Queequeg wrote:

> Z analogicznym tranzystorem na mniejsze napięcie.

W zasadzie tak. No i jeszcze dochodzą inne materiały. Węglik krzemu
i azotek galu mają 10x wytrzymałości krzemu. Dzięki czemu możesz sobie
kupić takiego potwora (1.2kV/R_DS_ON=21miliomów/C_ISS=4.8nF!!!):

https://pl.mouser.com/datasheet/2/90/3m0021120k-1624
762.pdf

> Pewnie tak, tylko były kwadratowe albo prostokątne komórki. A potem ktoś
> wpadł na sześciokąty.

Jeden fizyk z jednym inżynierem do pomocy. A potem firma International
Rectifier nagle stała się bardzo bogata.

>> Nie przesadzajmy, sporo tego jest choćby w Sztuce Elektroniki Horowitza
>> i Hilla.
>
> Cena (za oba tomy) słuszna... liczba stron też.

Książka ma tę wadę, że wiele się z niej nie nauczysz, jak już trochę nie
wiesz. To nie jest podręcznik. Ma za to za zadanie pokazać, jak
konkretne praktyczne problemy rozwiązują fachowcy. Ponadto, pan Hill
pracuje właśnie nad bardzo rozbudowanym suplementem do tej książki
i poprosił społeczność o korektę. A co tam, masz Mikołaja w sierpniu:

https://ucabe4612ed2bd50068f4b4e1ab2.dl.dropboxuserc
ontent.com/cd/0/get/AngIN5jGYVREVBHVBxCwQU-gNvay9pM0
fC_EBVB8ZXhAXKlaKf4b2KwQiZru6AKoCOHwnn59pkDvgkiAh1M-
TwQNpabY3J6IzTtlRPIaZ5lczA/file?dl=1#

Oraz:

https://uc296855855cc4dde8b5d220828e.dl.dropboxuserc
ontent.com/cd/0/get/AnjW7o0ivuvqAPC6GITUBpYZsM9b8X6h
TMRsohTNoIuUWnR3LUlRrHvT8N7Zh1_p3dvvulnQBurGIOnWvrrq
xgXs6_HYhMtg3SHonHOgtnlirg/file?dl=1#

> Jest w takim wypadku sens stosowania scalonego drivera push-pull?

Jeden maleńki element (brałbym w SOT23-5 albo SC70) zamiast kilku. Dla
mnie jest, ale to kwestia gustu. Nie po to mądrzy ludzie poświęcają czas
na opracowanie znakomitego i taniego chipu, by bez wyraźnej potrzeby
uprawiać koproplastykę z elementów dyskretnych. Ale to ja. :-)

> Da się tę energię jakoś wyliczyć lub chociaż oszacować?

Oczywiście, to jeden z niezbędnych kroków podczas projektowania
przetwornicy impulsowej większej mocy. Wylutuje się sam ten tranzystor,
czy nie wylutuje?

> Wydaje się to nietrywialne i coś mi mówi, że bez całkowania się nie
obejdzie, ale
> może jest jakiś prostszy sposób?

Funkcja całkowana jest stosunkowo prosta przy kilku rozsądnych
założeniach. Przełączanie zachodzi w impulsie, a w układzie są
pojemności i indukcyjności o sporych wartościach, więc napięcia
i prądy można traktować jako stałe lub co najwyżej rosnące liniowo.
Do dobrania radiatora nie potrzeba dokładności na trzecim miejscu po
przecinku. Poszukaj pod "MOSFET switching losses", jest mnóstwo gotowego
materiału.

> Wtedy moc jednego przeładowania wyniesie P=(U*Qg)/t=37mW, a średnia moc
> pobierana przez ładowanie jedynie 1.4uW (P*D, gdzie D=18.9us/0.5s)? Dobrze
> to liczę?

Dobrze. :-)

> No i co z samymi stratami złącza Uds podczas tego przełączania... one
> przecież są dużo, dużo większe.

Poza sytuacjami patologicznymi dokładnie tak.

> Awarie mosfetów "na przerwę" w ogóle się zdarzają?

Samych MOSFETów raczej rzadko, ale pęknięcia lutów już tak:

https://f4.bcbits.com/img/a2055949155_10.jpg

Efektywnie jest to awaria "na przerwę" i duże zmiany temperatury jej
wybitnie sprzyjają. Czy to awaria tranzystora, czy nie -- nie będę się
spierał, wężom będzie jednakowo zimno. ;-)

Pozdrawiam, Piotr