Hello Sylwester,

Saturday, April 12, 2014, 5:41:57 PM, you wrote:

>>>> Nie bardzo - łatwiej badać spadek napięcia Uds.
>>> A przy otwartym kluczu?
>> Albo mamy jakiś problem definicyjny albo nie zrozumiałeś. Spójrz do
>> PDFa układów IR2127/28 - tam akurat badają spadek napięcia na IGBT -
>> jest wyższy więc łatwiej.
> Wydaje mi się, że ani jedno, ani drugie.
> Po prostu nie wiedziałem co robią, aby High Voltage nie zniszczyło wejścia
> pomiarowego.

Ach, nieporozumienie :(

> Odpowiedź:
> Przy otwartym kluczu jest dioda, która polaryzuje się zaporowo, a napięcie
> jest ściągane do potencjału bramki w stanie wyłączonym.

Często stosuje się też dwie diody - jedna do drenu (kolektora w
przypadku IGBT) a druga do pomiaru - w ten sposób kompensuje się dryft
termiczny.


--
Best regards,
RoMan
Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)