eGospodarka.pl
eGospodarka.pl poleca

eGospodarka.plGrupypl.misc.elektronikaizolacja galwaniczna - szybka
Ilość wypowiedzi w tym wątku: 19

  • 11. Data: 2020-05-28 14:15:58
    Temat: Re: izolacja galwaniczna - szybka
    Od: Piotr Gałka <p...@c...pl>

    W dniu 2020-05-27 o 19:48, Piotr Wyderski pisze:
    > Piotr Gałka wrote:
    >
    >> Kiedyś się nimi interesowałem, ale jak znalazłem jakąś notę
    >> aplikacyjną - jak to zrobić, aby było zgodne z EMC to mi przeszło.
    >
    > Ja użyłem raz, bez doczytania o sprawności. Sam izolator 80% budżetu
    > mocy mi to zeżarł i się wyleczyłem z takich pomysłów.

    Niska sprawność oznacza według mnie między innymi dużą emisję.
    Moja przygoda z nimi skończyła się chyba na etapie próbek, których nigdy
    w nic nie wlutowałem, a może nawet i próbek nie dostałem.

    > Główne argumenty to:
    >
    > 1. Łatwość skonstruowania niewielkiego transformatora o bardzo dobrych
    > parametrach izolacyjnych: toroid nawinięty cienkim drutemm TIW i
    > umieszczony w otworze wyciętym w PCB

    Rdzeń stawiasz pionowo (otwór w płytce prostokątny), czy poziomo?
    Toroida raz zagłębiałem w płytce (pionowo), ale to było co innego -
    toroid z tych co to AL jest z dużą liczbą zer - nie pamiętam w tej
    chwili, a uzwojenia miały odpowiednio 3 i 2 zwoje.

    > lub wręcz mały rdzeń planarny --
    > konstrukcja jest bardzo cienka, co ma dla mnie znaczenie.

    Ta uwaga jest powodem mojego powyższego pytania czy toroid poziomo, czy
    pionowo.
    Wydawało mi się, że do takiego małego planarnego rdzenia dwa symetryczne
    uzwojenia ciężko byłoby zmieścić. Że to musiało by pracować na wyższych
    częstotliwościach niż SN6501 aby trzeba było mniej zwoi.

    > Jeszcze lepsze
    > byłoby zalaminowanie rdzenia w PCB, ale to poza możliwościami moich
    > Chińczyków.

    Raz próbowaliśmy zapytać Chińczyków o montaż (być może zbyt prostej
    płytki). Zapytaliśmy wtedy dwóch Chińczyków - ich oferty były o 1zł (na
    około 20zł) lepsze niż to co nam zaoferowano z montażem w Polsce. W
    dodatku pojawiły się symptomy uznane przez nas jako zapowiedź problemów.
    Jeden z nich do wyceny dodał informację, że zastąpił wypisany przeze
    mnie terminal blok jakimś ichnim nie sprawdziwszy, że ten ichni nie pasuje.

    >
    > 2. Bez problemu uzyskuję kilka izolowanych napięć o dowolnych
    > potrzebnych mi wartościach: jeden transformator zasila kilka
    > odbiorników, co obniża cenę i podnosi niezawodność urządzenia.
    > Co prawda nie SN6501, ale LT3439 ze względu na napięcie wejściowe -- w
    > ostatnim urządzeniu z jednego transformatora otrzymuję 20 izolowanych
    > napięć, w tym 12 dla MOSFETów SiC i 8 dla "drobnicy".

