W projekcie pewnego układu z rozpędu zastosowałem P-MOSFET typu BSS84.
Dopiero po fakcie zorientowałem się, że ma on w swojej strukturze diodę
zabezpieczającą. W tym wypadku może być to problemem, bo tranzystor
znajduje się pomiędzy linią zasilania 5V i linią VBUS gniazdka micro
USB. Jest kluczowany przez osobną linię VBUSON. Interfejs USB ma
pracować w trybie OTG.

Zadaniem tranzystora jest dbanie, aby:
1) Na gniazdku nie występowało napięcie 5V, gdy nic ne jest do niego
podłączone - tu nie ma problemu.
2) Na gniazdku pojawiało się napięcie, gdy zostanie podłączone
urządzenie - tu też wszystko jest ok.
3) Linia VBUS nie miała połączenia z zasilaniem, gdy interfejs pracuje w
trybie klienta i jest podłączony do zewnętrznego hosta - tutaj dioda
może łączyć te dwie linie.
Czy może to być wielkim problemem?

Istnieje jakiś tranzystor bez tej diody, aby w sytuacji opisanej w
punkcie 3 między liniami występowała wysoka rezystancja?

do góry

W dniu 03.01.2018 o 20:38, Atlantis pisze:
> W projekcie pewnego układu z rozpędu zastosowałem P-MOSFET typu BSS84.
> Dopiero po fakcie zorientowałem się, że ma on w swojej strukturze diodę
> zabezpieczającą.

Znaczy się chcesz mosfeta bez pasożytniczej diody? No to będzie trudno...

--
Pozdrawiam
Jakub Rakus

do góry

W dniu 03.01.2018 o 20:38, Atlantis pisze:

> Istnieje jakiś tranzystor bez tej diody

Nie. Po prostu połącz dwa P-MOSy szeregowo (źródłami lub drenami do
siebie), albo użyj specjalizowane układu do włączania zasilania. Takie
układy mają przy okazji sygnalizację/zabezpieczenie przed przeciążeniem
linii 5V.

do góry

Atlantis wrote:

> Istnieje jakiś tranzystor bez tej diody, aby w sytuacji opisanej w
> punkcie 3 między liniami występowała wysoka rezystancja?

Nie istnieje, bo ta "dioda" to jego nieusuwalny element
konstrukcyjny, a nie żaden dodatek. To jest efekt zwarcia
podłoża ze źródłem. *Bardzo rzadko* daje się znaleźć
MOSFETy czterokońcówkowe, z wyprowadzonym podłożem, gdzie
podłoże łączy się z punktem o najwyższym potencjale w układzie
i wtedy dioda "znika". Standard w układach scalonych, rzadkość
w elementach dyskretnych.

Pozdrawiam, Piotr

do góry

On 03.01.2018 21:29, Zbych wrote:

> albo użyj specjalizowane układu do włączania zasilania. Takie układy
> mają przy okazji sygnalizację/zabezpieczenie przed przeciążeniem
> linii 5V.

Pod jakim hasłem powinienem szukać w ofercie sklepów? Ewentualnie możesz
polecić jakiś konkretny model? Wiem, że są regulatory napięcia z pinem
EN, ale to mnie specjalnie w tej chwili nie ratuje.

do góry

On 2018-01-04 00:15, Piotr Wyderski wrote:
> Atlantis wrote:
>
>> Istnieje jakiś tranzystor bez tej diody, aby w sytuacji opisanej w
>> punkcie 3 między liniami występowała wysoka rezystancja?
>
> Nie istnieje, bo ta "dioda" to jego nieusuwalny element
> konstrukcyjny, a nie żaden dodatek. To jest efekt zwarcia
> podłoża ze źródłem. *Bardzo rzadko* daje się znaleźć
> MOSFETy czterokońcówkowe, z wyprowadzonym podłożem, gdzie
> podłoże łączy się z punktem o najwyższym potencjale w układzie
> i wtedy dioda "znika". Standard w układach scalonych, rzadkość
> w elementach dyskretnych.

takie?


https://alltransistors.com/pdfview.php?doc=smy50_smy
51_smy52_smy60_u105d.pdf&dire=_gdr


Włodek

do góry

On 03.01.2018 21:29, Zbych wrote:
> Nie. Po prostu połącz dwa P-MOSy szeregowo (źródłami lub drenami do siebie)

Nie jestem pewien, czy dobrze to interpretuję. MOSFET przewodzi tylko w
jedną stronę, więc przy takim połączeniu tylko jeden tranzystor będzie
przewodził, na drugiej połówce elementem przewodzącym będzie dioda.
Dobrze to rozumiem?
Bo w takim wypadku będę miał do czynienia ze spadkiem napięcia. Na dobrą
sprawę potrzebuję przepływu prądu tylko w jednym kierunku (od 5V
zasilania do VBUS), więc mógłbym tam wstawić diodę. Nie jestem jednak
pewien, czy nawet po zastosowaniu diody Schottky spadek nie będzie za
duży, żeby zasilić urządzenie USB (głównie PenDrive'a).

Jaki spadek napięcia występuje na tych diodach w strukturze MOSFET?
Standardowe 0,7V?

do góry

Hello Atlantis,

Thursday, January 4, 2018, 4:15:34 PM, you wrote:

> On 03.01.2018 21:29, Zbych wrote:
>> Nie. Po prostu połącz dwa P-MOSy szeregowo (źródłami lub drenami do siebie)

> Nie jestem pewien, czy dobrze to interpretuję. MOSFET przewodzi tylko w
> jedną stronę, więc przy takim połączeniu tylko jeden tranzystor będzie
> przewodził, na drugiej połówce elementem przewodzącym będzie dioda.
> Dobrze to rozumiem?

Źle. MOSFET przewodzi w obie strony i jest to dość powszechnie
wykorzystywane np. w prostownikach synchronicznych.

[...]

--
Best regards,
RoMan
Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)

do góry

W dniu 2018-01-04 o 16:15, Atlantis pisze:
> Nie jestem pewien, czy dobrze to interpretuję. MOSFET przewodzi tylko w
> jedną stronę,

MOSFET to w pewnym sensie rezystor sterowany potencjałem na odizolowanej
od niego bramce. I tak jak rezystor przewodzi w obie strony.

Jak źródła połączysz ze sobą i bramki ze sobą i wysterujesz bramki
względem źródeł aby włączyć to włączysz oba. Jak wysterujesz na
wyłączenie to wyłączysz oba i zostaną same diody pasożytnicze -
połączone szeregowo-przeciwsobnie.
P.G.

do góry

Włodzimierz Wojtiuk wrote:

> https://alltransistors.com/pdfview.php?doc=smy50_smy
51_smy52_smy60_u105d.pdf&dire=_gdr

Tak. Kiedyś znalazłem też MOSFET mocy z wyprowadzonym podłożem. Cały
jeden w ofercie kilku tysięcy modeli. Wyjątkowo egzotyczna rzecz, ale
warto mieć świadomość jego istnienia. Tak jak zubożonego MOSFETa P.

Pozdrawiam, Piotr

do góry