Queequeg wrote:

> Hmm. Gdzie tak piszą?

Na przykład w nocie aplikacyjnej AN-1140 International Rectifier.

"IR defines what can be called the "ultimate current" for power packages on
discrete products. This ultimate current represents the largest current
any given
package can withstand under the most forgiving of setups for heat
management.
The bench setup used in measuring the ultimate current at International
Rectifier
is full immersion of parts in a nucleated-boiling inert fluid. Nucleated
boiling can
be a very effective means of removing heat from hot objects."

> No tak... ma sens. Ja zwykle używam MOSFETów impulsowo (takie akurat
> miałem do tej pory zastosowania) :) Choć przymierzam się do zrobienia tego
> układu, a tu już jest sterowany liniowo: http://danyk.cz/avr_aku_en.html

Do takich zastosowań polecam FQA11N90:

https://pl.mouser.com/ProductDetail/on-semiconductor
/fqa11n90-f109/?qs=0lQeLiL1qyZsZX6WOR1JQA%3D%3D&coun
trycode=PL&currencycode=PLN

Jest stosunkowo tani i ma świetne parametry w zakresie liniowym (figure
9.). Zrobiłem sobie z nich sztuczne obciążenie 900V/100A (12 sztuk, sam
radiator tunelowy waży 5 kilo, do tego ponad 800m^3/h chłodzenia
wymuszonego).

> Więc jak oni liczą ten "Continuous Drain Current"?

Przy najmniejszym możliwym napięciu dren-źródło, nieskończenie dobrym
radiatorze, w pełni wysterowanej bramce i maksymalnej temperaturze
złącza (150-175 stopni dla obudów epoksydowych i krzemu).

> "Another mosfet died. This one failed with only 2.5-3.5V at about
> 2.4-2.5A. So that probably explains the missing dc line in the SOA curve.
> This mosfet will fail at above 2A at all voltages below 20V. The dc curve
> is a flat line at about 2A till 20V, and falls sharply after that to 400mA
> at 40V."
>
> Dobrze rozumiem, że on go upalił pracując w zakresie liniowym?

Sprawa jest dość złożona. MOSFET to równoległe połączenie elementarnych
komórek, a one nie są idealnie jednakowe. Niby problemu nie ma, bo w
wielu książkach piszą, że MOSFETy można łączyć równolegle. Ma się tak
dziać z powodu dodatniego współczynnika zależności rezystancji kanału
od temperatury. Im komórka cieplejsza, tym większą ma rezystancję
i bierze na siebie niej prądu. Z jakiegoś powodu jednak w tych samych
książkach nie piszą o tym, że napięcie progowe spada z temperaturą,
choć dowcip polega na tym, że wykres V_TH(T) zazwyczaj jest w
datasheecie zaraz obok R_DS(T). Przy równoległym połączeniu bramek
komórek elementarnych do wspólnego wyprowadzenia napięcie bramek będzie
z konieczności jednakowe w każdej komórce, więc więcej prądu popłynie
jednak komórkami gorącymi. I teraz od konkretnej konstrukcji tranzystora
zależy, który z tych współczynników dominuje (i w jakim zakresie
parametrów). Tranzystory dopuszczone do pracy liniowej są bezwzględnie
stabilne (kosztem pogorszenia innych parametrów), w impulsowych nie jest
to z kolei istotne, bo z samego sposobu użycia wynika, że tranzystor ma
możliwie szybko przelecieć przez triodowy obszar charakterystyki i
pracować albo w pełnym odcięciu, albo pełnym nasyceniu. Więc się go
optymalizuje pod tym kątem, ale wtedy producent zwykle nie gwarantuje
braku hot spotów. Są MOSFETy o pośredniej charakterystyce: zasadniczo
produkuje się je do zastosowań impulsowych, ale producent gwarantuje
rozszerzony zakres SOA (extended FB SOA) dla zastosowań liniowych.
Często wtedy są podane dwie maksymalne moce strat: impulsowa i liniowa,
zazwyczaj rzędu 50% impulsowej. W przypadku MOSFETów czysto impulsowych
tego typu dane nie są dostarczane, więc bezpiecznie jest przyjąć
derating do 25--40% PD_MAX. Choć doniesienie o ubiciu kiloamperowego
MOSFETa przy 4% jego nominalnych możliwości też czytałem. Cóż, do
zastosowań linowych są tranzystory liniowe...

>Jeśli tak,
> to o tyle dobrze, że ja go kluczuję.

Wtedy pracuje w nasyceniu, jeśli napięcie bramki jest dostatecznie wysokie.

> Wprawdzie projektując "pod zapas" nie
> przejmowałem się raczej czasem przeładowywania bramki (bramka jest
> ściągana do masy przez BC817 + 100R, a do +12V przez 3k3), ale to mogę
> zmienić.

Weź najtańszy gotowy driver w SO8/DIP8, będzie bez porównania lepszy niż
ta konstrukcja.

> Tak czy inaczej martwiące. Tym bardziej, że w tym przypadku przebicie
> mosfeta oznacza śmierć (niewyklutych węży -- to sterowanie grzałką
> inkubatora). Chciałbym dla spokoju ducha zmienić go na inny. Tylko jaki?

Hej, nie panikuj. :-)
Brak specyfikacji DC nie oznacza, że jest to wartość beznadziejnie
niska. Znaczy tylko tyle, że producent nie przewiduje stosowania danego
elementu w takim zastosowaniu, więc nie zadaje sobie trudu
specyfikowania tej wartości i potem jej gwarantowania w pełnym zakresie
obciążeń. Inne parametry też nie są albo podawane wcale, albo mają
wartości przeszacowane o rzędy wielkości. Przykładowo, prąd upływu diody
krzemowej jest zazwyczaj podawany jako 1uA, choć w rzeczywistości jest
ZNACZNIE mniejszy. Po prostu ustawienie automatu testującego na zakres
nanoamperów oznacza nieakceptowalnie długi czas pomiaru parametru,
którego wartość nie ma znaczenia w większości zastosowań. A czas to
pieniądz. Ktoś musi za te ratingi zapłacić. Więc albo producent ustawi
tester na nanoampery i tę samą strukturę sprzeda znacznie drożej pod
innym oznaczeniem, albo tanio kupujesz zwykłe diody i sam je
charakteryzujesz.
Producenci wyczynowego sprzętu pomiarowego powszechnie stosują drugie
rozwiązanie, bo z dosłownej lektury datasheetu wynika, że potrzebny
element nie istnieje. :-)

Twoje zastosowanie z grzałką jest tak odległe od maksymalnej mocy
rozpraszanej tranzystora, że nie ma powodu przejmowania się brakiem DC
SOA. Jak wyżej, IRF540 od ST ma podaną DC SOA, a Vishaya nie. Zapewne
dlatego, że nikt nie pytał, a nie dlatego, że się przepali przy jednym
amperze. Ale sztucznego obciążenia z tego tranzystora nie rób, bo tam
się już stąpa po cienkim lodzie. :-)

Pozdrawiam, Piotr