    Jeśli każde z napięć musi być osobne między sobą to wyobrażam sobie, że
    muszą też być między nimi jakieś odstępy na płytce. Nie da się
    wszystkich 20 odbiorników napięcia z tego transformatora umieścić tuż
    przy nim czyli muszą być względnie długie wyprowadzenia z
    transformatora. Czy te druciki nie powodują problemów EMC, czy kluczowe
    jest tu, że LT3439 jest "Ultralow Noise".
    A może upychasz wszystkie prostowania/filtrowania możliwie blisko trafa
    i dopiero potem rozprowadzasz do poszczególnych odbiorników.
    Jaki duży rdzeń, żeby mieć tam 20 uzwojeń wtórnych (drut TIW nie jest
    super cienki)?
    Wtórne robisz też symetryczne, czy pojedyncze + 4 diody?
    Czy poszczególne izolacje bocznikujesz jakimiś warystorami,
    kondensatorami czy nie?
    Ja w pierwszym rozwiązaniu zastosowałem trafo 4kV które miało też OIDP
    tylko 4pF między uzwojeniami + izolatory ADuM. Niczym nie bocznikowałem
    izolacji. Miałem wtedy informację (od kogoś z USA), że jak zrobili
    izolację na 3kV to urządzenia sporadycznie im padały, a jak zrobili na
    4kV to spokój.
    Przy badaniu EMC zdziwił mnie garb (poniżej limitów) w okolicy 400MHz.
    Nie od razu wpadłem na to, że to ADuM sieje. To był rok 2004 - trochę
    mniej wiedziałem niż dziś.
    Dlatego uznałem, że w następnym rozwiązaniu będę bocznikował izolację
    warystorem (ma też sporą pojemność) i dam w szereg co najmniej koraliki
    (dla tych 400MHz), a lepiej dławik CM (dla zakłóceń z DCDC). Przy okazji
    warystora znika też konieczność uzyskania 4kV izolacji.
    Potem przeszedłem na nie izolowany RS485. Więc nie mam więcej
    doświadczenia z izolacją.

    >
    > 3. Dokładnie wiem, jakie kondensatory zostały użyte w mojej
    > przetwornicy, a -- co ważniejsze -- jakie *nie* zostały użyte.
    > Ten jeden argument mi wystarcza.

    O tym aspekcie nie pomyślałem. Ale jak gotowiec DCDC będzie miał
    specyfikację na szeroki zakres temperatur to znaczy, że raczej
    kondensatory powinny być ok.

    > Wady: wyższa cena, konieczność nawijania transformatorów na zamówienie i
    > trochę czasu na prototypowanie. Aimteca wlutowujesz i działa, przyznaję.

    Raz się nacięliśmy na problemy nawijanych na zamówienie transformatorów.
    Zrobiłem zasilanie izolowanej strony bez stabilizacji - bazujące na
    zasileniu przetwornicy stabilizowanym napięciem i konkretną (zgodnie z
    tym co piszesz "trochę czasu na prototypowanie") przekładnię transformatora.
    Nawijanie z dokładnością +- 1 zwój (przy 10 zwojach) powodowało, że
    tester który sprawdzał między innymi napięcie po stronie wtórnej
    odrzucał nam połowę sztuk. Na dokładkę to było już po montażu więc
    wylutowywanie itd.
    Zmieniłem na 2 razy droższy, ale 'z półki' i już nigdy nie wróciliśmy do
    nawijanych na zamówienie.
    P.G.


  • 12. Data: 2020-05-28 19:07:32
    Temat: Re: izolacja galwaniczna - szybka
    Od: Piotr Wyderski <p...@n...mil>

    Piotr Gałka wrote:

    > Niska sprawność oznacza według mnie między innymi dużą emisję.

    Te cewki są maleńkie i "nawinięte" litograficznie, z równania antenowego
    wychodzą jakieś absurdalnie niskie moce emitowane do otoczenia.

    > Moja przygoda z nimi skończyła się chyba na etapie próbek, których nigdy
    > w nic nie wlutowałem, a może nawet i próbek nie dostałem.

    Ja wlutowałem i się zdziwiłem, po czym przyznałem rację stwierdzeniu, że
    czytanie ma przyszłość. Pobór prądu wskazywał, że uszkodziłem chip na
    etapie montażu, dopiero późniejsze śledztwo wykazało, że wcale nie.

    > Rdzeń stawiasz pionowo (otwór w płytce prostokątny), czy poziomo?

    Poziomo.

    > Jeśli każde z napięć musi być osobne między sobą to wyobrażam sobie, że
    > muszą też być między nimi jakieś odstępy na płytce.

    Odbiorniki nawet nie są na tej samej płytce. Każdy mostek H na MOSFETach
    SiC to osobna niewielka płytka. Jest nawet na niej miejsce na SN6501 i
    maleńki toroid, ale póki co nie obsadzam.

