eGospodarka.pl
eGospodarka.pl poleca

eGospodarka.plGrupypl.misc.elektronikaNiskonapieciowy MOSFET z malym RdsON i niska uplywnoscia przy wylaczeniuRe: Niskonapieciowy MOSFET z malym RdsON i niska uplywnoscia przy wylaczeniu
  • Data: 2017-05-01 14:09:45
    Temat: Re: Niskonapieciowy MOSFET z malym RdsON i niska uplywnoscia przy wylaczeniu
    Od: Janusz <j...@o...pl> szukaj wiadomości tego autora
    [ pokaż wszystkie nagłówki ]

    W dniu 2017-04-28 o 14:42, Pszemol pisze:
    > Szukam tranzystora dyskretnego który pełniłby rolę idealnego klucza:
    >
    > 1. niskie napięcie załączenia bramki (Vgs < 2V, najlepiej w okolicy 1V),
    > sterowany będzie z wyjścia Q przerzutnika DFF zasilanego z Vcc=3V)
    Słabo to widzę, nmosy potrzebują wyższych napięć, pozostają ci j-fety
    ale mają dość spory rozrzut parametrów.

    >
    > 2. niska oporność w stanie załączenia (RdsON < 4ohm) będzie
    > załączać termistor o oporności nominalnej 10kohm do ok 3V-GND.
    > 2a. mały wpływ temperatury i napięcia na tą oporność...
    >
    > 3. niska upływność w stanie wyłączenia (Ids<100nA @ Vgs=0, Vds=3V)
    > będzie wybierać jeden termistor z grupy kilkunastu połączonych
    > równolegle więc chcę aby wpływ pozostałych, wyłączonych termistorów
    > na ten włączony był jak najmniejszy
    Ja bym to zrobił na procku, robisz sznurek po spi gdzie adresujesz i
    odczytujesz wartość, przy dużej liczbie termistorów gwałtownie spadnie
    Ci ilość przewodów, poza tym wpływ pojemności i upływności minimalny
    a z czym miałbyś problem przy przesyle analogowym. SPI można wolniej
    taktować aby zmniejszyć wpływ kabla na transmisję.


    --
    Pozdr
    Janusz

Podziel się

Poleć ten post znajomemu poleć

Wydrukuj ten post drukuj


Następne wpisy z tego wątku

Najnowsze wątki z tej grupy


Najnowsze wątki

Szukaj w grupach

Eksperci egospodarka.pl

1 1 1

Wpisz nazwę miasta, dla którego chcesz znaleźć jednostkę ZUS.

Wzory dokumentów

Bezpłatne wzory dokumentów i formularzy.
Wyszukaj i pobierz za darmo: