Panowie, takie pytanie mam: zgodnie z datasheetem, metalowe skrzydełko obudowy TO-220
w tranzystorze BUZ11 ma elektryczne połączenie z S. Z trywialnych przyczyn (ciasno na
płytce) bardzo by mi pasowało zamiast prowadzić 5mm szerokości ścieżkę do tejże nogi
tranzystora, wykorzystać w roli połączenia sam radiator, jedno i drugie ma być po
prostu połączone z GND. Pytanie jednak: czy jest to dopuszczalne?

do góry

Hello Jarek,

Friday, May 15, 2015, 11:58:29 AM, you wrote:

> Panowie, takie pytanie mam: zgodnie z datasheetem, metalowe
> skrzydełko obudowy TO-220 w tranzystorze BUZ11 ma elektryczne
> połączenie z S.

Jesteś pewny, że nie z D?

> Z trywialnych przyczyn (ciasno na płytce) bardzo by
> mi pasowało zamiast prowadzić 5mm szerokości ścieżkę do tejże nogi
> tranzystora, wykorzystać w roli połączenia sam radiator, jedno i
> drugie ma być po prostu połączone z GND. Pytanie jednak: czy jest to dopuszczalne?



--
Best regards,
RoMan
Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)

do góry

W dniu piątek, 15 maja 2015 12:01:54 UTC+2 użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:
>
> Jesteś pewny, że nie z D?

Ups... fakt, widać najpierw przeczytałem, że jest to z "czymś" podłączone, a potem z
góry uznałem, że no z czymżeby innym, jak nie z elektrodą w 90% aplikacji łączoną z
masą :)
Znaczy, w zasadzie nie było pytania. Ale, czysto teoretycznie (bo załóżmy, że gdzieś,
kiedyś będzie to przydatne): jest takie połączenie dopuszczalne, czy nie?

do góry

Jarek P. wrote:

> Ups... fakt, widać najpierw przeczytałem, że jest to z "czymś" podłączone, a potem
z góry uznałem, że no z czymżeby innym, jak nie z elektrodą w 90% aplikacji łączoną z
masą :)

Są w ogóle takie MOSFETy? Znane mi trójkońcówkowe zawsze mają dren
na blaszce, a czterokońcówkowe (z osobnym pinem dla podłoża) to
rzadkość i tam nie pamiętam, jak było.

> Ale, czysto teoretycznie (bo załóżmy, że gdzieś, kiedyś będzie to
przydatne): jest takie połączenie dopuszczalne, czy nie?

W MOSFETach SMD to jest jedyny dostępny sposób wykonania
tego połaczenia, więc co miałoby się zmienić w przypadku
THT, skoro sam datasheet informuje o tym połączeniu?
Problem może być z samym połączeniem, bo jak zagwarantujesz
pewny styk? Tzn. ja wiem, że śrubką, ale czy będzie dostatecznie
pewny?

Pozdrawiam, Piotr

do góry

Hello Jarek,

Friday, May 15, 2015, 12:10:12 PM, you wrote:

> W dniu piątek, 15 maja 2015 12:01:54 UTC+2 użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:
>>
>> Jesteś pewny, że nie z D?

> Ups... fakt, widać najpierw przeczytałem, że jest to z "czymś"
> podłączone, a potem z góry uznałem, że no z czymżeby innym, jak nie
> z elektrodą w 90% aplikacji łączoną z masą :)

Sorry, ale jedynie 90% stabilizatorów 78xx ma taba łączonego z masą.
Chyba 100% MOSFETów ma łączonego z drenem. Źródło to niekoniecznie
masa.

> Znaczy, w zasadzie nie było pytania. Ale, czysto teoretycznie (bo
> załóżmy, że gdzieś, kiedyś będzie to przydatne): jest takie połączenie
dopuszczalne, czy nie?

Oczywiście, że jest dopuszczalne. Na przykład w przetwornicach dużej
mocy, gdy łączysz dreny bezpośrednio do wyprowadzeń transformatora
toroidalnego, lepiej łączyć przez końcówkę lutowniczą do taba niż
przez cienką miedź na PCB. Wyprowadzenia na PCB stosujesz wtedy tylko
dołączenia snubbera.

--
Best regards,
RoMan
Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)

do góry

W dniu piątek, 15 maja 2015 12:23:20 UTC+2 użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:

> Sorry, ale jedynie 90% stabilizatorów 78xx ma taba łączonego z masą.
> Chyba 100% MOSFETów ma łączonego z drenem. Źródło to niekoniecznie
> masa.

Dobra, wyszła moja ignorancja w temacie MOSFETów, trudno :)

Z rozpędu następne pytanie: do wykonania jest ośmiokanałowy driver PWM do sterowania
LEDowym obciążeniem 12V, jakieś 3A na kanał. Jak najlepiej zrobić drivery do tych
MOSFETów? Sterowane to ma być z procesora z logiką 5V. Podłączania żywcem do
procesora przez oporniki trochę się obawiam, z kolei budowania pod każdym mosfetem
typowego drivera z tranzystorów bipolarnych (po dwa-trzy tranzystory pod każdym
mosfetem) wolałbym uniknąć. Czy da się do tego wykorzystać coś scalonego? Choćby coś
w stylu ULN2803? A może są jakieś rozwiązania od razu wspierające sprzętowo PWMa?

do góry

Jarek P. wrote:

> Z rozpędu następne pytanie: do wykonania jest ośmiokanałowy driver PWM
> do sterowania LEDowym obciążeniem 12V, jakieś 3A na kanał. Jak najlepiej
> zrobić drivery do tych MOSFETów?