    > Nie da się
    > wszystkich 20 odbiorników napięcia z tego transformatora umieścić tuż
    > przy nim czyli muszą być względnie długie wyprowadzenia z
    > transformatora.

    Ale oba druciki przewodzą prąd w przeciwnych kierunkach. Wystarczy
    zrobić skrętkę i pola się znoszą.

    > Jaki duży rdzeń, żeby mieć tam 20 uzwojeń wtórnych (drut TIW nie jest
    > super cienki)?

    26mm OD, a drut ma 0.2mm, co daje 0.4mm z izolacją.

    > Wtórne robisz też symetryczne, czy pojedyncze + 4 diody?

    Push-pull to dwa forwardy na jednym rdzeniu. Można więc o tym myśleć
    jako o dwóch zintegrowanych przetwornicach zasilających po 10 uzwojeń
    każda. Mostki H pracują symetrycznie, więc obciążenia stanowią podobne.
    Dlatego wystarcza jedno uzwojenie i jedna dioda na jeden kanał
    wyjściowy, co również było poważnym argumentem projektowym. Jeden mostek
    to 4 napięcia, +15V i -3.5V brane parami w przeciwfazie. Większe
    obciążenia są zasilane z pełnych mostków na bas4002.

    > Czy poszczególne izolacje bocznikujesz jakimiś warystorami,
    > kondensatorami czy nie?

    Nic albo rzadko dławik CMC na wtórnym, jak mi wychodzi za duża pojemność
    międzyuzwojeniowa.

    > Dlatego uznałem, że w następnym rozwiązaniu będę bocznikował izolację
    > warystorem (ma też sporą pojemność)

    Warystorów tlenkowych unikam, bo kumulują uszkodzenia wywołane
    przepięciami i się psują w mało przewidywalny sposób. A jak już się nie
    da inaczej, to stosuję te trójwyprowadzeniowe z bezpiecznikiem termicznym:

    https://www.tdk-electronics.tdk.com/inf/70/db/var/SI
    OV_Housed_ETFV25.pdf

    Łatwo do tego dodać wykrycie uszkodzenia warystora -- generator
    relaksacyjny na neonówce obok FPGA wygląda przeuroczo. :-)

    https://en.wikipedia.org/wiki/Pearson%E2%80%93Anson_
    effect

    > O tym aspekcie nie pomyślałem. Ale jak gotowiec DCDC będzie miał
    > specyfikację na szeroki zakres temperatur to znaczy, że raczej
    > kondensatory powinny być ok.

    Owszem, raczej nie, ale mam nieuleczalną alergię na słowo "raczej". ;-)

    Pozdrawiam, Piotr


  • 13. Data: 2020-05-28 21:50:36
    Temat: Re: izolacja galwaniczna - szybka
    Od: Piotr Gałka <p...@c...pl>

    W dniu 2020-05-28 o 19:07, Piotr Wyderski pisze:
    > Ale oba druciki przewodzą prąd w przeciwnych kierunkach. Wystarczy
    > zrobić skrętkę i pola się znoszą.

    Skrętkę zakładałem z definicji, ale:
    - dłuższy kabelek (nawet skrętka) chyba więcej wyemituje niż krótki (ale
    zapewne znikomo więcej),
    - zastanawiałem się czy pojemność między tymi drucikami (jak wszystkie
    20 wyjść to dłuższe skrętki) nie obciąża przetwornicy.

    > Push-pull to dwa forwardy na jednym rdzeniu. Można więc o tym myśleć
    > jako o dwóch zintegrowanych przetwornicach zasilających po 10 uzwojeń
    > każda. Mostki H pracują symetrycznie, więc obciążenia stanowią podobne.
    > Dlatego wystarcza jedno uzwojenie i jedna dioda na jeden kanał
    > wyjściowy, co również było poważnym argumentem projektowym.

    To mniej więcej ogarnąłem

    > Jeden mostek
    > to 4 napięcia, +15V i -3.5V brane parami w przeciwfazie. Większe
    > obciążenia są zasilane z pełnych mostków na bas4002.

