-
1. Data: 2015-11-07 13:28:53
Temat: Dalsze eksperymenty z rdzeniami
Od: Piotr Wyderski <p...@n...mil>
Sprawdziłem jeszcze kilka rdzeni w roli "saturable reactor"
(to się w jakiś uznany sposób tłumaczy na polski?). Dla
RTF-6x3x3-F938, 46 zwojów "reaktancyjnych", jednego zwoju
"prądowego" i f=200kHz uzyskuję na 1kOhm/dioda Schottky/22nF
napięcie 1,37V dla I=0 i 10,6V dla I=700mA.
Dla materiałów NiZn wyniki są jednak tragiczne: rdzeń
RP-4X2X2 z materiału C5A zawierający 21 zwojów dawał
10V nawet dla I=0. Albo więc jego AL jest mikroskopijne,
albo nasycił się już samym sygnałem kluczowanym. Nie
sprawdzałem prawdziwej przyczyny -- nie nadaje się.
Oba rdzenie są o tyle ciekawe, że da się nałożyć je na
nóżkę MOSFEETa w TO220, uzyskując czujnik prądu.
Pozdrawiam, Piotr
-
2. Data: 2015-11-07 22:32:38
Temat: Re: Dalsze eksperymenty z rdzeniami
Od: Piotr Wyderski <p...@n...mil>
W nawiązaniu, bo to moim zdaniem ciekawe:
"reaktor" RTF-6x3x3-F938, 22 zwoje.
Transformator na takim samym rdzeniu, 13 zwojów pierwotnego
i dwa wtórne po 20 zwojów. Obciążeniem każdego z nich jest
prostownik jednopołówkowy na BAS85 + 22nF (symuluje MOSFETa)
+ 1k8 obciążenia. Przy zerowym prądzie sterującym na kondensatorze
jest napięcie poniżej wolta. Jednak już dla 950mA przekracza
nieznacznie 10V, a dla 1400mA jest ponad 12V. Przy braku
reaktora napięcie wynosi ~14V. Układ jest bardzo czuły,
stabilny i działa zdumiewająco dobrze, biorąc pod uwagę, że
materiał F938 niezupełnie do takich zadań został zaprojektowany.
Jeśli dwa takie układy podłączyć do mostka H, to powinien
wyjść z tego bardzo przyzwoity prostownik synchroniczny ze
sterowaniem magnetycznym. Rdzenie reaktorów należy założyć
np. na źródła dolnych tranzystorów. Zamiast rezystorów 1k8
dałbym jednak źródła prądowe na JFETach na 6mA, znacznie
szybciej wyłączą klucze. Zasada działania: na początku nic
ciekawego się nie dzieje, ale gdy dioda pasożytnicza zacznie
przewodzić, to indukcyjność reaktora znika i zasilone zostają
bramki związanych z nim tranzystorów, włączając je i powodując
dalszy wzrost prądu i jeszcze lepsze otwarcie kluczy. Jeżeli
prąd zacznie spadać, to po osiągnięciu pewnej wartości minimalnej
napięcie na bramce będzie na tyle niskie, że tranzystor zacznie
się wyłączać. Taki magnetyczno-MOSFETowy tyrystor. :-)
Dwie rzeczy są problematyczne:
1. Praca tranzystorów w obszarze liniowym dla niewielkich
prądów obciążenia. Ponieważ jednak z definicji prądy są
niewielkie (inaczej rdzeń czujnika by się nasycił), to i
moc wydzielona jest niewielka i nie jest to niebezpieczne.
2. Tranzystor musi zdążyć się wyłączyć zanim prąd zmieni
kierunek, bo czujnik nie jest wrażliwy na znak. Dla sinusa
50Hz czasu jest nieprzyzwoicie dużo, ale czy stany nieustalone
związane ze zmianą obciążenia nie mogą być szybsze i zatrzasnąć
kluczy? Z tym można sobie poradzić dokładając czujniki kierunku
napięcia (niekoniecznie magnetyczne, ale jak się ktoś uparze...),
tylko czy to jest realny problem?
Pozdrawiam, Piotr