Hello Adam,

Tuesday, February 8, 2011, 3:21:26 PM, you wrote:

>>> Udało mi się w miarę ogarnąć moją przetwornicę z poprzedniego wątku, ale
>>> pojawiły się kolejne problemy.
>>> Zakłócenia wynikające z przełączania MOSFETa. O ile z zakłóceniami
>>> wynikającymi z wyłączania się Mosfeta poradzę sobie dając odpowiedni
>>> gasik RC o tyle z tymi pochodzącymi od włączania się tranzystora nie
>>> bardzo wiem jak.
>>> Mogę zmniejszyć prąd sterownika bramki i wydłużyć czas włączania , ale
>>> to chyba nie jest rozwiązanie odpowiednie bo zwiększy się Pd i Mosfet
>>> zejdzie.
>>> Czy jest jakieś inne rozwiązanie poza metalowym pudłem ? Jakieś idee ?
>> Przy tak dużych mocach i stosunkowo wysokich napięciach nie masz wyjścia
>> - odrobinę spowolnić i zapakować do pudła.
> Tego się właśnie obawiałem.
> Tu mam kolejne pytanie - jak powinien być dystans pomiędzy rdzeniem a
> innymi metalowymi częściami obudowy żeby nie było problemów ?

A to już zależy od warunków pracy i normy, jaką ma spełniać. Trzeba
szukać w normach :( Jeśli to nie ma być iskrobezpieczne (norma 60079),
a warunki wilgotności i zapylenia są normalne, to pojedyncze milimetry
załatwiają problem.

--
Best regards,
RoMan mailto:r...@p...pl
Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)

do góry

W dniu 2011-02-08 18:00, entroper pisze:
> Użytkownik "Adam Górski"<gorskiamalpa@wpkropkapl> napisał w wiadomości
> news:4d516f4f$0$2490$65785112@news.neostrada.pl...
>
>> No ale wszystkie diody mają skończony RR - A może się mylę ?
>> Możesz coś zasugerować ( jakiś typ, rodzinę )?
>
> Tam są OIDP duże napięcia, więc tylko SiC (jeśli są na takie prądy) albo
> current snubber do wygaszenia impulsu. Ale najpierw bym sprawdził, czy to
> rzeczywiście to :)
>
> e.
>

To może lepiej dać drugieg MOSFETA zamiast diody jeśli to rzeczywiście
czas RR robi problem ?

Adam

do góry

Użytkownik "Adam Górski" <gorskiamalpa@wpkropkapl> napisał w wiadomości
news:4d5179da$0$2454$65785112@news.neostrada.pl...

> To może lepiej dać drugieg MOSFETA zamiast diody jeśli to rzeczywiście
> czas RR robi problem ?

Noo, jak będziesz tym mosfetem sterował tak, żeby się idealnie przełączył
(ocierając się o cross-conduction), to nieco poprawisz sytuację, ale jeśli
dasz przewodzić choć przez chwilę mosfetowej diodzie, to nic się nie
polepszy. A ta dioda w mosfecie jest raczej gorsza od DSEP :)
Poza tym nadal nie upewniłeś się, że to dioda :)

e.

do góry

Hello Adam,

Tuesday, February 8, 2011, 6:14:02 PM, you wrote:

>>> No ale wszystkie diody mają skończony RR - A może się mylę ?
>>> Możesz coś zasugerować ( jakiś typ, rodzinę )?
>> Tam są OIDP duże napięcia, więc tylko SiC (jeśli są na takie prądy) albo
>> current snubber do wygaszenia impulsu. Ale najpierw bym sprawdził, czy to
>> rzeczywiście to :)
> To może lepiej dać drugieg MOSFETA zamiast diody jeśli to rzeczywiście
> czas RR robi problem ?

W strukturze MOSFETa też masz diodę... A problemem może być zbyt szybka
dioda a nie zbyt wolna.

--
Best regards,
RoMan mailto:r...@p...pl
Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)

do góry

On 08/02/2011 19:03, RoMan Mandziejewicz wrote:
> Hello Adam,
>
> Tuesday, February 8, 2011, 6:14:02 PM, you wrote:
>
>>>> No ale wszystkie diody mają skończony RR - A może się mylę ?
>>>> Możesz coś zasugerować ( jakiś typ, rodzinę )?
>>> Tam są OIDP duże napięcia, więc tylko SiC (jeśli są na takie prądy) albo
>>> current snubber do wygaszenia impulsu. Ale najpierw bym sprawdził, czy to
>>> rzeczywiście to :)
>> To może lepiej dać drugieg MOSFETA zamiast diody jeśli to rzeczywiście
>> czas RR robi problem ?
>
> W strukturze MOSFETa też masz diodę... A problemem może być zbyt szybka
> dioda a nie zbyt wolna.
>

1. Dobrze by miec soft recovery, jak reszta ukladu zniesie.
2. Odizolowac diode Mosfeta przy uzyciu SiC i wtedy mozesz se wsadzic co
chcesz jako free-wheeling diode.
3. Odizolowac (elektrycznie) mosfeta od radiatora i sie cieszyc ze juz
nie sieje (mozna jeszcze uziemic radiator, bo troche bedzie zbierac
pojemnosciowo przez przekladke izolacyjna).