    Nie mam praktyki z mostkami. Nie czuję do końca co chciałeś tu
    powiedzieć. Dla jednego mostka dwa uzwojenia o różnej liczbie zwojów aby
    dostać dwa różne napięcia? Czyli jest 20 uzwojeń wtórnych, ale niektóre
    trafiają do jednego odbiornika (całkowicie izolowanych od siebie
    obszarów jest mniej niż 20).

    >> Dlatego uznałem, że w następnym rozwiązaniu będę bocznikował izolację
    >> warystorem (ma też sporą pojemność)
    >
    > Warystorów tlenkowych unikam, bo kumulują uszkodzenia wywołane
    > przepięciami i się psują w mało przewidywalny sposób.

    Nigdy nie zastosowałem warystora.
    Wtedy to była decyzja, że następnym razem.
    Ale jak doszło do tego następnego razu to mi wyszło, że wystarczy mi jak
    dopuszczę jakieś 60V różnicy mas (po 30 w każdym urządzeniu) i dałem
    transile symetryczne 33V i równolegle do nich chyba 10nF.
    Gdy urządzenia pracują w obszarze o wspólnym systemie uziemienia (czy
    jak to się nazywa) - w każdym razie w tym samym budynku to podobno nie
    zdarzają się większe różnice na GND niż 50V (w czasie surge).
    A potem doszedłem do wniosku, że takie różnice nie pojawią się między
    urządzeniami zainstalowanymi blisko siebie tylko daleko od siebie (w
    ramach jednego budynku). Czyli kabelek RS485 ograniczy prąd w impulsie i
    jestem w stanie zabezpieczyć drivery przed tym nie stosując izolacji.

    >> O tym aspekcie nie pomyślałem. Ale jak gotowiec DCDC będzie miał
    >> specyfikację na szeroki zakres temperatur to znaczy, że raczej
    >> kondensatory powinny być ok.
    >
    > Owszem, raczej nie, ale mam nieuleczalną alergię na słowo "raczej". ;-)
    >

    Nie da się nic zrobić jak nie będziesz w miarę ufał danym katalogowym
    stosowanych elementów :)
    P.G.


  • 14. Data: 2020-05-28 22:15:43
    Temat: Re: izolacja galwaniczna - szybka
    Od: Piotr Wyderski <p...@n...mil>

    Piotr Gałka wrote:

    > - zastanawiałem się czy pojemność między tymi drucikami (jak wszystkie
    > 20 wyjść to dłuższe skrętki) nie obciąża przetwornicy.

    Nie ma problemów praktycznych. Ja się bardziej bałem rezonansów przy
    przełączaniu diod, które mogłyby mi nieprzyjemnie podbić napięcie przy
    małym obciążeniu, ale niepotrzebnie.

    > Nie mam praktyki z mostkami. Nie czuję do końca co chciałeś tu
    > powiedzieć.

    Jedno uzwojenie i mostek, klasyka. Mniejsze obciążenia mają prostowniki
    jednopołówkowe, choć w miarę możliwości symetrycznie obciążające
    przeciwne fazy, by zminimalizować składową DC w rdzeniu. Większe mają
    pełen mostek i pracują w pełnym cyklu pracy transformatora, przy okazji
    dodatkowo obcinając pojawiające się przejściowo składowe niesymetryczne.
    Na żadnym uzwojeniu w żadnym punkcie cyklu jego pracy nie pojawi się
    napięcie wyższe, niż na gałęzi z pełnym mostkiem (z dokładnością do
    banałów: + Vf, * przekładnia). Taki snubber mimo woli...

    > Dla jednego mostka dwa uzwojenia o różnej liczbie zwojów aby
    > dostać dwa różne napięcia?

    Masz na myśli prostownik mostkowy na transformatorze z odczepem? Tak się
    nie da, na wyjściu zawsze dostaniesz wyższe z napięć i jego wersję
    ujemną. To ma sens tylko przy zasilaniu symetrycznym.

    > Czyli jest 20 uzwojeń wtórnych, ale niektóre
    > trafiają do jednego odbiornika (całkowicie izolowanych od siebie
    > obszarów jest mniej niż 20).

