danych dla wiekszych pradow, ale rozsadnie jest zakladac
> ze zachowanie nie jest duzo gorsze dla wiekszych pradow.
>
> Dla SPP20N60C3 przy napieciu bramki 20V dla pradu rzedu 80A
> mamy spadek napiecia rzedu 25V. To w temperaturze pokojowej.
> Jak sie podgrzeje to ten spadek napiecia jest juz przy kolo 40A.
> Charakterystyki dla mniejszych napiec bramki pokazuja ze MOSFET
> sie nasyca, powyzej pradu nasycenia spadek napiecia szybko wzrasta.
> Czyli przy przy wiekszych pradach jest gorzej.
>
> Teraz, jesli siec ograniczala prad np. do 200A to wiekszosc
> strat mocy byla w sieci a grzenie triaka bylo ograniczone.
> Grzanie MOSFET-a bylo pewnie 5 razy wieksze, a jesli sie
> nasycil to moglo byc duzo gorzej. TO220 ma wystarczajaca
> pojemnosc cieplna by triak przezyl przy impulsie 150A przez
> okres sieci. Przy 5 razy wiekszej energii strat raczej by
> padl -- jak MOSFET dostaje 5 razy wieksza energia niz
> triak to nic dziwnego ze pada.

Z ciekawości popatrzyłem na łączenia wewnętrzne, triak ma
zdecydowanie lepsze łączenia od mosfeta, praktycznie ciągłe
grube miedziane łączenie aż do krzemu. Mosfet ma bonding który
łączy się z metalizacją i to cienką.

triak
https://www.gideonlabs.com/wp-content/uploads/2012/1
1/triac2.jpg

mosfet
https://www.gideonlabs.com/wp-content/uploads/2012/1
1/mosfet2.jpg

W razie przeciążenia widać na obrazkach co pochłonie więcej ciepła.