Najlepiej, to kupić MOSFETy logic-level i sterować nimi z tych 5V,
co masz bezpośrednio. Wymaganą obciążalność prądową policzysz sobie
z pojemności bramki i wymaganego czasu włączania/wyłączania. Jak są
nieduże, to sobie nie zawracaj głowy.

"Dla bajeru" możesz kupić VND14NV04, to Ci sam sciągając bramkę do
masy powie, czy działa w trybie awaryjnym (temperatura/przeciążenie),
czy wszystko gra. :-)

Pozdrawiam, Piotr

do góry

Hello Jarek,

Friday, May 15, 2015, 2:09:41 PM, you wrote:

>> Sorry, ale jedynie 90% stabilizatorów 78xx ma taba łączonego z masą.
>> Chyba 100% MOSFETów ma łączonego z drenem. Źródło to niekoniecznie
>> masa.
> Dobra, wyszła moja ignorancja w temacie MOSFETów, trudno :)
> Z rozpędu następne pytanie: do wykonania jest ośmiokanałowy driver
> PWM do sterowania LEDowym obciążeniem 12V, jakieś 3A na kanał. Jak
> najlepiej zrobić drivery do tych MOSFETów? Sterowane to ma być z
> procesora z logiką 5V. Podłączania żywcem do procesora przez
> oporniki trochę się obawiam, z kolei budowania pod każdym mosfetem
> typowego drivera z tranzystorów bipolarnych (po dwa-trzy tranzystory
> pod każdym mosfetem) wolałbym uniknąć. Czy da się do tego
> wykorzystać coś scalonego? Choćby coś w stylu ULN2803? A może są
> jakieś rozwiązania od razu wspierające sprzętowo PWMa?

Z jaką częstotliwością chcesz sterować tymi MOSFETami? Jeśli
niewielką, to bez żadnych driverów, bezpośrednio z wyjść CMOS.
Oczywiście MOSFETu LogicLevel.

Swoją drogą, przy tak niskim prądzie i napięciu aż się prosi o SO-8.
Na przykład Si4800BDY - dostępne w TME w cenie śmiesznej. Przy 3A dla
najgorszego przypadku wydzieli się w nich mniej niż 200mW.

--
Best regards,
RoMan
Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)

do góry

W dniu piątek, 15 maja 2015 15:44:58 UTC+2 użytkownik Piotr Wyderski napisał:

> Najlepiej, to kupić MOSFETy logic-level i sterować nimi z tych 5V,
> co masz bezpośrednio.

Sęk w tym, że mam w szufladzie trochę BUZ11 i myślałem, żeby je zużyć, stąd moje
kombinacje.
Częstotliwość - nie za duża, tak, żeby mi LEDy oświetleniowe nie mrugały, czyli
jakieś kiloherce zapewne.

Takie maleństwo jak to proponowane przez RoMana naprawdę by tu wystarczyło? Tak,
wiem, że ze statycznych wyliczeń, biorąc pod uwagę prąd i rezystancję dren-źródło
wychodzą śmieszne moce, ale czy przy PWM nie przeważą straty w powstające w czasie
przełączania? Na "znanym forum elektronicznym" czytałem, że różnie z tym bywa
właśnie.

do góry

Jarek P. wrote:

> Sęk w tym, że mam w szufladzie trochę BUZ11 i myślałem, żeby je zużyć, stąd moje
kombinacje.

Podany przeze mnie MOSFET kosztuje w sklepie AVT 7 zł, więc dla ośmiu
kanałów wychodzi 56 zł., a w zamian dostajesz końcówkę zabezpieczoną
przed zwarciem i przegrzaniem. Dalej chce Ci się kombinować?

> Częstotliwość - nie za duża, tak, żeby mi LEDy oświetleniowe nie mrugały, czyli
jakieś kiloherce zapewne.

Wystarczy nieduże kilkaset Hz.

> Takie maleństwo jak to proponowane przez RoMana naprawdę by tu wystarczyło?

Starty w MOSFEcie pochodzą z trzech źródeł: rezystancji źródło-kanał
tranzystora w pełni otwartego, przeładowania "kondensatora bramkowego",
którego ładunek w nanokulombach jest podany w datasheecie i strat
podczas przełączania, gdy tranzystor znajduje się w obszarze liniowym.
Na pierwsze nic nie poradzisz, na drugie owszem, ale przełączanie
rezonansowe to zupełnie nie ta liga, a na trzecie radą jest wydajny
prądowo driver.

Bez dedykowanego drivera tranzystor będzie się znajdował dłużej
w obszarze liniowym, niż by mógł, ale i tak będzie to drobny ułamek
okresu PWM. Możesz sobie to policzyć dokładnie znając wydajność
prądową pinów MCU, można tez "bezmyślnie" wymodelować to w LTSpice
-- zobaczysz wszystko na wykresie.

> Na "znanym forum elektronicznym" czytałem, że różnie z tym bywa właśnie.

Nie idź absurdalnie wysoko z częstotliwością. Stawiam, że 200Hz wystarczy.

Natomiast Twój prawdziwy problem jest inny: masz 8 kanałów po 3A
każdy, więc zasilacz może dać 24A. To jest sporo prądu -- pomyślałeś
o dobrym zabezpieczeniu przeciwzwarciowym? Bo otwarcie się
niezabezpieczonego MOSFETu na świat wcale nie jest najgorsze,
skończyć się może na melodię "płonie ognisko w lesie"...

Pozdrawiam, Piotr

do góry