    Tak, jeden moduł mostka H to 4 uzwojenia.

    > Nie da się nic zrobić jak nie będziesz w miarę ufał danym katalogowym
    > stosowanych elementów :)

    Ale są elementy o danych katalogowych "milion godzin", są i "milion
    radów", zalezy, czego kto szuka i jak głęboki ma portfel jego mocodawca. :-)

    Pozdrawiam, Piotr


  • 15. Data: 2020-05-29 15:28:35
    Temat: Re: izolacja galwaniczna - szybka
    Od: Piotr Gałka <p...@c...pl>

    W dniu 2020-05-28 o 22:15, Piotr Wyderski pisze:

    >> Nie mam praktyki z mostkami. Nie czuję do końca co chciałeś tu
    >> powiedzieć.
    >
    > Jedno uzwojenie i mostek, klasyka.

    Miałem na myśli mostki-H, a mam wrażenie że piszesz o mostku prostowniczym.

    > Mniejsze obciążenia mają prostowniki
    > jednopołówkowe, choć w miarę możliwości symetrycznie obciążające
    > przeciwne fazy, by zminimalizować składową DC w rdzeniu. Większe mają
    > pełen mostek i pracują w pełnym cyklu pracy transformatora, przy okazji
    > dodatkowo obcinając pojawiające się przejściowo składowe niesymetryczne.

    Wcześniej rozumiałem, że wszystkie mają prostowniki jednopołówkowe.

    >> Dla jednego mostka dwa uzwojenia o różnej liczbie zwojów aby dostać
    >> dwa różne napięcia?
    >
    > Masz na myśli prostownik mostkowy na transformatorze z odczepem? Tak się
    > nie da, na wyjściu zawsze dostaniesz wyższe z napięć i jego wersję
    > ujemną. To ma sens tylko przy zasilaniu symetrycznym.

    Wcześniej rozumiałem, że masz 20 izolowanych wejść lub wyjść z których
    niektóre są mostkami H. Zakładałem, że do zasilania mostka H
    potrzebujesz jednego uzwojenia (nie zastanawiałem się jakie tam są
    faktycznie potrzeby - w tym sensie napisałem że nie mam praktyki z
    mostkami).
    W Twojej wypowiedzi pojawiły się dwa napięcia w kontekście jakby
    dotyczącym jednego mostka (H). Dlatego zapytałem, czy dla jednego mostka
    dwa uzwojenia.

    >> Czyli jest 20 uzwojeń wtórnych, ale niektóre trafiają do jednego
    >> odbiornika (całkowicie izolowanych od siebie obszarów jest mniej niż 20).
    >
    > Tak, jeden moduł mostka H to 4 uzwojenia.

    Czyli nie tylko 2 a nawet 4!

    Zaczynam ogarniać. Sterowanie mostkiem (jakby były 4 tranzystory N) może
    wymagać 3 izolowanych napięć. (te dwa dolne miałyby wspólne) do tego
    zasilanie całego mostka - razem 4.
    P.G.


  • 16. Data: 2020-05-29 15:37:14
    Temat: Re: izolacja galwaniczna - szybka
    Od: Piotr Gałka <p...@c...pl>

    W dniu 2020-05-28 o 22:15, Piotr Wyderski pisze:

    > Nie ma problemów praktycznych. Ja się bardziej bałem rezonansów przy
    > przełączaniu diod, które mogłyby mi nieprzyjemnie podbić napięcie przy
    > małym obciążeniu, ale niepotrzebnie.

    Po tej dyskusji jak będę potrzebował 2 izolowanych napięć to się będę
    zastanawiał czy:
    - dwa gotowce DCDC,
    - jeden driver + dwa gotowe trafa,
    - driver + nawijane trafo z dwoma wtórnymi.

    Przy 2 najtaniej chyba wyjdą dwa DCDC choć każesz mi wątpić w
    zastosowane tam kondensatory :)
    P.G.