W zasadzie punkt 3 powinien byc na pierwszym miejscu.


--
Jerry1111

do góry

>>
>>>>> No ale wszystkie diody mają skończony RR - A może się mylę ?
>>>>> Możesz coś zasugerować ( jakiś typ, rodzinę )?
>>>> Tam są OIDP duże napięcia, więc tylko SiC (jeśli są na takie prądy)
>>>> albo
>>>> current snubber do wygaszenia impulsu. Ale najpierw bym sprawdził,
>>>> czy to
>>>> rzeczywiście to :)
>>> To może lepiej dać drugieg MOSFETA zamiast diody jeśli to rzeczywiście
>>> czas RR robi problem ?
>>
>> W strukturze MOSFETa też masz diodę... A problemem może być zbyt szybka
>> dioda a nie zbyt wolna.
>>
>
> 1. Dobrze by miec soft recovery, jak reszta ukladu zniesie.
> 2. Odizolowac diode Mosfeta przy uzyciu SiC i wtedy mozesz se wsadzic co
> chcesz jako free-wheeling diode.
> 3. Odizolowac (elektrycznie) mosfeta od radiatora i sie cieszyc ze juz
> nie sieje (mozna jeszcze uziemic radiator, bo troche bedzie zbierac
> pojemnosciowo przez przekladke izolacyjna).
>
> W zasadzie punkt 3 powinien byc na pierwszym miejscu.
>
>

Jako że nie mogę zmierzyć prądu diody - mogę jedynie doświadczalnie
stwierdzić czy jest lepiej czy gorzej.
Znalazłem SiC na 16A - są jakieś "przeciw" jeśli połącze 4-5 równolegle ?
Mam mosfeta w obudowie SOT227B - jest izolowany wewnetrznie od
radiatora. Radiator jest uziemiony.


Adam

do góry

Dnia Tue, 08 Feb 2011 21:55:28 +0000, Jerry1111 napisał(a):

> 2.Odizolowac diode Mosfeta przy uzyciu SiC i wtedy mozesz se wsadzic co
> chcesz jako free-wheeling diode.
A nie lepiej tego SBD wsadzic po prostu jako FWD? I MOSFET bedzie mial
lagodniejsze warunki pracy, i straty spadna, i zaklocenia.

BTW. Czy oprocz SiC sa juz dostepne diody na GaAs/GaN? Jakis czas temu
anonsy mowily, ze wlasnie jest uruchamiana produkcja seryjna takowych.


--
Jaroslaw "jaros" Berezowski

do góry

On 09/02/2011 08:14, Adam Górski wrote:
> Znalazłem SiC na 16A - są jakieś "przeciw" jeśli połącze 4-5 równolegle ?

A nie wiem. Ale tu masz na 34A (a nawet 50A I_Fpeak):

http://uk.rs-online.com/web/search/searchBrowseActio
n.html?method=getProduct&R=7027493

--
Jerry1111

do góry

On 09/02/2011 21:12, Jaroslaw Berezowski wrote:
> Dnia Tue, 08 Feb 2011 21:55:28 +0000, Jerry1111 napisał(a):
>
>> 2.Odizolowac diode Mosfeta przy uzyciu SiC i wtedy mozesz se wsadzic co
>> chcesz jako free-wheeling diode.
> A nie lepiej tego SBD wsadzic po prostu jako FWD? I MOSFET bedzie mial
> lagodniejsze warunki pracy, i straty spadna, i zaklocenia.

Chodzilo mi o cos takiego:

|
+----+
| |
__ |
D1 \/ |
| /\ D2
| --
+-+ |
| | |
| | |
--+ | |
+-+ |
| |
+----+
|
|

W ten sposob nie uzywasz diody zwrotnej mosfeta, tylko swoja diode D2.
Po co napisalem 'free-wheeling', to nie mam pojecia - chyba juz za pozno
bylo.

> BTW. Czy oprocz SiC sa juz dostepne diody na GaAs/GaN? Jakis czas temu
> anonsy mowily, ze wlasnie jest uruchamiana produkcja seryjna takowych.

Zielonego pojecia nie mam, ale to nie najtansza technologia.


--
Jerry1111

do góry

Dnia Wed, 09 Feb 2011 22:39:28 +0000, Jerry1111 napisał(a):

> Chodzilo mi o cos takiego:
A ty o trasiu prostownika synchronicznego :) Myslalem, ze o kluczu
przetwornicy i sie zastanawialem, co za uklad wymysliles.

> Zielonego pojecia nie mam, ale to nie najtansza technologia.
No wlasnie z GaAs i GaN chgodzilo o redukcje kosztow. Technologia podlozy
z tych dwoch materialow zostala niezle dopracowana przy okazji produkcji
LEDow w odroznieniu od SiC.


--
Jaroslaw "jaros" Berezowski

do góry