On 2024-02-16, J.F <j...@p...onet.pl> wrote:
> On Fri, 16 Feb 2024 14:22:54 GMT, Marcin Debowski wrote:
>> On 2024-02-16, J.F <j...@p...onet.pl> wrote:
>>> On Fri, 16 Feb 2024 11:57:00 GMT, Marcin Debowski wrote:
>>>> On 2024-02-16, Janusz <j...@o...pl> wrote:
>>>>> W dniu 14.02.2024 o 01:14, Marcin Debowski pisze:
>
> [...]
>>>> Ale zagadka się wyjaśniła, tam jednak nie ma próżni. Jest obniżone
>>>> ciśnienie, czyli dużo gazów. Ciekawe w sumie, że przy tak dużym stężeniu
>>>> daje się dobrze to wszystko kontrolować.
>>>>
>>>> https://www.nobelprize.org/uploads/2018/06/nakamura-
lecture-slides.pdf
>>>
>>> A propos - w tabelce na 35 stronie od 1992 jest "Nakamura et al".
>>> Miał wspólpracowników?
>>>
>>> To jest po "1991 High quality GaN using GaN buffer by MOCVD" - ktos
>>> dostrzegł postęp i perspektywy na przyszłość ?
>>
>> Wygląda, że po 1991 miał przynajmniej 2ch (głebiej mi się nie chciało szukać)
>> https://iopscience.iop.org/article/10.1143/JJAP.31.L
1457
>> https://icns14.jp/mukai.html
>
> Ale to jeden.

To tylko przykład. Są z dwoma. Weź z listy, na końcu drugiego linku
(https://www.nobelprize.org/uploads/2018/06/nakamura
-lecture.pdf)

wrzuć w googla, popatrz na afiliancje.

Tylko tu jeszcze taka uwaga, obecność innych autorów na liście
publikacji niekoniecznie świadczy o ich istotnej roli w danych
badaniach. Równie dobrze może świadczyć o wkładzie w samą publikację,
lub w nietwórczą część pracy.

>>> Jeszcze strona 13
>>> "Working at a small company:
>>> o Small Budget
>>> o One Researcher
>>> "
>>> Widać tez, ze kluczowa jest warstwa InGaN ... o ile dobrze rozumiem
>>> strone 26 i 30 .
>>
>> Tu jest bardziej opisowo:
>> https://www.nobelprize.org/uploads/2018/06/nakamura-
lecture.pdf
>
> O tym własnie piszę, tylko wykres na 30 stronie ... dotyczy GaN z
> cienką warstwą InGaN, jak ładnie narysowali na 26 stronie?

Nie możesz o tym pisać bo tam nie ma str. 30. Co do meritum to na ile
rozumiem, dołożenie InGaN pozwala na osiągnięcie większej jasności
(efektywności), nawet przy większej liczbie defektów. Ale wcześniejsze
prace były z GaN. To z InGaN to jakoś w okolicach 1992-1994 patrząc na
daty publikacji.

Najpierw stwierdził, że najlepiej jest jak system ma DH (double
heterostructure), potem, że do tego DH najlepiej nadaje się InGaN. Były
tu dodatkowe problemy. Znasz angielski to czytnik str. 77 a potem
początek rozdziału 4.
Masz tam też wzmiankę co robił ww. wpółautor.
"In 1992, Mukai and myself succeeded in growing a high quality InGaN
layer using the two-flow MOCVD on a GaN template grown on a sapphire
substrate [21]. RT PL showed a strong band-to-band emission from violet to
blue depending on the indium composition of the InGaN layers. This was the
first report of band-to-band emission of InGaN layers at RT."

--
Marcin