  • 17. Data: 2020-05-29 19:24:28
    Temat: Re: izolacja galwaniczna - szybka
    Od: Piotr Wyderski <p...@n...mil>

    Piotr Gałka wrote:

    > Miałem na myśli mostki-H, a mam wrażenie że piszesz o mostku prostowniczym.

    A ja od początku miałem wrażenie, że Ty piszesz o prostowniczym.

    > Wcześniej rozumiałem, że wszystkie mają prostowniki jednopołówkowe.

    Prawie wszystkie, jest niewielka liczba uzwojeń zasilających pełne
    mostki *prostownicze*.

    > Wcześniej rozumiałem, że masz 20 izolowanych wejść lub wyjść z których
    > niektóre są mostkami H. Zakładałem, że do zasilania mostka H
    > potrzebujesz jednego uzwojenia (nie zastanawiałem się jakie tam są
    > faktycznie potrzeby - w tym sensie napisałem że nie mam praktyki z
    > mostkami).
    > W Twojej wypowiedzi pojawiły się dwa napięcia w kontekście jakby
    > dotyczącym jednego mostka (H). Dlatego zapytałem, czy dla jednego mostka
    > dwa uzwojenia.

    Dla jednego mostka są cztery uzwojenia, opisałem Ci to już dokładnie.
    Każdy z obu tranzystorów ma swoje zasilanie, a to zasilanie to para
    napięć +15 i -3.5V, bo to są tranzystory SiC. One z zasady mają niskie
    napięcie progowe, więc w celu podniesienia odporności przed przypadkowym
    włączeniem z powodu zakłócenia w stanie wyłączonym bramkę zasila się
    napięciem ujemnym. Z MOSFETami krzemowymi tak też się czasem robi, ale
    znacznie rzadziej. W SiC to norma.

    > Czyli nie tylko 2 a nawet 4!

    A mostki H są 3, czyli 12 uzwojeń. I jeszcze 8 do innych celów.

    > Zaczynam ogarniać. Sterowanie mostkiem (jakby były 4 tranzystory N) może
    > wymagać 3 izolowanych napięć. (te dwa dolne miałyby wspólne) do tego
    > zasilanie całego mostka - razem 4.

    W teorii napięcia dolne mogłyby być wspólne, a w praktyce tranzystory z
    węglika krzemu przełączają tak szybko, że indukcyjności pasożytnicze
    w obwodzie źródła powodują postanie szpilek o wartości nawet kilku
    woltów, w układzie wspólnym dodające lub odejmujące się od napięcia
    bramki. Z tego powodu tranzystory te mają połączenie Kelwina w obwodzie
    źródeł. Nie płynie nim prąd roboczy, a tylko z drivera bramki. W
    warunkach przełączania nie da się rozsądnie zdefiniować wspólnego
    potencjału GND, a tym samym najlepiej każdemu tranzystorowi, nawet
    dolnemu, dać jego własne zasilanie lokalne. Względem jego wyprowadzenia
    KS zawsze będzie tam zero woltów, a "globalnie" niekoniecznie.

    Pozdrawiam, Piotr


  • 18. Data: 2020-05-29 19:30:23
    Temat: Re: izolacja galwaniczna - szybka
    Od: Piotr Wyderski <p...@n...mil>

    Piotr Gałka wrote:

    > Po tej dyskusji jak będę potrzebował 2 izolowanych napięć to się będę
    > zastanawiał czy:
    > - dwa gotowce DCDC,
    > - jeden driver + dwa gotowe trafa,
    > - driver + nawijane trafo z dwoma wtórnymi.

    Zawsze warto rozważyć wszystkie opcje, choćby się miało skończyć na
    gotowcu. Przynajmniej wyboru dokonasz świadomie.

    > Przy 2 najtaniej chyba wyjdą dwa DCDC choć każesz mi wątpić w
    > zastosowane tam kondensatory :)

    Informuję jedynie, że dla mnie brak pewności co do szczegółów
    rozwiązania często oznacza pewność jego nieużycia. Dla Ciebie nie musi,
    dobieraj rozwiązania do swoich potrzeb, a nie do moich. :-)

    Pozdrawiam, Piotr


  • 19. Data: 2020-06-01 11:53:03
    Temat: Re: izolacja galwaniczna - szybka
    Od: Piotr Gałka <p...@c...pl>

    W dniu 2020-05-29 o 19:24, Piotr Wyderski pisze:

    > Dla jednego mostka są cztery uzwojenia, opisałem Ci to już dokładnie.

    Jak nie rozumiem czegoś globalniejszego to w szczegóły nawet nie próbuję
    wnikać bo za dużo jest wtedy myślenia typu: 'jeśli to jest tak to..., a
    jeśli odwrotnie to...'.
    Wtrącenie, że to SiC nic mi nie mówiło (pomyślałem, że to jakaś seria
    NMOSów jakiegoś producenta).

    Nic mi nie musisz tłumaczyć, ale na razie nie zgodzę się z tezą, że
    wytłumaczyłeś dokładnie. Na razie jestem na etapie nie ogarniania czegoś
    globalnie. Na przykład dla mnie mostek H to 4 tranzystory. A Ty piszesz:

    > Każdy z obu tranzystorów ma swoje zasilanie, a to zasilanie to para
    > napięć +15 i -3.5V, bo to są tranzystory SiC. One z zasady mają niskie
    > napięcie progowe, więc w celu podniesienia odporności przed przypadkowym
    > włączeniem z powodu zakłócenia w stanie wyłączonym bramkę zasila się
    > napięciem ujemnym.

    Dla mnie są dwie możliwości (to jest właśnie ten tryb braku globalnych
    informacji skutkujący: 'jeśli...to..., a' którego zazwyczaj unikam):
    - albo Twój mostek H to dwa tranzystory - wtedy 4 uzwojenia to po dwa
    (bo dwa różne napięcia) dla każdego - razem 4 co się zgadza z
    wcześniejszymi informacjami, ale kłóci mi się z moim pojęciem mostka H,
    - albo piszesz o dwu tranzystorach w jednej gałęzi mostka H co się
    zgadza z moim pojęciem mostka H, ale wtedy wychodzi 8 uzwojeń na mostek
    co się kłóci z informacją, że na mostek są 4 uzwojenia.

    >
    >> Czyli nie tylko 2 a nawet 4!
    >
    > A mostki H są 3, czyli 12 uzwojeń. I jeszcze 8 do innych celów.

    Czyli 12/3=4 na mostek. Wychodziło by zatem, że mostek to dwa
    tranzystory. Może to jest jakiś półmostek... , ale wyraźnie pisałeś
    mostek H.

    > W teorii napięcia dolne mogłyby być wspólne, a w praktyce tranzystory z
    > węglika krzemu przełączają tak szybko, że indukcyjności pasożytnicze
    > w obwodzie źródła powodują postanie szpilek o wartości nawet kilku
    > woltów, w układzie wspólnym dodające lub odejmujące się od napięcia
    > bramki. Z tego powodu tranzystory te mają połączenie Kelwina w obwodzie
    > źródeł. Nie płynie nim prąd roboczy, a tylko z drivera bramki. W
    > warunkach przełączania nie da się rozsądnie zdefiniować wspólnego
    > potencjału GND, a tym samym najlepiej każdemu tranzystorowi, nawet
    > dolnemu, dać jego własne zasilanie lokalne. Względem jego wyprowadzenia
    > KS zawsze będzie tam zero woltów, a "globalnie" niekoniecznie.

    Czyli dla każdego dolnego osobne uzwojenia (nawet zrozumiałem dlaczego :) ).
    Z powodu dwu napięć rozumiem, że dwa uzwojenia (jedno dla 15 i jedna dla
    -3.5). Jakby nie liczył wychodzi mi 4 uzwojenia dla dolnych tranzystorów.
    No a jak z górnymi skoro na cały mostek 4, a 4 już wykorzystane?
    P.G.

strony : 1 . [ 2 ]


Szukaj w grupach

Szukaj w grupach

Eksperci egospodarka.pl

1 1 1

Wpisz nazwę miasta, dla którego chcesz znaleźć jednostkę ZUS.

Wzory dokumentów

Bezpłatne wzory dokumentów i formularzy.
Wyszukaj i pobierz za darmo: